专利名称：高频可变衰减器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于广播通讯类电子设备上的射频信号可变衰减器。
在有线电视、广播通讯等各类电子设备中需用射频信号可变衰减器对射频信号进行连续衰减，尤其是在有线电视领域内各类放大器中，可变衰减器的使用尤为重要。现有最常用的可变衰减器(工作频带为5-1000MHZ)如图4所示，由于其包覆于外表面用于接地的金属贴面部份(接地脚)3的结构与造型不够合理(1)接地脚的接地面为U形或V形门形框架状，受框架内侧的间距(L)和高度的限制，致使金属贴面部份占整个接地脚的面积过大；(2)金属接地面与绝缘壳之间无间隙，而使得金属贴面与电阻膜片22(同时参见图2)过于贴近。因而其表征阻抗特性的参数如反射损耗(dB)较差，当工作频率升至550MHZ-1000MHZ时，反射损耗下降至16dB以下，致使电路匹配变坏，引起信号反射及辐射；而当可变衰减器处于0dB位置时(不衰减)，反射损耗下降，引起信号反射及辐射，影响整机性能指标，即输入输出阻抗变坏，影响整机增益可调范围及最大输出电平。
本实用新型的目的在于克服现有射频信号可变衰减器的结构上的不足，提供一种结构合理，能达到频带更宽，性能更好的高频可变衰减器。
为实现上述目的，本实用新型提供一种高频可变衰减器，包括一绝缘壳体及封于其内的一芯体，该芯体的二侧引脚分别由壳体两侧底边的槽口穿出，向下延伸至壳体下部；一包覆于绝缘壳体外面的接地脚，该接地脚的横截面为一冂形，其三个贴面分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接，各接地面分别为一下部开口的金属门形框架，且各脚接地端延伸至壳体下部，其特点是，所述接地脚的正接地面门形框架的内侧最大间距为5.5-7.5mm，侧接地面门形框架的内侧最大间距为8-10mm，各接地面门形框架的高为12.5-18mm；所述门形框架上设有加强筋；所述接地面的二侧面与绝缘壳之间分别留有间隙。
上述的高频可变衰减器中，在所述接地脚的二侧接地面的内壁上还分别设有一凸块。
本实用新型对可变衰减器的接地脚的结构形状进行了改进，因而具有以下优点1.形状改变后的金属接地面门形框架的两相对边之间距离加大，使框架变细，达到金属贴面的面积大大缩小，从而可减小分布电容的影响，提高反射损耗指标。
2.同时在金属门形框架上设置加强筋进行强化，可弥补形状改变后的接地面门形框架本身变细，支撑强度受影响的不足。
3.接地面的二侧面与绝缘壳之间分别留有间隙，并在二侧接地面的内壁上分别设设置凸块，可保证在操作时始终保持有间隙，而可保持电路匹配良好，不会引起信号反射及辐射。
以下结合附图及附图给出的实施例对本实用新型作进一步说明
图1为本实用新型一较佳实施例的外观立体结构图；图2为图1的包括内部结构的立体图；图3为图1的俯视状态结构图；图4为已有技术的外观立体结构图；图5为已有技术与本实用新型反射损耗特性的比较曲线。
参见图1-3，本实用新型为一种宽频带高频可变衰减器，包括一方形绝缘壳体1及封于其内的一芯体2，该芯体的二侧支脚21分别由壳体两侧底边的槽口穿出，向下延伸至壳体下部；一包覆于绝缘壳体1外面的接地脚3，在接地脚的四角下端分别延伸出一接地端31。接地脚3的横截面为一冂形，由三个接地面组成，其正接地面33及二侧接地面32分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接。各接地面的形状如图1所示，为下部开口的门形框架，框架的上内边缘呈梯形。在门形框架上设有加强筋4，除可增加强度外，还可减小分布电容的影响。
接地脚的二侧接地面内壁与绝缘壳外壁之间分别留有间隙5，该间隙的距离可为0.2-0.7mm，以0.5mm为佳。
此外，正接地面33门形框架的两相对边的内侧间距L1可为5.5-7.5mm，其中以6mm为宜；侧接地面32门形框架的内侧间距L2一般可为8-10mm；各接地面门形框架的高H为12.5-18mm，以14mm为宜。
在接地脚的二侧接地面的内壁上还分别设有一圆形凸块6，凸块6位于接地面侧面与绝缘壳之间的间隙4内，是为了避免在操作时误将侧接地面的内壁贴紧绝缘壳的外壁。
在框架的内、外边缘上可设置一个或多个凹部和/或凸部7、8，形成不规则的多边形，也是为了既加大门形框架两相对边之间的距离，又可保证接地面的强度而设。
图5为已有技术与本实用新型反射损耗特性的比较曲线，试验曲线清楚显示了改进后的衰减器反射损耗特性，证明采用本实用新型可明显提高可变衰减器的阻抗特性在0dB衰减位置及300MHZ-1000MHZ工作频率上，其反射损耗指标提高5dB以上；典型情况下550MHZ-750MHZ可提高6dB；750MHZ-1000MHZ可提高5dB以上。
权利要求1.一种高频可变衰减器，包括一绝缘壳体(1)及封于其内的一芯体(2)，该芯体的二侧引脚(21)由绝缘壳体穿出；一包覆于绝缘壳体1外面、截面为一冂形的金属接地脚(3)，其三个接地面分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接，所述接地面的形状为下部开口的门形框架，在该接地脚的四角下端分别延伸出一接地端(31)，其特征在于所述接地脚的正接地面(33)门形框架的两相对边的内侧间距(L1)为5.5-7.5mm，侧接地面(32)门形框架的内侧间距(L2)为8-10mm，各接地面门形框架的高(H)为12.5-18mm；所述门形框架上设有加强筋(4)；所述接地脚的二侧接地面内壁与绝缘壳外壁之间分别留有间隙(5)。
2.根据权利要求1所述的高频可变衰减器，其特征在于所述金属接地脚(3)的侧接地面与绝缘壳之间的间隙(5)距离为0.2-0.7mm。
3.根据权利要求1所述的高频可变衰减器，其特征在于在所述接地脚的二侧接地面的内壁上分别设有一凸块(6)。
4.根据权利要求1所述的高频可变衰减器，其特征在于所述框架的上内边缘为梯形。
5.根据权利要求1所述的高频可变衰减器，其特征在于在该框架的内边缘上设有一个或一个以上凹/凸部(7)。
6.根据权利要求1所述的高频可变衰减器，其特征在于在该框架的外边缘上分别设有一个或一个以上凹/凸部(8)。
专利摘要高频可变衰减器,包括一绝缘壳体及封于其内的芯体;一包覆于绝缘壳体外面的接地脚,接地脚的横截面为一冂形,其三个贴面分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接,各接地面分别为一下部开口的金属门形框架,其中,接地脚的正接地面门形框架的内侧最大间距5.5—7.5mm,侧接地面门形框架的内侧最大间距8—10mm,门形框架的高12.5—18mm;门形框架上设有加强筋;接地面的二侧面与绝缘壳之间分别留有间隙。可保持电路匹配良好,不会引起信号反射及辐射。
文档编号H01P1/22GK2473761SQ0123903
公开日2002年1月23日 申请日期2001年4月25日 优先权日2001年4月25日
发明者伍颂谊 申请人:伍颂谊