专利名称：S波段五位电控衰减器模块的制作方法
技术领域：
本实用新型与S波段步进衰减器有关。
技术背景已有的S波段步进衰减器多采用开关线加电阻衰减网络实现，步长最好能作到0.5dB；插入损耗大，一个S波段五位电控衰减器插损通常为3～4dB；驻波系数较大，通常为VSWR≤1.5；衰减时相位变化较大，通常为10°以内；驱动电流很大，通常五位步衰需要±150mA的电流。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种体积小、耗电小、衰减精度高、插损小、驻波系数小及无相位式集成化的S波段五位电控衰减器模块。
本实用新型是这样实现的本实用新型S波段五位电控衰减器模块，由PIN二极管四位步进衰减器(1)与一个双端吸收的电控衰减器(2)连接组成，步进衰减器(1)有射频输入端口(J1)分别通过衰减网络(Li、Ri、Ci)与直流控制端口(E1，E2，E3，E4)连接，电控衰减器(2)有射频输出端口(J2)和直流控制端口(E5)，输出端口(J2)与输入端口(J1)之间有并联的二极管串联支路。
本实用新型射频输入端口(J1)一路经过正相串连的二极管(D7，D8)与输出端口(J2)连接，另一端路经过反相串连的二极管(D5，D6)与输出端口连接，二极管(D7、D8)之间有衰减网络(R5、R6、R7)，输入端口(J1)与控制端口(E1，E2，E3，E4)之间为并联的衰减网络(L1、R1、C1，L2、R2、C2，L3、R3、C3，L4、R4、C4)。
本实用新型输入端(J1)与隔直电容(C5)连接，输出端口与隔直电容(C6)连接。
本实用新型采用加载线原理来设计一种新型的高精度低步长的步进衰减器。用此原理设计的步进衰减器步长可以作到0.1dB，且具有插入损耗小、驻波系数小、衰减时无相位变化、驱动电流小等优点。有其它设计方法难以到达的优良性能。
图1实用新型的框图。
图2实用新型的电路原理图。
图3实用新型的主视图。
图4实用新型的俯视图。
图5实用新型的左视图。
具体实施方式
本实用新型由一个高精度PIN二极管四位步进衰减器(1)和一个双端吸收的电控衰减器(2)组成。其中步进衰减器采用四组加载线原理实现，吸收式的电控衰减器采用开关线原理实现。射频信号从J1输入，如果不需要衰减时，(E1，E2，E3，E4)四个直流控制端口都外加+4.8v的信号，(D1，D2，D3，D4)四个开关处于关断状态，衰减网络对射频信号不起作用，射频信号直接从主传输线到衰减器(2)上。如果需要某一位衰减，直流控制端Ei(i＝1～4)外加-4.8v信号，Di(i＝1～4)开关打通，LiRiCi(i＝1～4)组成的衰减网络起作用，射频信号产生第i位衰减量的衰减，其中i＝1时衰减量ΔA1＝0.2dB，i＝2时，衰减量ΔA2＝0.4dB；i＝3时，衰减量ΔA3＝0.8dB；i＝4时衰减量ΔA4＝1.6dB。四位步进衰减器经组合共有15种衰减状态，步长为0.2dB，最大衰减量为3dB。吸收式的电控衰减器由开关线原理实现，当直流控制端E5外加+4.8v信号时，D5、D6支路被打通，射频信号由此支路通过不发生衰减，当E5外加-4.8v信号时，D7、D8支路被打通，射频信号沿D7、D8支路传输，由R5、R6、R7组成的衰减网络生产15dB的衰减。不论走那个支路射频信号都从J2端口输出，其中C5，C6为隔直电容，阻止直流信号的泄漏。
本实用新型选用RT/dusoid 5880电路材料，通过光刻、腐蚀、电镀等工艺制成电路基片，经过处理的电路基片用合金焊料烧结在模块壳体内，PIN二极管、MOS电容等心片通过粘片、键合等工艺在电路基片上进行二次集成，经过调试和筛选达到我们所要求的指标。
本实用新型中模块的主要电参数如下(I)工作频率3.1～3.4G11z(II)各端口驻波比＜1.35(III)插入损耗＜1.60(IV)基本衰减量0.2dB，0.4dB，0.8dB，1.6dB，15dB(V)衰减精度≤0.0dB(ΔA≤1dB)≤0.15dB(ΔA≤3dB)(VI)15位幅度起伏≤±0.7dB(VII)插入相位偏差(＜3dB＜4°)
权利要求1.S波段五位电控衰减器模块，其特征在于由PIN二极管四位步进衰减器(1)与一个双端吸收的电控衰减器(2)连接组成，步进衰减器(1)有射频输入端口(J1)分别通过衰减网络(Li、Ri、Ci)与直流控制端口(E1，E2，E3，E4)连接，电控衰减器(2)有射频输出端口(J2)和直流控制端口(E5)，输出端口(J2)与输入端口(J1)之间有并联的二极管串联支路。
2.根据权利要求1所述的衰减器模块，其特征在于射频输入端口(J1)一路经过正相串连的二极管(D7，D8)与输出端口(J2)连接，另一端路经过反相串连的二极管(D5，D6)与输出端口连接，二极管(D7、D8)之间有衰减网络(R5、R6、R7)，输入端口(J1)与控制端口(E1，E2，E3，E4)之间为并联的衰减网络(L1、R1、C1，L2、R2、C2，L3、R3、C3，L4、R4、C4)。
3.根据权利要求1所述的的衰减器模块，其特征在于输入端口(J1)与隔直电容(C5)连接，输出端口与隔直电容(C6)连接。
专利摘要本实用新型为S波段五位电控衰减器模块，模块为电路基片，焊结在壳体内，模块由PIN二极管四位步进衰减器(1)与一个双端吸收的电控衰减器(2)连接组成，步进衰减器(1)有射频输入端口(J
文档编号H01P1/22GK2526988SQ0222157
公开日2002年12月18日 申请日期2002年2月8日 优先权日2002年2月8日
发明者王韧, 王雪松 申请人:王韧