专利名称：Cmos型图像读取传感器芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光电传感器半导体芯片，详细讲是一种CMOS型图像读取传感器芯片。
背景技术：
我们知道，现有的彩色接触式图像传感器所采用的CMOS型图像读取传感器芯片是读取黑白图像信息的CMOS型图像读取传感器芯片，它构成的彩色图像读取装置的工作原理是，R、G、B三色光源在规定的点灯时间内依次点灯，各色的点灯期间内，把电荷积蓄于光电转换传感器素子内，然后再从光电转换传感器素子读取图像信息。这种芯片，在副扫描方向，R的读取领域与G的读取领域产生1/3象素的偏差、G的读取领域与B的读取领域产生1/3象素的偏差，即，把读取的、包含不同领域的R、G、B各色的图像读取信号作为一个象素的图像信号进行了再组合，存在色偏差，导致颜色的再现性差，不能准确读取彩色图像信息；因为三色光源循环导通，R、G、B光电转换传感器素子依次串行输出图像信息，所以读取速度慢。
发明内容
本实用新型解决技术的问题是，解决在副扫描方向，R的读取领域与G的读取领域产生1/3象素的偏差、G的读取领域与B的读取领域产生1/3象素的偏差，即，把读取的、包含不同领域的R、G、B各色的图像读取信号作为一个象素的图像信号进行了再组合，存在色偏差，导致颜色的再现性差，不能准确读取彩色图像信息；因为三色光源循环导通，R、G、B光电转换传感器素子依次串行输出图像信息，所以读取速度慢的问题。提供一种无色偏差，颜色的再现性好，能够准确、快速读取彩色图像信息；黑白图像信息的读取分辨率是彩色图像信息的读取分辨率的2倍的CMOS型图像读取传感器芯片。
本实用新型的技术方案是，芯片上设有光电转换传感器素子，其主要结构特点是，每四个光电转换传感器素子为一个单元，每个光电转换传感器素子上方设有一片滤光膜，分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、B、G、G；或者分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、G、G、B，其中R代表红色光电转换传感器素子，G代表绿光光电转换传感器素子，B代表兰光光电转换传感器素子。
作为光电转换传感器素子，可以是光敏三极管也可以是光敏二极管。
本实用新型的有益效果是，使用时，主扫描方向多个光电转换传感器素子组成光电转换传感器素子列，副扫描方向光电转换传感器素子列相互平行地配置2列，第一周期读取的第二列的信息与第二周期读取的第一列信息组合使用，可以使被读取体上的R、G、B的读取领域完全一致，就防止了因为色差而造成的色再现性劣化，无色偏差，颜色的再现性好，能够准确读取图像信息，黑白图像信息的读取分辨率是彩色图像信息的读取分辨率的2倍，并且读取速度是现有技术3倍的CMOS型图像读取传感器芯片。本实用新型适用于彩色接触式图像传感器和黑白接触式图像传感器。
图1、图2是本实用新型的一种实施方式的示意图，图1是主视图，图2是图1的俯视图。图1、图3是本实用新型一种实施方式的示意图，图3是图1的俯视图。
实施方式 从图1、图2中可以看出，芯片1上设有光电转换传感器素子3，每四个光电转换传感器素子3为一个单元，每个光电转换传感器素子3上方设有一片滤光膜2，分别带有R、G、B三色滤光膜2的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、B、G、G，其中R代表红色光电转换传感器素子，G代表绿光光电转换传感器素子，B代表兰光光电转换传感器素子。光电转换传感器素子，可以是光敏三极管也可以是光敏二极管。
从图1、图3中可以看出，芯片1上设有光电转换传感器素子3，每四个光电转换传感器素子3为一个单元，每个光电转换传感器素子3上方设有一片滤光膜2，分别带有R、G、B三色滤光膜2的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、G、G、B，其中R代表红色光电转换传感器素子，G代表绿光光电转换传感器素子，B代表兰光光电转换传感器素子。光电转换传感器素子，可以是光敏三极管也可以是光敏二极管。
权利要求1.一种CMOS型图像读取传感器芯片，芯片上设有光电转换传感器素子，其特征是每四个光电转换传感器素子为一个单元，每个光电转换传感器素子上方设有一片滤光膜，分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、B、G、G；或者分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列；每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、G、G、B，其中R代表红色光电转换传感器素子，G代表绿光光电转换传感器素子，B代表兰光光电转换传感器素子。
2.根据权利要求1所述的CMOS型图像读取传感器芯片，其特征是所说的光电转换传感器素子是光敏三极管。
3.根据权利要求1所述的CMOS型图像读取传感器芯片，其特征是所说的是光敏二极管。
专利摘要一种CMOS型图像读取传感器芯片，涉及一种光电传感器半导体芯片，芯片上设有光电转换传感器素子，每四个光电转换传感器素子为一个单元，每个光电转换传感器素子上方设有一片滤光膜，分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列，每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、B、G、G；或者分别带有R、G、B三色滤光膜的光电转换传感器素子以2×2点阵的相同方式等间距重复排列，每个2×2点阵内的排列方式，由主扫描方向到副扫描方向的排列顺序是R、G、G、B，适用于彩色接触式图像传感器。
文档编号H01L27/14GK2645237SQ0321724
公开日2004年9月29日 申请日期2003年5月12日 优先权日2003年5月12日
发明者王翥, 细川信一郎 申请人:山东华菱电子有限公司