专利名称：测量激光器芯片用的夹具及制作方法
技术领域：
本发明属于光电子器件领域，更具体说是一种测量激光器芯片用的夹具及制作方法。
背景技术：
在光电集成电路和光纤通信系统的设计过程中，往往需要建立准确的光电子器件(激光器、探测器和调制器等)的模型，其中模型参数的取值需由器件的测量来确定，模型的准确性取决于测量的精度。
在光电子器件芯片的高频特性的测量中，为了保证测量结果的准确性，通常需要借助商业化的共面微波探针来完成。在测试前，首先用探针的校准标准对探针进行校准，然后再把探针的影响从测量结果中扣除，这样就可以得到准确的光电器件的本征特性。
但是，在大多数情况下，半导体激光器的P区电极和N区电极在不同的水平面上，不能用常规的共面微波探针来测量激光器芯片。在测量激光器芯片过程中，人们通常是把激光器管芯安装在一个热沉上。热沉上有一对共面电极，其中一个电极和芯片的N区电极通过金锡焊料焊接在一起，另一电极则通过金丝和芯片的P区电极相连，最后再用微波探针进行测量。由于压焊的金丝对的激光器芯片的高频特性有着很大的影响。因此，还需要经过一系列的校准以从测量结果扣除金丝的影响。
发明内容
为了解决以上问题，本发明的目的在于提供一种激光器芯片测量用的夹具及制作方法，使用该夹具可以直接用共面微波探针对激光器芯片进行测量，从而省去了压焊金丝和从测量结果扣除金丝影响的复杂性。
本发明解决其技术问题的技术方案是本发明一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中包括一基板，该硅基板的上表面开有一V型沟槽，该V型沟槽的底部为一平面形的低台面；一金电极，该金电极3制作在硅基板和V型沟槽的上表面上；一镀锡电极，该镀锡电极制作在V型沟槽的低台面上。
其中该基板为硅材料。
本发明一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，包括如下步骤在基板1的上表面开有一V型沟槽，该V型沟槽的底部为一平面形的低台面；在基板和V型沟槽的上表面上制作一层金电极；在V型沟槽的低台面上制作一层镀锡电极。
其中该基板为硅材料。
其中基板上的V型沟槽2是采用干法刻蚀和湿法刻蚀结合的微机械加工技术制作而成。
其中基板和V型沟槽的上表面上的金电极是采用光刻和蒸发的方法制作的。
其中V型沟槽的低台面上镀锡电极是采用光刻和电镀的方法制作的。
本发明的有益效果是在激光器芯片的测量中，能够避免用金丝将激光器芯片的P区电极和热沉上的电极相连，取而代之是通过焊锡把激光器芯片安装在测试夹具上，同时调整焊锡的多少以保证激光器芯片的P电极和硅基片上面的电极在同一水平面上，从而可以用共面微波探针进行直接测量，用这种夹具对激光器芯片进行测量，不再需要压焊金丝，同时也省去了为了扣除金丝的影响而进行的复杂校准和计算。
为进一步说明本发明的技术内容，以下结合附图和实施例对本发明作一详细的描述，其中图1是本发明测量激光器芯片用的夹具的剖面侧视图；图2是图1的俯视图；图3是激光器芯片安装在测试夹具上的剖面侧视图。
具体实施例方式
请参阅图1、图2，一种测量激光器芯片用的夹具，其中包括
一基板1，该硅基板1的上表面开有一V型沟槽2，该V型沟槽2的底部为一平面形的低台面4，该基板1是硅材料；一金电极3，该金电极3制作在硅基板1和V型沟槽2的上表面上；一镀锡电极5，该镀锡电极5制作在V型沟槽2的低台面4上。
本发明一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，包括如下步骤在基板1的上表面开有一V型沟槽2，该V型沟槽2的底部为一平面形的低台面4；其中V型沟槽2是采用干法刻蚀和湿法刻蚀结合的微机械加工技术制作而成，该基板1是硅材料；在硅基板1和V型沟槽2的上表面上制作一层金电极3；其中硅基板1和V型沟槽2的上表面上的金电极3是采用光刻和蒸发的方法制作的；在V型沟槽2的低台面4上制作一层镀锡电极5；其中镀锡电极5是采用光刻和电镀的方法制作的。
本发明的工作过程为请参阅图3所示，把激光器芯片6水平地放置在夹具的镀锡电极5上，让芯片的N极7与镀锡电极5接触；把激光器芯片6和夹具一起放入有氮气保护的加热装置上，设定加热温度和时间，使芯片的N极7与镀锡电极5烧焊在一起，冷却后取出；把微波探针的两个针(图中未示)分别压在夹具的金电极3和激光器P电极8上对激光器芯片6进行测量。
权利要求
1.一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中包括一基板，该硅基板的上表面开有一V型沟槽，该V型沟槽的底部为一平面形的低台面；一金电极，该金电极制作在硅基板和V型沟槽的上表面上；一镀锡电极，该镀锡电极制作在V型沟槽的低台面上。
2.如权利要求1所述的一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中该基板为硅材料。
3.一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，包括如下步骤在基板1的上表面开有一V型沟槽，该V型沟槽的底部为一平面形的低台面；在基板和V型沟槽的上表面上制作一层金电极；在V型沟槽的低台面上制作一层镀锡电极。
4.如权利要求3所述的一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，其中该基板为硅材料。
5.如权利要求3所述的一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，其中基板上的V型沟槽2是采用干法刻蚀和湿法刻蚀结合的微机械加工技术制作而成。
6.如权利要求3所述的一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，其中基板和V型沟槽的上表面上的金电极是采用光刻和蒸发的方法制作的。
7.如权利要求3所述的一种测量激光器芯片用的夹具的制作方法，其特征在于，其中V型沟槽的低台面上镀锡电极是采用光刻和电镀的方法制作的。
全文摘要
一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中包括一基板，该硅基板的上表面开有一V型沟槽，该V型沟槽的底部为一平面形的低台面；一金电极，该金电极制作在硅基板和V型沟槽的上表面上；一镀锡电极，该镀锡电极制作在V型沟槽的低台面上。
文档编号H01S5/00GK1677773SQ200410033308
公开日2005年10月5日 申请日期2004年4月2日 优先权日2004年4月2日
发明者张胜利, 孙建华, 祝宁华 申请人:中国科学院半导体研究所