专利名称：铪合金靶及其制造方法
技术领域：
本发明涉及成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。本说明书中使用的单位“ppm”均意味着重量ppm。
背景技术：
电介质门绝缘膜的膜厚，对于MOS晶体管性能产生重大影响，因而与硅基板的界面必须电性顺畅并且不能损坏载体的移动性。
以往，作为该门绝缘膜使用SiO2膜，从界面特性看是至今最优秀的。并且作为该门绝缘膜使用的SiO2膜具有越薄就能够增加载体(即电子或空穴)数量从而增加漏电流的特性。
因此，门SiO2膜通常在配线的精密化而电源电压降低时，在不会损坏绝缘破坏的可靠性的范围内被薄膜化。但是当门SiO2膜为3nm以下时直接流过隧道漏泄电流，因而产生不能起到绝缘膜功能的问题。
但是如上所述，虽然使晶体管精密化，但作为门绝缘膜的SiO2膜的膜厚存在限制，因而就产生晶体管的精密化失去意义，不能改善性能的问题。
另外为了降低LSI的电源电压而降低电力消耗，需要使门绝缘膜更加薄，但是由于SiO2膜在3nm以下时存在如上所述的破坏门绝缘的问题，因而薄膜化本身存在限制。
综上所述，作为下一代的门绝缘膜的候补，考虑到将电容率比现有的SiO、SiON高的HfO、HfON作为有力的候补。该膜通过与氧、氮的反应性溅射法来对Hf靶进行成膜。
公开有与此时所用的靶及其制造方法、与通过溅射法形成氧化膜相关的专利(参照特开平11-40517号公报)、与半导体元件有关的专利(参照美国专利第4,333,808号、美国专利第6,207,589号)等相关的多个专利申请。
专利文献(特开平4-358030号公报)中，描述了Hf靶的杂质Al在10ppm以下的内容。另外专利文献(特开平8-53756号公报)和专利文献(特开平8-60350号公报)中，记载有Fe10ppm以下、Ni10ppm以下、Cr10ppm以下、Al10ppm以下的内容。
专利文献(EPO0915117号公报)中，记载有Fe10ppm以下、Ni10ppm以下、Cr10ppm以下、Al10ppm以下、氧250ppm以下、Na0.1ppm以下、K0.1ppm以下、U0.001ppm以下、Th0.001ppm以下。
另外，存在指出在门电极或漏、源部等非常靠近门电极的部分的形成所使用的MoSi、WSi、Ti膜中需要限制Fe、Ni、Cr、Na、K、U、Th的杂质，并且规定靶中的杂质的技术(特开昭60-66425号公报、特开昭61-107728号公报、特开昭61-145828号公报、特开平2-213490号公报、特开平4-218912号公报，参照专利文献12、专利文献13)。
但是上述公知技术都停留在规定Hf单体中的一部分杂质的技术水平。
对于使用Hf靶的绝缘膜的成膜进行研究的结果，发现现有的Hf的一种单体中存在成膜时的颗粒产生量多的问题。对于这个问题，即使进行被称为胶合(pasting)的利用粘着性高的金属膜的成膜来抑制容易剥离的膜的脱离的处理，也很难降低至实用的颗粒数，该处理在使用Ti靶进行TiN的成膜时也使用。
另外还发现，特别是Fe、Ni、Cr量为数ppm左右时，向门电极下的Si基板部扩散并使设备特性恶化。并且，由于成膜的绝缘膜的厚度产生偏差，因而存在晶片或各部的设备特性产生偏差的问题。
在溅射初期虽然进行叫做老化的处理，但是累计电力量未达到20kWHr以上的话膜厚就不稳定。
另外为了今后提高成膜特性或成膜速度，考虑提高溅射功率，但是此时，预想到使用现有的金属焊料的焊接法中在溅射中焊料熔化而靶剥落。
发明内容
本发明为了解决上述问题，其目的在于，提供具有代替制造方法SiO2膜的特性、并且成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。
本发明提供1.一种铪合金靶，其特征在于，Hf中包含总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方。
2.根据上述1所述的铪合金靶，其特征在于，平均结晶粒径为1-100μm。
3.根据上述1或2所述的铪合金靶，其特征在于，作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下。
4.根据上述1至3中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，{002}和从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。
5.根据上述1至4中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，靶的腐蚀面的平均粗糙度Ra为0.01-2μm。
6.根据上述1至5中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，靶的非腐蚀面的平均粗糙度Ra为2-50μm。
7.根据上述1至6中任一项所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，对铪合金的熔锭或坯段进行热锻和热轧或冷轧，并且在大气中、真空中或惰性气体气氛中在800-1300℃加热15分钟以上。
8.根据上述7所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，通过扩散接合焊接到背板上。
9.根据上述8所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，作为背板使用Al或Al合金、Cu或Cu合金、或者Ti或Ti合金。
10.根据上述1至5中任一项所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，靶的侧面等非腐蚀面通过喷砂、蚀刻、形成喷镀覆膜而使平均粗糙度Ra为2-50μm。
具体实施例方式
本发明是在Hf中包含总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方的铪合金靶。因此通过添加与Hf化学性质相似的Zr或Ti，能够如下所述地进行颗粒少的成膜，而不会使绝缘膜的特性恶化，例如电容率降低或漏泄电流上升等。
本发明中，平均结晶粒径为1-100μm。由此通过使靶的结晶粒径微细化，能够减少颗粒的产生。其中，只是使粒径微细化时虽然添加超过10重量％的上述Zr或Ti也有效，但是超过10重量％时难以进行靶的塑性加工，因而10重量％成为上限。
并且本发明中作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下。由于门氧化膜直接接触Si的转换部，因而需要降低在Si的能带隙中形成能量级的Fe、Ni、Co的浓度。
{002}和在从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面强度比的总和的偏差在20％以下。
为了将所形成的氧化膜的厚度抑制在实用上不会出现问题的偏差内，需要控制结晶取向。将最密面(002)、以及从该面起35°以内的(103)、(014)、(015)面作为晶体惯态面，将这些四个面的比例的总和通过以下公式定义为晶体惯态面取向率。
数1 (hk1)对粉末的Hf进行X线衍射测量时出现的衍射面I(hk1)(hk1)的测量强度I*(hk1)JCPDS卡的相对强度由于该晶体惯态面取向率为55％以上，并且靶各部分的晶体惯态面取向率偏差在±20％以内，因而能够将利用该靶而溅射成膜的氧(氮)化膜的厚度的偏差抑制在实用上不存在问题的±7％以内。当晶体惯态面取向率未达到55％时，即使将晶体惯态面取向率偏差抑制在20％以内，其他面会占优势，这些面产生偏差时，氧(氮)化膜的膜厚也会产生偏差。
靶的腐蚀面的平均粗糙度Ra设定为0.01-2μm。因此通过减少靶表面附近的被溅射的速度快的加工损坏层而在提前达成稳定的溅射率，能够减少老化所需的溅射量、即累计电力量。
另一方面，期望的是，靶的非腐蚀面的平均粗糙度Ra设定为2-50μm。对靶的非腐蚀面、即靶侧面等的因溅射物质飞来而引起不优选的靶物质成膜的部分进行喷砂、蚀刻、形成喷镀覆膜，捕获飞来物质而抑制该物质的剥落。由此能够进一步减少晶片上的颗粒数。
制造本发明的铪合金靶时，对铪合金的熔锭或坯段进行热锻和热轧或冷轧，并且在大气中、真空中或惰性气体气氛中在800-1300℃加热15分钟以上。
组合进行热锻、热轧、冷轧而制成Hf合金的板、块。形成规定的靶形状，根据靶形状不同，也可能在其后进行旋压加工等。在这些塑性加工的中途和最后，在大气中、真空中或惰性气体气氛中进行保持温度800-1300℃、保持时间15分钟以上的热处理。此后根据靶形状进行切削加工，并根据需要进行焊接、EB熔接等而形成规定的靶形状。但是根据靶不同，也有不进行焊接而形成一体型靶的情况。
背板通常使用Al或Al合金、Cu或Cu合金、或者Ti或Ti合金。特别期望的是，在背板上进行焊接时通过扩散接合而进行。由此能够忍耐高输出溅射引起的温度上升。
实施例下面，对于实施例进行说明。本实施例是发明的一个例子，本发明不限定于这些实施例。即包括本发明的技术思想所包含的其他方式和变形。
(实施例1)将Hf-0.23重量％Zr锭在大气中在1200℃下保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行1000℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为35μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe＜0.01、Ni0.25、Cr＜0.01、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.01、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al＜0.1、Si2、P0.2、Cl＜0.05、Ca＜0.01、Ti0.07、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn0.01、Nb＜0.05、Mo0.1、Ag＜0.05、W0.08、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O110、C30、N＜10(以上单位均为重量ppm)。其中，＜n是表示以作为检测界限的n(ppm)没有检测到的情况。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为72％，半径1/2部为80％，外周附近为75％。在靶Hf部的底面的中央部为70％，半径1/2部为78％，外周附近为71％；在1/2厚度部分的中央部为68％，半径1/2部为70％，外周附近为75％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，并在靶侧面上喷砂而将其表面粗糙度最终加工成Ra＝5μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。
另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布(1σ)和颗粒数时，依次为2.0％、12颗粒/晶片、2.5％、8颗粒/晶片、2.4％、15颗粒/晶片，膜厚分布·颗粒数均得到良好的结果。利用该靶制作门绝缘膜的设备得到了良好的特性。
(实施例2)将Hf-300重量ppmZr锭在大气中在1200℃保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行1000℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为70μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe0.1、Ni0.8、Cr0.02、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.01、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al＜0.1、Si0.5、P0.1、Cl＜0.05、Ca＜0.01、Ti0.5、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn0.01、Nb＜0.05、Mo4、Ag＜0.05、W0.02、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O80、C60、N＜10(以上单位均为重量ppm)。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为63％，半径1/2部为61％，外周附近为70％。在靶的背面的中央部为59％，半径1/2部为63％，外周附近为69％，在1/2厚度部分的中央部为66％，半径1/2部为60％，外周附近为63％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.25μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝10μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。
另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布和颗粒数时，依次为1.5％、15颗粒/晶片、2.3％、17颗粒/晶片、2.3％、20颗粒/晶片，膜厚分布和颗粒数都得到良好的结果。
(实施例3)将Hf-4.7重量％Zr锭在大气中在1200℃保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行900℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为10μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe0.04、Ni0.02、Cr＜0.01、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.02、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al12、Si0.9、P0.2、Cl0.1、Ca＜0.01、Ti0.09、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn0.03、Mo0.1、Ag＜0.05、W0.15、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O80、C60、N＜10(以上单位均为重量ppm)。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为73％，半径1/2部为72％，外周附近为69％。在靶的背面的中央部为65％，半径1/2部为72％，外周附近为66％，在1/2厚度部分的中央部为69％，半径1/2部为67％，外周附近为70％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.25μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝5μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至7kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。
另外，以至7kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布和颗粒数时，依次为2.8％、13颗粒/晶片、3.2％、17颗粒/晶片、2.3％、24颗粒/晶片，膜厚分布和颗粒数均得到良好的结果。
(实施例4)将Hf-1重量％Ti锭在大气中在1200℃保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行900℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为60μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe0.04、Ni0.02、Cr＜0.01、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.02、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al12、Si0.9、P0.2、Cl0.1、Ca＜0.01、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn0.03、Nb＜0.05、Zr20、Mo0.1、Ag＜0.05、W0.15、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O80、C60、N＜10(以上单位均为重量ppm)。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为63％，半径1/2部为64％，外周附近为68％。在靶的背面的中央部为60％，半径1/2部为69％，外周附近为64％，在1/2厚度部分的中央部为70％，半径1/2部为65％，外周附近为71％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝7μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。
另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布(1σ)和颗粒数时，依次为1.5％、18颗粒/晶片、1.9％、20颗粒/晶片、2.4％、21颗粒/晶片，膜厚分布和颗粒数均得到良好的结果。
(实施例5)对于与实施例1相同的锭以及进行过塑性加工·热处理的靶，施加250-600℃、100-2000Kgf/cm2的温度和压力，并向诸如A5052或A6061的高强度Al合金上进行扩散接合而加工成靶形状。利用该靶即使以10kW的输出进行溅射，也能得到与实施例1相同的成膜结果，但是将In作为焊料而进行钎焊的焊接法中，In熔出而使靶剥离。其中，扩散接合到高强度Cu合金上时，需要施加250-950℃、100-2000Kgf/cm2的温度和压力而接合。
(比较例1)将Hf-50重量ppmZr锭在大气中在1200℃保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行1000℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为350μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe＜0.01、Ni0.10、Cr＜0.01、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.01、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al＜0.1、Si1.5、P0.3、Cl＜0.05、Ca＜0.01、Ti0.16、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn0.01、Nb＜0.05、Mo3、Ag＜0.05、W0.08、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O80、C40、N＜10(以上单位均为重量ppm)。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为69％，半径1/2部为75％，外周附近为74％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝6μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。
当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布(1σ)和颗粒数时，依次为2.2％、150颗粒/晶片、1.5％、210颗粒/晶片、1.9％、260颗粒/晶片，膜厚分布虽然良好，但是颗粒数较多，不适于实用。
(比较例2)将Hf-15重量％Zr锭在大气中在1300℃保持一个小时并进行热锻。但是由于锻造时变形量非常小，因而需要在锻造中进行多次再加热。并且塑性加工成板状时，由于耗时和成本非常大而不能在商业上实用。
(比较例3)将Hf-0.19重量％Zr锭在大气中在1200℃保持一个小时并进行热锻。接着在1000℃保持1个小时并通过热轧形成圆板状后，在大气中进行1000℃×1小时的热处理。此时的平均结晶粒径为55μm。并且杂质量如下。
Na＜0.01、K＜0.01、Fe3、Ni8、Cr1.5、U＜0.001、Th＜0.001、Li＜0.01、Be＜0.01、Mg＜0.01、Al＜0.1、Si2.1、P0.3、Cl＜0.05、Ca＜0.01、Ti0.07、Mn＜0.01、Cu＜0.05、Zn＜0.01、Nb＜0.05、Mo2、Ag＜0.05、W0.13、Au＜0.05、Hg＜0.05、Pb＜0.01、Bi＜0.01、O120、C200、N＜10(以上单位均为重量ppm)。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为69％，半径1/2部为75％，外周附近为74％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝6μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。
另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布(1σ)和颗粒数时，依次为2.2％、12颗粒/晶片、1.5％、20颗粒/晶片、1.9％、25颗粒/晶片，膜厚分布·颗粒数都良好，但是，由于具有利用该靶而形成的门绝缘膜的设备的特性的偏差大，因而不能制造集成电路。
(比较例4)对从与实施例1相同的锭切出的部分，省略热锻工序而在1000℃保持一个小时后，通过热轧形成圆板状，然后在大气中进行1000℃×1个小时的热处理。因此，组成( Hf-0.23重量％Zr)、杂质量均与实施例1相同。
此时的结晶粒径为65μm，晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为75％，半径1/2部为35％，外周附近为45％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，并在靶侧面上喷砂而将表面粗糙度最终加工成Ra＝5μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。虽然以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值，但是5kWH、20kWH时的膜厚分布为20％、18％，偏差大而不能实用。
(比较例5)将从与实施例1相同的锭切出并进行相同的塑性加工·热处理的部分加工成靶。此时的平均结晶粒径为35μm。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为75％，半径1/2部为64％，外周附近为66％。在靶的背面的中央部为74％，半径1/2部为68％，外周附近为73％，在1/2厚度部分的中央部为63％，半径1/2部为65％，外周附近为69％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度最终加工成Ra＝0.3μm，靶侧面进行车销而将表面粗糙度最终加工成Ra＝1.5μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfO膜。当以至5kWH的累计电力量成膜时，膜厚成为一定值。另外，以至5kWH、20kWH、100kWH进行成膜而测量膜厚分布(1σ)和颗粒数时，依次为2.0％、12颗粒/晶片、2.5％、35颗粒/晶片、2.4％、105颗粒/晶片，膜厚分布虽然良好，但是颗粒数随着靶的使用而增加。
(比较例6)将从与实施例1相同的锭切出并进行相同的加工·热处理的部分加工成靶。此时的平均结晶粒径为42μm。
此时的晶体惯态面取向率，在靶表面上的中央部为65％，半径1/2部为71％，外周附近为72％。在靶的背面的中央部为63％，半径1/2部为73％，外周附近为67％；在1/2厚度部分的中央部为60％，半径1/2部为63％，外周附近为65％。
制成如下的靶将该靶表面的表面粗糙度通过车削最终加工成Ra＝1.7μm，靶侧面进行喷砂处理而将最终加工成Ra＝1.5μm。
利用该靶在直径为200mm的Si晶片上形成HfON膜。累计电力量施加至20kWH，膜厚成为一定值。
本发明，具有以下优秀的效果可得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶。
权利要求
1.一种铪合金靶，其特征在于，Hf中包含总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方。
2.根据权利要求1所述的铪合金靶，其特征在于，平均结晶粒径为1-100μm。
3.根据权利要求1或2所述的铪合金靶，其特征在于，作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，{002}和从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，靶的腐蚀面的平均粗糙度Ra为0.01-2μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的铪合金靶，其特征在于，靶的非腐蚀面的平均粗糙度Ra为2-50μm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，对铪合金的熔锭或坯段进行热锻和热轧或冷轧，并且在大气中、真空中或惰性气体气氛中在800-1300℃加热15分钟以上。
8.根据权利要求7所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，通过扩散接合焊接到背板上。
9.根据权利要求8所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，作为背板使用Al或Al合金、Cu或Cu合金、或者Ti或Ti合金。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的铪合金靶的制造方法，其特征在于，靶的侧面等非腐蚀面通过喷砂、蚀刻、形成喷镀覆膜而使平均粗糙度Ra为2-50μm。
全文摘要
一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。
文档编号H01L21/316GK1759202SQ20048000625
公开日2006年4月12日 申请日期2004年1月21日 优先权日2003年3月7日
发明者冈部岳夫, 入间田修一, 山越康广, 宫下博仁, 铃木了 申请人:株式会社日矿材料