专利名称：带屏蔽的真空断路器室的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于中压开关设备的带屏蔽的真空断路器室。已知在紧凑结构中为真空断路器室装备烧损用于大量短路电流切断的一个防烧损屏蔽。真空断路器室被用于低压技术、中压技术和高压技术中。
上述用于真空断路器室的屏蔽主要由材料铜和/或精炼钢构成。对于主要用于低压技术、中压技术或高压技术中的真空断路器室，在紧凑结构的真空断路器室中，包围电路系统的屏蔽被很高地热加载。这个加载来源于金属蒸气电弧的等离子辐射，并且在磨损的弧中通过与屏蔽的直接接触而产生。
在最后提到的那种情况下，防烧损材料是有利的。在大量应用中，短路电流切断的可实现数量受到精炼钢屏蔽或铜屏蔽的熔断的限制。在要求短路电流切断的数量特别高的情况下，通过使用铜铬气缸管截面(复合材料-铜铬)而增强包围接触系统的屏蔽。已知，屏蔽由铬含量大于15％重量的复合材料铜铬构成。此外，出于成本的原因，不使用由CuCr构成的附加屏蔽。
而且，为此已知通过粉末烧结处理形成的铜铬屏蔽的烧结处理。为此，对于不同直径，用于生成生坯的挤压工具是必需的。随后，通过在氢环境、惰性气体环境或真空环境中在摄氏1000度左右温度下烧结生坯而实现紧密材料的生产。
另一种方法是等离子金属喷镀，即用于涂覆铜铬层的热处理。等离子金属喷镀通过有利的方式，基于铬在惰性气体环境中强的吸气效应来执行。但是，不可避免的是喷镀层中更高的气体含量。
另一种方法是所谓的MLC处理。这使用于生成真空断路器室屏蔽或真空断路器室接触块的板形(Blechform)的处理。
这在DE 19747242 C2中已知。
通过铜铬屏蔽的使用，用于构造紧凑真空断路器室的设计带宽更大了。但这样会带来真空断路器室更高的成本。
发明内容
本发明的任务在于增加可能的短路电流切断的数量。
根据本发明，在相应类型的真空断路器室中通过权利要求1中特征部分中的特征来实现所列出的任务。
其他有利实施方式在从属权利要求中给出。
可通过根据本发明地使用低合金的铜材料来避免上述缺点，其中根据已知的成型法深冲或挤压，用低合金的铜材料生成防烧损的屏蔽。
为了提高屏蔽的防烧损性能，由低合金的铜材料，例如具有铬或锆的铜合金，制造预制(einbaufertig)的屏蔽。铬含量在＞0和5％重量之间的范围中。有利地，由成分为Cr0.8、Zr0.08和其余为铜的普通合金CuCrZr(2.1293)生产屏蔽。
本发明的核心是，整个屏蔽由低合金的、并因此防烧损的合金构成，其中这种合金由铬和/或锆在0和10％重量之间的铜构成。
在另一有利实施方式中，屏蔽由CuCrZr合金构成，成分为Cr0.8，Zr0.08和其余的铜，或者由CuCrAgFeTiSi合金构成。
随后可以通过一种标准造型方法(例如深冲)生成屏蔽。因此，可以避免附加的工作次序，例如制造防烧损的附加屏蔽部件或构件的涂敷。
在另一有利实施方式中，真空断路器室的屏蔽只是部分地由合金生产。
在另一有利实施方式中，除了根据上述内容而制造的屏蔽之外，还附加地包括屏蔽涂层，在这个屏蔽涂层中，在铜中可以合金化或包含其他元素，即钨和/或钼和/或铂和/或铬和/或钇和/或钯和/或银。
本发明被表示在附图中，并且以下对其进行详细描述。
具体实施例方式
在附图中显示了包围接触系统的屏蔽部分。屏蔽部件10可以如图所示地被构造为屏蔽的一部分，或也可以被构造为完整屏蔽。此外，通过选择上述合金中的一种，存在这样的可能性，即在深冲时或在将材料挤压到屏蔽部件10上时在部件上形成卷边(20)。
权利要求
1.用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室，其特征在于，整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成，其中所述合金由具有0.01和10％重量的铬和/或锆的铜构成。
2.用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室，其特征在于，整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成，其中所述合金由具有0.1到0.5％重量的铬和/或银的铜构成。
3.根据权利要求1的真空断路器室，其特征在于，所述屏蔽由CuCrZr合金构成，成分为Cr0.8Zr0.08和其余的铜。
4.根据权利要求2或3的真空断路器室，其特征在于，所述屏蔽由CuCrAgFeTiSi合金构成，成分为Cr0.5Ag0.1和富集FeTiSi和其余的铜。
5.根据权利要求1，2或3的真空断路器室，其特征在于，所述屏蔽只有一部分由上述成分构成。
6.根据前述权利要求中任一项的真空断路器室，其特征在于，附加地具有涂层的屏蔽由具有合金成分钨和/或钼和/或铂和/或铬和/或钇和/或钯和/或银的铜构成。
全文摘要
本发明涉及根据权利要求1的用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室。本发明的目的是增大可能的短路电流切断的数量。为此，整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成，其中所述合金由具有0.01到10％重量的铬和/或锆的铜、或者由具有0.1到0.5％重量的铬和/或银的铜构成。
文档编号H01H33/66GK1918683SQ200580004695
公开日2007年2月21日 申请日期2005年2月11日 优先权日2004年2月11日
发明者迪特玛尔·根茨克 申请人:Abb技术股份公司