专利名称：基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及的是一种微电子技术领域的器件的制作方法，具体是一种基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法。
背景技术：
近年来，随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，特别是以三维非硅材料为主的准-LIGA加工技术成为当前国际上研制微型化多层结构微器件及射频—微机电系统(RF-MEMS)器件的一种最先进的技术。在国际上，采用MEMS技术研制三维结构磁性薄膜微电感器件应运而生。另一方面，由于非晶、纳米晶软磁材料的新进展，国内外采用非晶和纳米晶软磁材料做磁芯制造大型功率变压器、脉冲变压器、磁开关等正在走向商业化。鉴于磁性薄膜微电感器件是磁芯结构，磁芯材料的选择对提高电感器件的性能是极其关键的(1)高磁导率来获得大电感量；(2)高饱和磁感应强度以保证高饱和电流；(3)高电阻率以降低涡流损耗。另外，磁性薄膜微电感器件要求具有封闭的磁路结构，以减少漏磁通。因此，选用高磁导率、高饱和磁感应强度和高电阻率的非晶和纳米晶软磁材料做磁芯，是提高磁性薄膜微电感器件特性的关键。
经对现有技术的文献检索发现，Kim等(C.S.Kim，S.Bae，S.E.Nam，H.J.Kim)在《IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS》(美国电气和电子工程师学会磁学杂志)(VOL.37，NO.4，pp.2894-2896，JULY，2001)上发表了“Fabrication of high frequency DC-DC converter using Ti/FeTaN filminductor”(用于高频DC-DC变换器的Ti/FeTaN薄膜电感)一文，该文提及了由双矩形纳米晶FeTaN薄膜构成的平面螺旋型微电感器件，尺寸为7.8mm×10mm，在2MHz下电感量为1.6μH，品质因子为2.3。该微电感由玻璃衬底、底层FeTaN薄膜、SiO2绝缘层、铜平面螺旋线圈、引脚、环氧胶及带有顶层FeTaN薄膜的玻璃衬底组成，作者采用反应溅射方法制备FeTaN薄膜及高温热处理获得高性能的FeTaN薄膜，溅射用的靶材是通过在Fe靶上贴Ta片构成，铜平面螺旋线圈是采用电镀方法制备的，带有顶层FeTaN薄膜的玻璃衬底通过环氧胶与铜平面螺旋线圈构成平面螺旋型微电感器件。Park等(J.W.Park，M.G.Allen)在《IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS》(美国电气和电子工程师学会磁学杂志)(VOL.39，NO.5，pp.3184-3186，SEPTMEMBER，2003)上发表了“Ultralow-profile micromachined powerinductors with highly laminated Ni/Fe coresApplication to low-MegahertzDC-DC converters”(采用多层Ni/Fe磁芯的超低外形的微机械功率电感用于低频MHz的DC-DC变换器)一文，该文提及了由多层Ni/Fe薄膜微电感构成的微型化DC-DC变换器，微电感器件的尺寸为11.5mm×5.7mm，在3MHz下电感量为2.3μH，品质因子为9.2。该微电感由玻璃衬底、磁芯螺线管、引脚组成，磁芯螺线管由底层线圈、磁芯、SU8胶、顶层线圈和连接导体组成，磁芯为电镀的多层Ni/Fe薄膜，作者采用常规的UV光刻技术、化学湿法刻蚀金属Cr、Cu薄膜，成功研制了多层Ni/Fe薄膜磁芯结构螺线管微电感。但至今未见报道将FeCuNbCrSiB薄膜应用于微电感器件的制作。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足和市场对微型化微电感器件的需求，提供一种基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，使得到的微电感器件在高频1～10MHz下具有低电阻、高电感量、高品质因子以及高效率、低损耗等特点，可广泛应用于各种便携式电子产品如手机CDMA、网络产品ADSL、计算机系统/外部设备如个人笔记本电脑中的微处理器和DVD等、数码产品如数码照相机和数码摄像机等。
本发明是通过以下技术方案实现的，本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对清洗干净的玻璃衬底进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工艺解决线圈绕线和连接导体；采用Ar等离子体刻蚀工艺去除电镀用的导体；采用氧化铝薄膜作为线圈与磁芯及匝与匝之间的绝缘材料；采用抛光工艺解决多层工艺中衬底的平整性；采用薄膜技术制备非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜；采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜。
本发明具体制作方法的步骤如下
(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm，甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底单面曝光、显影后，采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，厚度为1μm，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，光刻胶厚度为5～20μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟；双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；然后电镀铜底层线圈，厚度为5～20μm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜，厚度为13～28μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(5)、溅射Cr种子层，厚度为20～30nm；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜，膜厚为3～6μm；甩正胶，光刻胶的厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜，厚度为11～14μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(8)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为5～20μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈光刻胶图形；电镀顶层线圈，厚度为5～20μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层引脚光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10～25μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜，厚度为10～25μm，抛光氧化铝薄膜，直到引脚暴露为止；将得到的微电感器件在真空炉中250℃下磁场退火30分钟。
上述步骤中，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备工艺为非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜是采用磁控溅射方法制备的，首先将高纯度的Fe、Cu、Nb、Cr、Si、B按一定的合金成份配比，采用真空冶炼的方法制成合金，然后制成需要的合金靶材，合金靶材的原子比为Fe(72.5～77.4)Cu(1～4)Nb(1～3)Cr(1～1.3)Si(9.3～13.5)B(7～9)。非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备条件为Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W，Ar流量为13～15SCCM，时间为1～2小时。溅射过程中沿薄膜的横向施加16kA/m的磁场。所制备的非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的成份原子比为Fe(72.5～77.4)Cu(1～4)Nb(1～3)Cr(1～1.3)Si(9.3～13.5)B(7～9)。
Cr/Cu底层的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W，氩气流量为20SCCM。
氧化铝薄膜的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为2.66Pa和2000W，氩气流量为70SCCM。
本发明与现有技术相比，具有以下有益的效果(1)本发明改变了传统采用绕线方法制作磁芯结构螺线管电感器件，而采用薄膜技术和MEMS技术研制磁性薄膜螺线管微电感器件，薄膜技术和MEMS技术可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好；(2)本发明改变了采用湿法刻蚀底层，而采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀底层，避免了湿法刻蚀出现钻蚀现象，得到线圈均匀的导体；(3)本发明采用双面套刻技术，大大提高了光刻套刻的精度，尤其是线圈导体和间距较小时非常重要；(4)本发明采用二次电镀技术电镀连接导体，有效解决了现有技术中电镀连接导体出现的高深宽比的问题；(5)本发明采用精密抛光技术，提高了器件加工工艺过程中基片的平整度，有效地解决了连接导体和线圈之间连接出现断路的问题，同时又解决了器件的均匀性和成品率；(6)本发明采用非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜作为磁芯材料，有利于提高器件的高频性能；(7)本发明制作的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的尺寸小于4mm×4mm，具有工作频率高、高的电感量、高品质因子、低成本及批量化等。
具体实施例方式
以下结合本发明制作方法的内容提供以下实施例。
实施例1(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm，甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底单面曝光、显影后，采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，厚度为1μm，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；然后电镀铜底层线圈，厚度为5μm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜，厚度为13μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(5)、溅射Cr种子层，厚度为20nm；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜，膜厚为3μm；甩正胶，光刻胶的厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜，厚度为11μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；
(8)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈光刻胶图形；电镀顶层线圈，厚度为5μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层引脚光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜，厚度为10μm，抛光氧化铝薄膜，直到引脚暴露为止；将得到的微电感器件在真空炉中250℃下磁场退火30分钟。
上述步骤中，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备工艺为非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜是采用磁控溅射方法制备的，首先将高纯度的Fe、Cu、Nb、Cr、Si、B按一定的合金成份配比，采用真空冶炼的方法制成合金，然后制成需要的合金靶材，合金靶材的原子比为Fe(72.5)Cu(1)Nb(3)Cr(1)Si(13.5)B(9)。非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备条件为Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W，Ar流量为13～15SCCM，时间为1～2小时。溅射过程中沿薄膜的横向施加16kA/m的磁场。所制备的非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的成份原子比为Fe(72.5)Cu(1)Nb(3)Cr(1)Si(13.5)B(9)。
Cr/Cu底层的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W，氩气流量为20SCCM。
氧化铝薄膜的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为2.66Pa和2000W，氩气流量为70SCCM。
酸性腐蚀液的配方体积比为H3PO4∶CH3COOH∶HNO3∶H2O＝65∶10∶9∶16。
本发明的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件尺寸小于4mm，在高频(1MHz～10MHz)下，微电感器件的电感量大于1μH，最高的品质因子大于2。
实施例2(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm，甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底单面曝光、显影后，采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，厚度为1μm，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，光刻胶厚度为10μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为45分钟；双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；然后电镀铜底层线圈，厚度为10μm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜，厚度为18μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(5)、溅射Cr种子层，厚度为25nm；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜，膜厚为4μm；甩正胶，光刻胶的厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜，厚度为12μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(8)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为10μm，光刻胶烘干温度为91℃，时间为50分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈光刻胶图形；电镀顶层线圈，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层引脚光刻胶图形；电镀引脚，厚度为15μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜，厚度为15μm，抛光氧化铝薄膜，直到引脚暴露为止；将得到的微电感器件在真空炉中250℃下磁场退火30分钟。
上述步骤中，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备工艺为非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜是采用磁控溅射方法制备的，首先将高纯度的Fe、Cu、Nb、Cr、Si、B按一定的合金成份配比，采用真空冶炼的方法制成合金，然后制成需要的合金靶材，合金靶材的原子比为Fe(75)Cu(1)Nb(2)Cr(1)Si(12)B(9)。非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备条件为Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W，Ar流量为13～15SCCM，时间为1～2小时。溅射过程中沿薄膜的横向施加16kA/m的磁场。所制备的非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的成份原子比为Fe(75)Cu(1)Nb(2)Cr(1)Si(12)B(9)。
Cr/Cu底层的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W，氩气流量为20SCCM。
氧化铝薄膜的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为2.66Pa和2000W，氩气流量为70SCCM。
酸性腐蚀液的配方体积比为H3PO4∶CH3COOH∶HNO3∶H2O＝65∶10∶9∶16。
本发明的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件尺寸小于4mm，在高频(1MHz～10MHz)下，微电感器件的电感量大于1μH，最高的品质因子大于2。
实施例3(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm，甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底单面曝光、显影后，采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，厚度为1μm，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，光刻胶厚度为20μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；然后电镀铜底层线圈，厚度为20μm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜，厚度为28μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(5)、溅射Cr种子层，厚度为30nm；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜，膜厚为6μm；甩正胶，光刻胶的厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜，厚度为14μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止；(8)、溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为20μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈光刻胶图形；电镀顶层线圈，厚度为20μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层引脚光刻胶图形；电镀引脚，厚度为25μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜，厚度为25μm，抛光氧化铝薄膜，直到引脚暴露为止；将得到的微电感器件在真空炉中250℃下磁场退火30分钟。
上述步骤中，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备工艺为非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜是采用磁控溅射方法制备的，首先将高纯度的Fe、Cu、Nb、Cr、Si、B按一定的合金成份配比，采用真空冶炼的方法制成合金，然后制成需要的合金靶材，合金靶材的原子比为Fe(77)Cu(2)Nb(2)Cr(1)Si(10)B(8)。非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备条件为Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W，Ar流量为13～15SCCM，时间为1～2小时。溅射过程中沿薄膜的横向施加16kA/m的磁场。所制备的非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的成份原子比为Fe(77)Cu(2)Nb(2)Cr(1)Si(10)B(8)。
Cr/Cu底层的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W，氩气流量为20SCCM。
氧化铝薄膜的制备工艺为基底的真空为4×10-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为2.66Pa和2000W，氩气流量为70SCCM。
酸性腐蚀液的配方体积比为H3PO4∶CH3COOH∶HNO3∶H2O＝65∶10∶9∶16。
本发明的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件尺寸小于4mm，在高频(1MHz～10MHz)下，微电感器件的电感量大于1μH，最高的品质因子大于4。
权利要求
1.一种基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征在于，具体步骤如下(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，甩正胶、曝光、显影，刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；电镀底层线圈；甩正胶，双面套刻曝光与显影，电镀铜连接导体；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；(5)、溅射Cr种子层，溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜；甩正胶，双面套刻曝光与显影，刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀连接导体；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；(8)、溅射Cr/Cu底层；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀顶层线圈；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；将得到的微电感器件在真空炉中磁场退火。
2.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件，其特征是，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备工艺为采用磁控溅射方法制备非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜，首先将高纯度的Fe、Cu、Nb、Cr、Si、B采用真空冶炼的方法制成合金，然后制成需要的合金靶材，合金靶材的原子比为Fe 72.5～77.4，Cu 1～4，Nb 1～3，Cr 1～1.3，Si 9.3～13.5，B 7～9，非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的制备条件为Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W，Ar流量为13～15SCCM，时间为1～2小时，溅射过程中沿薄膜的横向施加16kA/m的磁场，所制备的非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的成份原子比为Fe 72.5～77.4，Cu 1～4，Nb 1～3，Cr 1～1.3，Si 9.3～13.5，B 7～9。
3.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(1)中，在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm，甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底单面曝光、显影后，采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，厚度为1μm，得到双面套刻对准符号。
4.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤(2)中，在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm；步骤(3)中，甩正胶，光刻胶厚度为5～20μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟；双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；然后电镀铜底层线圈，厚度为5～20μm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层。
5.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(4)中，溅射氧化铝薄膜，厚度为13～28μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止。
6.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(5)中，溅射Cr种子层，厚度为20～30nm；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜，膜厚为3～6μm；甩正胶，光刻胶的厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶。
7.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(6)中，溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层。
8.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(7)中，溅射氧化铝薄膜，厚度为11～14μm；抛光氧化铝薄膜，直到连接导体暴露为止。
9.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(8)中，溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为5～20μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈光刻胶图形；电镀顶层线圈，厚度为5～20μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层引脚光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10～25μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层。
10.如权利要求1所述的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征是，步骤(9)中，溅射氧化铝薄膜，厚度为10～25μm，抛光氧化铝薄膜，直到引脚暴露为止；最终得到基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件；将得到的微电感器件在真空炉中250℃下磁场退火30分钟。
全文摘要
一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜和刻蚀FeCuNbSiB磁性薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体；去正胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
文档编号H01F41/18GK1812020SQ20061002389
公开日2006年8月2日 申请日期2006年2月16日 优先权日2006年2月16日
发明者周勇, 丁文 申请人:上海交通大学