专利名称：运用通孔环实现的片上层叠电感及其实现方法
技术领域：
本发明涉及一种片上层叠电感，尤其涉及一种运用通孔环实现的片上 层叠电感。本发明还涉及一种实现所述片上层叠电感的方法。
背景技术：
为了提高射频CMOS工艺中片上电感的品质因数， 一般采用片上层叠 电感来实现，现有技术中所采用的片上层叠电感一般是使用通孔阵列来实
现多层金属之间的连接的，其具体结构如下包括多层由金属条绕制而成 电感线圈，每层金属电感线圈上都形成有多个通孔阵列，其俯视图和局部
放大图可参见图la和图lb。虽然现有技术中的这种层叠电感能减少电感 的电阻，等效增加金属的厚度，从而能从一定程度上提高片上电感的品质 因数，但是这种连接方式会造成一定的电场泄漏，因此影响了电感的品质 因数。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种运用通孔环实现的片上层叠电 感，可减少电场泄漏，减少通孔的电阻的影响，从而提高片上电感的品质 因数。为此本发明还提供一种实现所述片上层叠电感的方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种运用通孔环实现的片t层叠 电感，包括多层由金属条绕制而成电感线圈，其特征在于，每层金属电感 线圈上都沿着所述金属条形成有多条平行放置的呈缝隙状的条形，即通孔
环，其中每层金属电感线圈上的通孔环形状相同。
本发明还提供一种实现所述层叠电感的方法，包括以下步骤首先， 使用金属条形成最顶层的电感线圈；然后，在该顶层电感线圈上形成第一 通孔环；接着，再使用金属条形成次顶层电感线圈；随后，在该次顶层电 感线圈上形成与第一通孔环相同形状的第二通孔环；然后，依此类推，直 到达到片上层叠电感所需要的达到的金属层数为止。
本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过采用 通孔环来连接多层金属，有效克服了通孔电阻大的缺点，同时减少了电场 泄漏和各金属层间的负互感值，从而有效提高了片上电感的品质因数。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图la为现有技术中的片上层叠电感的一个实施例的俯视示意图lb为图la所示片上层叠电感的局部放大图2为本发明所述片上层叠电感的一个实施例的切面示意图3a为本发明所述片上层叠电感的一个实施例的俯视示意图
图3b为图3a所述片上层叠电感的局部放大图。
具体实施例方式
如图2所示为本发明所述片上层叠电感的一个实施例的切面示意图， 所述片上层叠电感包括多层由金属条绕制而成电感线圈，每层金属电感线 圈上都沿着所述金属条形成有多条平行放置的呈缝隙状的条形，即通孔 环，其中每层金属电感线圈上的通孔环形状相同，其俯视图和局部放大图
可参见图3a和图3b。这样就实现了将片上层叠电感内的多层金属通过通 孔环的方式连接在了一起，从而有效克服了通孔电阻大的缺点，同时减少 了电场泄漏和各金属层间的负互感值，从而有效提高了片上电感的品质因 数。
相应的，实现本发明所述片上层叠电感的方法如下首先，使用金属 条形成最顶层的电感线圈；然后，在该顶层电感线圈上形成第一通孔环； 接着，再使用金属条形成次顶层电感线圈；随后，在该次顶层电感线圈上 形成与第一通孔环相同形状的第二通孔环；然后，依此类推，直到达到片 上层叠电感所需要的达到的金属层数为止。通过上述方法实现的层叠电感
可用在RF C0MS及Bi-CMOS等工艺中。
权利要求
1、一种运用通孔环实现的片上层叠电感，包括多层由金属条绕制而成电感线圈，其特征在于，每层金属电感线圈上都沿着所述金属条形成有多条平行放置的呈缝隙状的条形，即通孔环，其中每层金属电感线圈上的通孔环形状相同。
2、 一种权利要求l所述片上层叠电感的实现方法，其特征在于，包 括以下步骤首先，使用金属条形成最顶层的电感线圈；然后，在该顶层 电感线圈上形成第一通孔环；接着，再使用金属条形成次顶层电感线圈； 随后，在该次顶层电感线圈上形成与第一通孔环相同形状的第二通孔环; 然后，依此类推，直到达到片上层叠电感所需要的达到的金属层数为止。
全文摘要
本发明公开了一种运用通孔环实现的片上层叠电感及其实现方法，可减少电场泄漏，减少通孔的电阻的影响，从而提高片上电感的品质因数。所述片上层叠电感包括多层由金属条绕制而成电感线圈，每层金属电感线圈上都沿着所述金属条形成有多条平行放置的呈缝隙状的条形，即通孔环，其中每层金属电感线圈上的通孔环形状相同。
文档编号H01F17/00GK101202149SQ20061011955
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者徐向明, 曾令海 申请人:上海华虹Nec电子有限公司