专利名称：Flash芯片的清洗制程的制作方法
技术领域：
本发明的Flash芯片制程，具体地说，涉及Flash芯片的清洗制程。
背景技术：
Flash芯片的结构包括金属层，介电层及储存器件。介电层用于隔离金属层 和储存器件。由于蚀刻的过程中，芯片表面的沟槽的侧壁内和底部残留一些聚 合物，所以蚀刻制程后设有湿式清洗制程以去除残留的聚合物。在清洗制程中， 首先将多个芯片置于一个承载装置上，并浸入清洗液清洗。目前常用的清洗液 是碱性清洗液。
在清洗制程中，清洗液通常是在清洗几批芯片后定期更换。由于一批芯片 清洗后会在清洗液中残留很多的聚合物与离子，当另外一批芯片清洗的时候会 造成交叉污染，造成离子残留在芯片表面图案的沟槽中。在后续制程中，这些 离子会扩散到储存器件内影响储存器件的数据保持能力。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Flash芯片的清洗制程，其可以有效防止清洗 液中的残留物污染影响储存器件操作性能。
为实现上述目的，本发明提供一种Flash芯片的清洗制程，其包括如下步 骤将芯片以单片式清洗机台清洗，清洗液清洗完一片芯片后就排掉不再重复 使用。
与原有技术相比，本发明的Flash芯片的清洗制程对芯片以单片式清洗机 台清洗，而且清洗液清洗完一个芯片后就更新，这样可以有效防止芯片在清洗 过程的交叉污染。此外，采用弱碱清洗液可以更为彻底的清除残留在芯片表面 凹槽侧壁和底部的聚合物与离子，有效防止离子扩散到储存器件内影响器件操 作性能。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的
目的、具体结构特征和优点。其中，附图为 图1为本发明Flash芯片的结构示意图； 图2为本发明Flash芯片的数据保持能力测试结果示意图。'
具体实施例方式
请参阅图l，本发明Flash芯片包括金属层1，介电层2及储存器件3。介 电层2用于隔离金属层1和储存器件3。
本发明的Flash芯片清洗制程中，将芯片以单片式清洗机台清洗，清洗液 清洗完一片芯片后就排掉不再重复使用。
本发明制程中的清洗液为水基清洗液。在本发明较佳实施例中采用的清洗 液是弱碱清洗液ST250。
请参阅图2,该图表的左側为采用单片式清洗机台佐以弱碱清洗液ST250清 洗的测试结果，右侧是现有技术中采用多片式清洗机台附加碱性清洗液ACT940 清洗的检测结果。橫坐标为芯片的个数，纵坐标为数据保持能力失败率。
清洗后对芯片性能进行检测，采用单片式清洗机台佐以弱碱清洗液ST250 清洗后，Flash芯片的数据保持能力失败率为零。
权利要求
1、一种Flash芯片的清洗制程，其特征在于，将芯片以单片式清洗机台清洗，清洗液清洗完一片芯片后就排掉不再重复使用。
2、 如权利要求1所述的Flash芯片的清洗制程，其特征在于所述的清洗液为 弱碱清洗液。
全文摘要
本发明提供一种Flash芯片的清洗制程，其包括如下步骤将芯片以单片式清洗机台佐以弱碱清洗液清洗。与原有技术相比，本发明的Flash芯片的清洗制程对芯片以单片式清洗机台清洗，而且清洗液清洗完一个芯片后就更新，这样可以有效防止芯片在清洗过程的交叉污染。此外，采用弱碱清洗液可以更为彻底的清除残留在芯片表面凹槽侧壁和底部的聚合物与离子，有效防止离子扩散到储存器件内影响器件操作性能。
文档编号H01L21/00GK101202202SQ200610119539
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者弓 张, 曾坤赐, 杜学东, 陈玉文 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司