专利名称：半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程，更详细地说，是关于一具有高崩溃电压的半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程。
背景技术：
在半导体电路上制造的电阻通常是借由基板中所形成的一深井而形成。请参照图1以及图2，图1是为现有的半导体电阻1的俯视图，图2是绘示沿图1的A-A断面线实质上所取得的半导体电阻1的部分的侧视断面图。半导体电阻1包含一P型基板10、一N型深井11以及一使用p型离子掺杂的掺杂区12。与N型深井11相邻的掺杂区12可用以确保半导体电阻1的崩溃电压在一固定值。
然而，为了改进半导体电阻1的崩溃电压，现有的作法是减少N型深井11的离子浓度。因此，必须利用额外的掩模及制程来制造具有减少离子浓度的半导体电阻1，此将会增加制造成本。同时，利用上述现有做法制造的半导体电阻1会具有大的偏异量(variation)及较大的电压系数(voltage coefficient)。
综上所述，改进半导体电阻的高崩溃电压而无需额外掩模和制程来增加成本即为此产业需要努力及改善的目标。
发明内容
本发明的一目的是在于提供一种具有一崩溃电压的半导体电阻。该半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。该基板是用第一型离子掺杂。该深井是用第二型离子掺杂，且形成在该基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与该深井分离一距离。第一型离子及第二型离子是为互补，且调整该深井与该掺杂区间的距离可调整该崩溃电压。
本发明的另一目的在于提供一种用于形成半导体电阻的半导体制程。该半导体制程包含下列步骤形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，这些接触区其中之一的离子浓度是高于该深井中的离子浓度，且该掺杂区与该深井是分离一距离。
由于采用以上技术方案，本发明提供的一种借由一距离与一深井分离的掺杂区，用以增加半导体电阻的崩溃电压。并且，掺杂区与深井间的距离可调整崩溃电压。此外，本发明无需额外掩模及制程并可减少成本。
在参阅附图及随后描述的实施方式后，该技术领域的技术人员便可了解本发明的其他目的，以及本发明的技术手段及实施形态。
图1为现有半导体电阻的俯视图；图2为现有半导体电阻的断面图；图3为本发明第一实施例的俯视图；图4为本发明第一实施例的断面图；以及图5为本发明第二实施例的流程图。
具体实施例方式
本发明的第一实施例是为图3及图4所绘示的半导体电阻3。图3绘示半导体电阻3的俯视图，且图4是绘示沿图3的B-B断面线实质上所取得的半导体电阻3的部分的侧视断面图。半导体电阻3包含一P型基板31，一N型深井32，二接触区33、34，一掺杂区35以及二电极36，37。P型基板31是用p型离子掺杂。N型深井32是用n型离子掺杂，且形成在P型基板31中。接触区33、34是用n型离子重掺杂，且形成在N型深井32中。掺杂区35是用p型离子掺杂，且与N型深井32分离一距离W。电极36、37分别连接至接触区33、34。
而前段所述的半导体电阻3的参数如下所示。N型深井32的离子浓度的范围是从每平方厘米1E12至每平方厘米5E13，N型深井32的深度的范围是为2至10微米，各个接触区33、34的离子浓度的范围是从每平方厘米1E15至每平方厘米5E16，掺杂区35的离子浓度的范围是从每平方厘米1E12至每平方厘米3E13，掺杂区35的深度的范围是为1至5微米，距离W的范围则为0至20微米。
N型深井32与掺杂区35间的距离W可用以调整半导体电阻3的崩溃电压。当距离W增加时，崩溃电压亦会增加。在每一区的离子浓度及深度确定的条件下，当距离W超过一预定值时，崩溃电压会停止增加。
尽管上述实施例采用p型离子作为P型基板31及掺杂区35的掺杂离子，且采用n型离子当作N型深井32及接触区23、24的掺杂离子。此技术领域的技术人员可轻易理解n型离子及p型离子是为互补。该等p型离子可用n型离子取代，且n型离子也可用p型离子相对应地取代，因此所形成的与第一实施例互补的结构仍具有上述特征。
本发明的第二实施例是为一种用于形成一半导体电阻的半导体制程，如图5所绘示。首先，执行步骤501，在一P型基板中形成含有第一型离子的深井，例如N型深井32。接着，执行步骤502，形成含有第二型离子的掺杂区，例如这些掺杂区35其中之一。步骤501、502可借由在摄氏1000至1200度下热驱入(thermal driving)6至12小时来达成。步骤503则执行用以形成一氧化层。最后，执行步骤504，在深井中形成二个含有第一型离子的接触区，如接触区33、34。
其中第一型离子及第二型离子是为互补，这些接触区其中之一的离子浓度是高于该深井中的离子浓度，且掺杂区与深井是分离一距离。或者是，可在形成该深井前形成该掺杂区，意即可在步骤502后执行步骤501。此外，上述步骤的顺序目的是用于举例。前述步骤的顺序并非用以作为本发明的限制。
综上所述，本发明可提供一具有高崩溃电压的半导体电阻，也提供相对应的半导体制程。一掺杂p型离子的半导体电阻的掺杂区是以一距离与其一N型深井分离，以增加崩溃电压。并且，掺杂区与深井间的距离可用以调整崩溃电压。本发明可在无额外掩模及制程下达到目的。
上述的实施例仅用来例举本发明的实施形态，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的范畴。任何本领域技术人员可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利范围应以权利要求书为准。
权利要求
1.一种具有一崩溃电压的半导体电阻，其特征在于，包含一基板，是用第一型离子掺杂；一深井，是用第二型离子掺杂，且形成在所述基板中；至少二接触区，是用所述第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中；以及一掺杂区，是用所述第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离；其中，所述第一型离子及所述第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离调整所述崩溃电压。
2.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，当所述距离超过一预设值时，所述崩溃电压停止增加。
3.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述深井的离子浓度范围是从每平方厘米1E12至每平方厘米5E13。
4.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述深井的深度范围是为2至10微米。
5.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，各所述接触区的离子浓度范围从每平方厘米1E15至每平方厘米5E16。
6.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述掺杂区的离子浓度范围从每平方厘米1E12至每平方厘米3E13。
7.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述掺杂区的深度范围是为1至5微米。
8.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述距离的范围是为0至20微米。
9.一种用于形成一半导体电阻的半导体制程，其特征在于，包含以下步骤形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有所述第一型离子的至少二接触区；其中，所述第一型离子及所述第二型离子是为互补，所述接触区其中之一的离子浓度是高于所述深井中的离子浓度，且所述掺杂区与所述深井是分离一距离。
10.如权利要求9所述的半导体制程，其特征在于，所述形成深井的步骤还包含以下步骤在摄氏1000至1200度下热驱入6至12小时。
11.如权利要求9所述的半导体制程，其特征在于，所述形成掺杂区的步骤还包含以下步骤在摄氏1000至1200度下热驱入6至12小时。
全文摘要
本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子掺杂，且形成在基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离可用以调整崩溃电压。此外，所述半导体制程包含以下步骤形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。
文档编号H01L21/70GK101051654SQ20071010340
公开日2007年10月10日 申请日期2007年5月8日 优先权日2006年9月7日
发明者蒋秋志, 黄志丰 申请人:崇贸科技股份有限公司