专利名称：针对大锡球的晶圆减薄制程的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制程，具体地说，涉及针对大锡球的晶圓减薄制程。
背景技术：
目前晶背减薄制程如
图1所示，首先在晶圓上生长锡球，在锡球成型以后 再在晶圓上粘贴紫外胶作为保护胶，然后在进行晶背研磨该紫外胶以获取较为 薄的晶圓，采用紫外光照射以去除紫外胶和晶圓之间的粘性，去除紫外胶。
然而，在实际制程中，由于采用的紫外胶保护厚度有效，通常只能粘贴在
100微米的锡球上。如果锡球过大，例如超过200微米，普通的紫外胶则由于厚 度不够而不能达到很好保护锡球的效果。此外，厚度较大的紫外胶的价格太高， 又会大幅增加生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的针对大锡球的晶圆减薄制程，其不会损 伤锡球。
为实现上述目的，本发明提供一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其中，该 制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。
该制程包括如下步骤a.在晶圓上沉积一层金属介质层，并在金属介质层 上覆盖一层光胶层；b.利用光刻法在光胶层开孔；c.在光胶层的开孔内形成 锡球；d.在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。
所述步骤d还包括如下步骤e.去除保护胶及光胶层；f.蚀刻金属以去除 生长锡球之外的金属介质层；g.回流晶圓使锡球成型。
该制程包括如下步骤a.在晶圓上沉积一层金属介质层，并在金属介质层 上覆盖一层光胶层；b.利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；c.蚀 刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；d.在金属介质层的上方粘贴保
护胶，然后进行晶背研磨。
光胶保护区是通过曝光显影工艺去除生长锡球位置以外的光胶而形成。
步骤d还包括如下步骤e.去除保护胶及光胶；f.〗吏用锡球贴装法将锡球 贴到金属介质层上；g.蚀刻金属以去除生长锡球之外的金属介质层；h.回流 晶圆使锡球成型。
与现有技术相比，本发明的制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶， 然后再进行晶背研磨，即使利用普通的紫外胶也能很好地保护大锡球。
附圉说明
通过以下对本发明的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明 的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为
图1为现有技术的针对大锡球的晶圓减薄制程的示意图2为本发明针对大锡球的晶圆减薄制程的示意图3为本发明另一针对大锡球的晶圓减薄制程的示意图。
具体宍施方式
本发明晶背减薄制程并不是在晶圆上的锡球制程结束后再进行，而是在锡 球制程前就贴上保护胶进行晶背研磨。
本发明的第一实施例中的晶背减薄制程包括如下步骤，首先用溅镀法在晶 圓1上沉积一层金属介质层2，然后在金属介质层2上覆盖一层光胶层3，并利 用光刻法在光胶层3上形成开孔。然后在光胶层3的开孔内用电镀法或其他方 法形成锡球4;在光胶层3正面粘贴紫外胶5后进行晶背研磨，然后经过紫外光 照射去除紫外胶5的粘性，去除紫外胶5及光胶3，最后蚀刻金属以去除生长锡 球4之外的金属介质层2，回流晶圓1使锡球4成型，并去除助焊剂。
本发明还提供一个晶背减薄制程的实施例，该晶背减薄制程包括如下步骤， 该制程首先用溅镀法在晶圆1上沉积一层金属介质层2,在金属介质层2上涂布 光胶层3,利用光刻法的曝光显影工艺在要生长锡球4的位置形成光胶保护区； 然后蚀刻光胶保护区以外的金属介质层2，之后去除光胶3，露出金属介质层2， 再在金属介质层2的上方粘贴紫外胶5，然后进行晶背研磨，最后经过紫外光照射去除紫外胶5的粘性以去除紫外胶5，并使用锡球贴装法将锡球4贴到金属介
质层2上，回流晶圓1使锡球4成型，并去除助焊剂。
权利要求
1、一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。
2、 如权利要求1所述的一种针对大锡球的晶圓减薄制程，其特征在于该制程 包括如下步骤a. 在晶圓上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；b. 利用光刻法在光胶层开孔；c. 在光胶层的开孔内形成锡球；d. 在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。
3、 如权利要求2所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于步骤d 还包括如下步骤e. 去除保护胶及光胶层；f. 蚀刻金属以去除生长锡球之外的金属介质层；g. 回流晶圓使锡球成型。
4、 如权利要求3所述的一种针对大锡球的晶圓减薄制程，其特征在于保护胶 为紫外胶。
5、 如权利要求4所述的一种针对大锡球的晶圓减薄制程，其特征在于通过紫 外光照射紫外胶以去除紫外胶的粘性。
6、 如权利要求1所述的一种针对大锡球的晶圓减薄制程，其特征在于该制程 包括如下步骤a. 在晶闺上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；b. 利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；c. 蚀刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；d. 在金属介质层的上方粘贴保护胶，然后进行晶背研磨。
7、 如权利要求6所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于光胶保 护区是通过膝光显影工艺去除生长锡球位置以外的光胶而形成。
8、 如权利要求6所述的一种针对大锡球的晶圓减薄制程，其特征在于步骤d 还包括如下步骤e. 去除保护胶及光胶；f. 使用锡球贴装法将锡球贴到金属介质层上；g. 蚀刻金属以去除生长锡球之外的金属介质层；h. 回流晶圆使锡球成型。
9、 如权利要求8所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于保护胶为紫外胶。
10、 如权利要求9所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于通过紫外光照射紫外胶以去除紫外胶的粘性。
全文摘要
本发明提供一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其中，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。该制程首先在晶圆上沉积一层金属介质层，在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在光胶层开孔；在光胶层的开孔内形成锡球；在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。本发明还提供另一制程，首先在晶圆上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；蚀刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；最后，在金属介质层的上方粘贴保护胶，然后进行晶背研磨。与现有技术相比，本发明即使利用普通的紫外胶也能很好地保护大锡球。
文档编号H01L21/00GK101202201SQ200610119538
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者靳永刚 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司