背凹超减薄晶圆的电性测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域，尤其涉及一种背凹超减薄晶圆的电性检测装置。
【背景技术】
[0002]超薄芯片是指芯片厚度小于ΙΟΟμπι的芯片，目前6英寸的设备只能做到ISOum左右，其对于120um以下的芯片的破片率超过30%。而在280-350μπι厚度的6英寸预减薄晶圆背面中心，减薄出一个5英寸直径的圆，该圆的内部晶圆达到60-90μπι厚度，保留圆外的晶圆材料，支撑晶圆不变形，称其为背凹超减薄晶圆。背凹超减薄片基本避免了各种原因造成的内部应力和脆性损伤，以浪费近28 %的晶圆面积和材料为代价，完全避免了减薄破片。
[0003]但由于圆片背面形貌变化，导致无法进行WAT(Wafer Accpetance Test)测试，无法校正工艺制程。专利CN203733763U公开了一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，其能有效对其电性能进行检测，但是检测过程中水银输送过程中，由于水银的表面张力的作用容易导致水银输送不连续，从而造成检测失败。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是克服现有技术存在现有技术中背凹超减薄晶圆检测过程中水银能够不连续的缺陷，提供一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，包括测试台盘、限位装置、水银筒和液面计；
[0006]所述测试台盘上表面设置有真空槽，所述真空槽与真空源连通，利用真空槽将晶圆固定在所述测试台盘上，所述晶圆背面中心与测试台盘之间形成间隙，所述测试台盘上还设置有贯通所述测试台盘的通孔，所述的测试台盘上表面设置有若干与所述通孔连通的导流槽;所述的限位装置设置在测试台盘上表面，且位于所述真空槽的外侧，所述的水银筒通过管道与所述通孔连通;所述的液面计与所述间隙连通，所述的液面计通过管道与所述水银筒连通，所述液面计与所述水银筒连通的管道上设置有阀门。
[0007]作为优选，为有效定位晶圆，避免产生错位现象，所述的限位装置为圆弧形限位块，所述限位块的弧度与所述晶圆相匹配。
[0008]作为优选，为作为晶圆定位的参照，避免产生错位现象，所述测试台盘上表面还设置有红色边界线，所述的红色边界线与晶圆的平边相匹配。
[0009]作为优选，为便于调节水银筒的高度，还包括用于调节水银筒高度的高度调节架。
[0010]作为优选，为有效使得水银筒内水银进入所述间隙，所述的导流槽数量为8个，且以所述通孔为中心呈米字型设置。
[0011]作为优选，所述的导流槽呈V字形，所述的导流槽最大槽宽为2mm，所述导流槽两侧壁夹角为120°，所述的导流槽长度为50mm。
[0012]作为优选，所述的导流槽由靠近通孔一端朝向远离通孔一端深度逐渐变浅。
[0013]作为优选，为有效监测所述间隙内的水银面的高度，所述的液面计呈U型，且其一端高度低于另一端高度，所述的液面计高度较低一端与所述间隙连通，高度较高一端与大气连通。
[0014]有益效果:本实用新型能够有效减少水银表面张力对测试造成的影响，提高了测试的成功率，能够有效取得WAT参数，可以指导制程改善，提高背凹超减薄晶圆的合格率到96%?98%，提高合格率30% ;避免了工艺波动造成大量报废的发生。
【附图说明】
[0015]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0016]图1是本实用新型测试装置与晶圆配合局部剖视图；
[0017]图2是测试台盘俯视图；
[0018]图3是导流槽截面视图；
[0019]图4是测试台盘与晶圆配合的俯视图。
[0020]其中:1.测试台盘，11.真空槽，12.通孔，13.限位块，14.导流槽，15.红色边界线，
2.液面计，21.阀门，3.水银筒，4.高度调节架，5.晶圆。
【具体实施方式】
[0021 ]实施例
[0022]如图1?4所示，一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，包括测试台盘1、限位装置、水银筒3、液面计2和用于调节水银筒3高度的高度调节架4;
[0023]所述测试台盘I上表面设置有真空槽11，所述真空槽11与真空源连通，利用真空槽11将晶圆5固定在所述测试台盘I上，所述晶圆5背面中心与测试台盘I之间形成间隙，所述测试台盘I上还设置有贯通所述测试台盘I的通孔12，所述的测试台盘I上表面设置有8个与所述通孔12连通的导流槽14，且8个所示导流槽14以所述通孔12为中心呈米字型设置;所述的限位装置设置在测试台盘I上表面，且位于所述真空槽11的外侧，所述的限位装置为圆弧形限位块13，所述限位块13的弧度与所述晶圆5相匹配，所述测试台面上表面还设置有红色边界线15，所述的红色边界线15与晶圆5的平边相匹配;所述的水银筒3通过管道与所述通孔12连通;所述的液面计2呈U型，且其一端高度低于另一端高度，所述的液面计2高度较低一端与所述间隙连通，高度较高一端与大气连通，所述的液面计2通过管道与所述水银筒3连通，所述液面计2与所述水银筒3连通的管道上设置有阀门21。
[0024]进一步地，所述的导流槽14呈V字形，所述的导流槽14最大槽宽为2mm，所述导流槽14两侧壁夹角为120°，所述的导流槽14长度为50mm。所述的导流槽14由靠近通孔12—端朝向远离通孔12—端深度逐渐变浅。
[0025]利用上述装置进行测试过程如下:将内凹超减薄晶圆5的平边对准红色边界线15，并使其一侧贴紧限位块13，真空槽11连通真空源，通过真空槽11固定住晶圆5;关闭液面计2下方阀门21，调节高度调节支架，使水银筒3升高，使水银筒3内水银液面与液面计2的液面等高并且不超过晶圆5表面，水银会从测试台盘I通孔12进入并充满所述间隙，所述间隙内的空气和多余水银从液面计2排出，保持水银与晶圆5下表面接触，形成电信号的导通，开始测试。
[0026]完成电学测试，打开液面计2下方阀门21，降低水银筒3，使水银筒3内液面低于测试台盘I表面，完成释放水银和空腔充气，关闭真空源，取下晶圆5。
[0027]应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:包括测试台盘(I)、限位装置、水银筒(3)和液面计(2); 所述测试台盘(I)上表面设置有真空槽(U)，所述真空槽(11)与真空源连通，利用真空槽(11)将晶圆(5)固定在所述测试台盘(I)上，所述晶圆(5)背面中心与测试台盘(I)之间形成间隙，所述测试台盘(I)上还设置有贯通所述测试台盘(I)的通孔(12)，所述的测试台盘(I)上表面设置有若干与所述通孔(12)连通的导流槽(14);所述的限位装置设置在测试台盘(I)上表面，且位于所述真空槽(11)的外侧，所述的水银筒(3)通过管道与所述通孔(12)连通;所述的液面计(2)与所述间隙连通，所述的液面计(2)通过管道与所述水银筒(3)连通，所述液面计(2)与所述水银筒(3)连通的管道上设置有阀门(21)。2.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述的限位装置为圆弧形限位块(13)，所述限位块(13)的弧度与所述晶圆(5)相匹配。3.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述测试台盘(1)上表面还设置有红色边界线(15)，所述的红色边界线(15)与晶圆(5)的平边相匹配。4.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:还包括用于调节水银筒(3)高度的高度调节架(4)。5.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述的导流槽(14)数量为8个，且以所述通孔(12)为中心呈米字型设置。6.根据权利要求5所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述的导流槽(14)呈V字形，所述的导流槽(14)最大槽宽为2mm，所述导流槽(14)两侧壁夹角为120°，所述的导流槽(14)长度为50mm。7.根据权利要求6所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述的导流槽(14)由靠近通孔(12) —端朝向远离通孔(12) —端深度逐渐变浅。8.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于:所述的液面计(2)呈U型，且其一端高度低于另一端高度，所述的液面计(2)高度较低一端所述间隙连通，高度较高一端与大气连通。
【专利摘要】本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域，一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，包括测试台盘、限位装置、水银筒和液面计；所述测试台盘上表面设置有真空槽，所述真空槽与真空源连通，利用真空槽将晶圆固定在所述测试台盘上，所述晶圆背面中心与测试台盘之间形成间隙，所述测试台盘上还设置有贯通所述测试台盘的通孔，测试台盘上表面设置有若干与所述通孔连通的导流槽；限位装置设置在测试台盘上表面，且位于所述真空槽的外侧，水银筒通过管道与通孔连通；液面计所述间隙连通，液面计通过管道与所述水银筒连通，所述液面计与所述水银筒连通的管道上设置有阀门。能够提高了测试的成功率，能够有效取得WAT参数，避免了工艺波动造成大量报废的发生。
【IPC分类】H01L21/66
【公开号】CN205177790
【申请号】CN201520931761
【发明人】李磊
【申请人】苏州同冠微电子有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年11月19日