专利名称：蚀刻氧化物、减少粗糙度和形成电容器构造的方法
技术领域：
本发明关于蚀刻氧化物的方法和清理来自开口内的碎屑(诸如固体形式的蚀刻副产 物)的方法。在特定方面，本发明关于减少在清理碎屑期间在表面上引起的粗糙度的方 法，且在一些方面，本发明关于形成电容器构造的方法。
技术背景在半导体处理期间蚀刻各种氧化物很常见。例示性氧化物包括二氧化硅和掺杂二氧 化硅(诸如硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)和磷硅酸盐玻璃(PSG))。氧化物因其电绝缘性质 以及其易于成形(例如，氧化物可作为旋涂介电质材料形成，或利用包括(例如)化学 气相沉积(CVD)方法的许多沉积方法形成)而在半导体处理中常见。将氧化物形成在导电节点上，且随后蚀刻穿过氧化物到达导电节点以形成丌口来暴 露节点而用于随后处理很常见。利用去除氧化物的蚀刻化学处理来形成开口。在一些方 面，利用多个蚀刻化学处理形成开口。举例来说，第一蚀刻化学处理可用于建立开口， 且第二蚀刻化学处理可用于清理由第一蚀刻化学处理形成的碎屑。在形成延伸到氧化物中的开口期间可出现以下问题在形成开口期间所利用的一种 或一种以上蚀刻化学处理可不合需要地使暴露的氧化物表面变粗糙。举例来说，大体平 坦的氧化物表面可暴露给用于蚀刻来自开口内的含有氧化物的碎屑的蚀刻化学处理，且 所述蚀刻化学处理可使所述表面不合需要地变粗糙。因此，需要开发新的方法来蚀刻氧 化物。 发明内容在一方面中，本发明包括一种用于蚀刻氧化物的方法。氧化物经暴露给一混合物， 所述混合物包括醇、氟离子和一种或一种以上具有至少1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸 组分。为了解释此揭示内容和随附的权利要求书，应将本文所利用的离解常数理解为在 水中测量的离解常数。在一方面中，本发明包括一种用于减小在利用清理溶液去除含有二氧化硅的碎屑期 间在含有二氧化硅的表面上引起的粗糙度的方法。所述方法包括在清理溶液内纳入一种 或一种以匕具有至少1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸组份。在 -方面中，本发明包括一种半导体处理方法。提供半导体衬底。衬底支援氧化物。
蚀刻出至少一开口以至少部分延伸穿过氧化物。蚀刻在开口内留下碎屑(碎屑可为(例 如)蚀刻副产物)。清理开口内的至少一些碎屑。在所述清理期间利用一种或一种以上 具有至少1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸组份。在一方面中，本发明包括一种形成电容器构造的方法。提供半导体构造。半导体构 造包括导电节点和节点上方的氧化物。氧化物基本由二氧化硅或掺杂二氧化硅组成。穿 过氧化物蚀刻出开口以暴露导电节点。蚀刻在开口内留下碎屑(碎屑可包含蚀刻副产 物)。清理开口内的至少一些碎屑。在所述清理期间利用含有醇、氟离子和具有至少1x10—6的酸性离解常数的羧酸的溶液。在清理后，在开口内形成第一电容器电极，且在电容器 介电质上方形成第二电容器电极，且第二电容器电极与第一电容器电极电容性耦合。
下文参看以下附图来描述本发明的较佳实施例。图1为本发明的例示性方面的初歩处理阶段的半导体构造的图解橫截面图。 图2为展示图1的构造在图1处理阶段之后的处理阶段的图。 图3为展示图1的构造在图2处理阶段之后的处理阶段的图。图4为展示图1的构造在图2处理阶段之后的处理阶段的图，且说明在利用图3的 处理的— 转代性处理的情况下会产生的问题。图5为展示图1的构造在图3处理阶段之后的处理阶段的图。图6为展示图1的构造在图5处理阶段之后的处理阶段的图。
具体实施方式
参看图1-6描述本发明的例示性方面。首先参看图1，说明在初歩处理阶段的半导 体构造10。构造IO包括半导体衬底12。衬底12可包含(例如)以背景p型掺杂剂轻 度掺杂的单晶硅。为了辅助解释随附的权利要求书，定义术语"半导体衬底"的意思是 包含半导体材料的任何构造，所述材料包括(但不限于)诸如半导体晶片的块状半导体材料(单独的材料或在其上包含其它材料的组合中)和半导体材料层(单独的材料或在 其上包含其它材料的组合中)。术语"衬底"指任何支撑结构，包括(但不限于)上述 半导体衬底。隔离区域14在衬底12内形成。隔离区域14可包含(例如)浅沟道隔离区域。因 此，隔离区域14可包含形成在衬底12内的沟道，且接着以适当介电材料(诸如二氧化 硅)填充。晶体管装置16由衬底12支撑。晶体管装置包含含有导电栅极材料20的栅极18，
由栅极介电质22将所述导电栅极材料20与衬底12间隔开。栅极介电质22可包含二氧 化硅，基本由二氧化硅组成，或由二氧化硅组成。导电栅极材料20可包含任何适当的组合物或组合物的组合，且可(例如)包含金 属、金属化合物和/或经导电地掺杂的半导体材料(诸如经导电地掺杂的硅)。栅极18还包含形成在导电材料20上的介电顶盖24。顶盖24可包含(例如)二氧 化硅和/或氮化硅。晶体管装置16包含在栅极18的相对侧上的源极/漏极区域26和28。所示的源极/ 漏极区域是在衬底12内延伸的经导电地掺杂的扩散区域。所述扩散区域可包含p型掺 杂区域和/或n型掺杂区域。所示区域含有重度掺杂的部分30和32，和轻度掺杂的延伸 部分34和36，所述延伸部分在重度掺杂的部分与栅极18的边缘之间延伸。通道区域 38在栅极18的下方，且在源极/漏极区域26与28之间。在操作中，当适当的电流穿过 栅极时，源极/漏极区域经由通道区域彼此电耦合。导电基座40形成在源极/漏极区域28上方，且电耦合到所述源极/漏极区域。导电 基座可包含任何适当的导电组合物或组合物的组合。在一些方面，基座将包含经导电地 掺杂的硅。导电基座具有上表面41，在本发明的一些方面中将所述表面称为导电节点。本文所描述的例示性处理最终形成经由基座40耦合到扩散区域28的电容器构造， 以形成包含品体管16和电容器的动态随机存取存储器(DRAM)装置。扩散区域26可 电耦合到位线，使得DRAM装置可纳入DRAM阵列中。所属领域的技术人员将认识到 用于将扩散区域26耦合到位线的各种方法，且在本申请案中不再详细讨论所述方法。 因此，不再描述或展示用于最终将扩散区域耦合到位线的可形成在扩散区域26上方的 各种导电材料。然而，应了解，在本发明的一些方面中，类似于基座40的导电基座可 形成在扩散区域26上方。还应了解，已知用于将电容器耦合到扩散区域的许多方法， 且一些方法排除导电基座40，且替代地将电容器的存储节点直接耦合到扩散区域。因此， 虽然利用在电容器(下文描述)与扩散区域28之间的导电基座40描述本发明，但是应 了解，本发明还包含省略导电基座40且替代地将电容器直接耦合到扩散区域的方面。展示沿栅极18的侧壁形成的侧壁间隔片42。侧壁间隔片可包含任何适当的电绝缘 组合物或组合物的组合，且通常将包含氮化硅和二氧化硅中的一者或两者。侧壁间隔片 中的一者使导电基座40与导电栅极材料20电隔离。电绝缘材料44经提供在衬底12上方、晶体管构造16上方以及导电基座40上方。材料44可包含任何适当组合物或组合物的组合。在特定方面中，材料44将包含二氧化硅和/或掺杂二氧化硅，基本由二氧化硅和/或掺杂二氧化硅组成，或由二氧化硅和/或掺 举例来说，材料44可包含BPSG、PSG和/或由四乙基原硅酸盐(TEOS) 形成的二氧化硅。材料44的一种或一种以上组合物可通过化学气相沉积形成，且/或作 为旋涂介电质形成。应理解，在一些方面中，绝缘材料44除了可包含一种或一种以上 氧化物绝缘组合物外，还可包含非氧化物绝缘组合物。举例来说，绝缘材料44除了可 包含-一层或一层以上含二氧化硅的组合物外，还可包含一层氮化硅。图案化掩膜46在绝缘材料44上方形成。掩膜46可包含(例如)经光刻图案化的 光阻材料。掩膜46具有延伸穿过其的开口 48。开口在对应于基座40的表面41的导电 节点的正上方。接下来参看图2，利用适当蚀刻使开口 48延伸穿过绝缘材料44以暴露对应于上表 面41的导电节点。蚀刻可为此项技术中已知的任何适当蚀刻。举例来说，如果材料44 由一种或一种以上含有二氧化硅的组合物组成，那么蚀刻可利用CF4/H2。蚀刻在开口 48内形成碎屑50。接下来参看图3，在清理歩骤中利用适当的随后蚀刻来去除碎屑50 (图2)。碎屑可 包含氧化物，基本由氧化物组成，或由氧化物组成，且一般将包含二氧化硅和/或掺杂二 氧化硅，基本山二氧化硅和/或掺杂二氧化硅组成，或由二氧化硅和/或掺杂二氧化硅组 成。在本发明的一方面中，利用一混合物来去除所述含有氧化物的碎屑，所述混合物包 括至少一种具有至少1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸。所述混合物包括一种或一种以上 具有至少l x 10—6的酸性离解常数的羧酸组份，所述组份经界定为羧酸的酸形式或酸酸 的共轭碱形式。通常，根据本发明的方法利用的清理混合物内的特定酸酸的所有组份的 总浓度将为约百万分之一到组份在混合物中的溶解度极限。只要羧酸具有至少1 x 10"的酸性离解常数，便可利用任何所述羧酸。举例来说， 羧酸可为单羧酸、二羧酸或具有三个或三个以上的羧酸基的羧酸。最后，如以下所讨论， 羧酸用来减小含有氧化物的表面的粗糙度。最好利用具有一个以上的羧酸基的羧酸来进 行所述粗糙度减小，因为在一些方面中，所述羧酸可比单羧酸产生更大的粗糙度减小效 果。可根据本发明的方面加以利用的例示性羧酸为三氯乙酸(其具有1.99 x IO"的水中 酸性离解常数)、顺丁烯二酸(其具有1.5 x 10—2的水中酸性离解常数)，和柠檬酸(其具 有6.6 x 10—4的水中酸性离解常数)。在一些方面，清理溶液除了可包括一种或一种以上具有至少1 x 10"的酸性离解常数的至少一种羧酸组份外，还可包括醇、氟离子和水。醇可为垸基醇，且在例示性方面中可包含异丙醇，基本由异丙醇组成，或由异丙醇组成。在一些方面中，除了醇外或代
替醇，可利用其它有机溶剂。所述其它有机溶剂可包括(例如)酮、醚和酯。除了氟离子以外，可存在阳离子，且在例示性方面中，阳离子可基本由铵离子组成，或由铵离子组成。应理解，铵离子为例示性阳离子，且除了铵阳离子外或代替铵阳离子，可利用其它适当的阳离子。通过混合以下物质可形成用于清理含有氧化物碎屑的例示性混合物(1) 异丙醇，其经提供按重量计以约90%到约99.9%的浓度(且通常至少约98%) 存在于最终混合物中；(2) 氢氟酸，其经提供按重量计以约0.03%到约0.3%的浓度存在于最终混合物中；(3) 氟化铵，其经提供按重量计以约0.02%到约0.3%的浓度存在于最终混合物中；(4) 水；和(5) —种或一种以上具有至少l x 10—6的酸性离解常数的羧酸，其经提供以所述一 种或一种以上羧酸组份的总浓度为约百万分之一 (ppm)到所述羧酸在混合物中的溶解 度极限存在于最终混合物中。如上所述制备的清理混合物通常将为不同于其它类型混合物的溶液(其中其它类型 混合物包括(例如)乳液和其中具有不溶解组份的混合物)。清理混合物用于蚀刻开口 48内含有氧化物的碎屑。可在使清理溶液维持在约ox:到约75。C的温度下且在0.01大气压到大于IO大气压的任一压力下进行所述蚀刻，且处理 吋问为约1秒到约10小时。典型的处理时间为约1分钟到约20分钟。图3展示在根据本发明的方面进行清理去除开口 48内碎屑之后的构造10。图3的 构造展示具有侧壁49的开口 48，所述侧壁49在清理步骤之后保持相对光滑。相比之下， 图4说明在与图3处理阶段相同的处理阶段的构造，只是图解说明在清理溶液中省去具 有至少1 x 10"的水中酸性离解常数的羧酸的情况下可产生的效果。具体来说，侧壁49 具有粗糙的表面，所述粗糙的表面是在清理开口内的碎屑期间清理溶液冲击所述侧壁表 面而形成。发现通过在清理溶液中包括具有至少1 x 10—6的水中酸性离解常数的羧酸可 使粗糙化的量减少到至少1/2、1/4或甚至1/5。通过原子力显微镜方法按照均方根(RMS) 粗糙度来测量粗糙化的量。根据在去除含有二氧化硅的碎屑期间通过在清理溶液中纳入具有1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸而产生粗糙化的显著减少，可考虑所述纳入是用于减小在所述清理期间在含有二氧化硅表面上引起的粗糙度的方法。此可提供显著优势，因为在清理期间引起的粗糙度可在控制开口尺寸的均匀性方面导致许多问题。如果不充分控制均匀性，那么最终在开口内形成的装置可能超出合意公差而操作，且在相邻开口内形成的装置可彼此短
路。而且，如果侧壁过度粗糙化，那么在开口 48内最终提供的层与开口的侧壁之间可 形成不良界面。羧酸可减少沿开口侧壁产生的粗糙度的可能机制如下。在蚀刻期间可累积并聚集副 产物，且所述副产物可降低蚀刻速率。蚀刻速率的降低可增加用于完全去除碎屑的蚀刻 持续时间，且蚀刻持续时间的增加可导致暴露的氧化物表面的粗糙化增加。因为在清理 溶液中没有足够材料来结合或溶解副产物(例如，归因于副产物的溶解系数)，所以副 产物会累积。添加具有1 x 10—6或更大的酸性离解常数的羧酸可帮助溶解副产物。添加 水也可帮助溶解副产物，但所述添加会不利地影响对氧化物的蚀刻选择性。相比之下， 添加具有高酸性离解常数(即，至少1 x 10-6的酸性离解常数)的羧酸对蚀刻选择性没 有不利影响。本文提供所述机制来帮助读者理解本发明的方面，且除非所述机制在权利要求书中 明确陈述(若有的话)夕卜，不应限制权利要求书。接下来参看图5，其说明在图3处理步骤之后的处理步骤中的构造10。具体来说， 已去除了掩膜材料46 (图3)，且已在开口 48内形成第一电容器电极60。电容器电极 60可包含任何适当的组合物或组合物的组合。在特定方面中，电极60将包含金属、金 属化合物和/或经导电掺杂的半导体材料(诸如经导电掺杂的硅)。所示电极仅在开口 48 内形成。其可通过以下过程完成提供电极材料以在材料44的最上表面上方以及开口 内延伸，且随后使构造IO经受平坦化处理(诸如化学机械研磨)以自材料44上方去除 导1乜材料，同时留下开口内的导电材料。接下来参看图6，电容器介电质62在第一电容器电极60上方形成，且第二电容器 电极64在电容器介电质62上方形成。电容器介电质62可包含任何适当的组合物或组 合物的组合，且在特定方面中将包含二氧化硅、氮化硅、氧化铝和/或各种高k介电材料， 基本上、或完全由二氧化硅、氮化硅、氧化铝和/或各种高k介电材料组成。第二电容器 电极64可包含任何适当的组合物或组合物的组合，且在特定方面中将包含金属、金属 化合物和/或经导电掺杂的半导体材料，基本上、或完全由金属、金属化合物和/或经导 电掺杂的半导体材料组成。第二电容器电极64与第一电容器电极60电容性耦合。因此， 包含电极60和64以及介电材料62的构造为电容器构造。所述电容器构造经由导电基 座40与源极/漏极区域28电耦合。位线70被展示为与源极/漏极区域26电耦合。因此，可认为图6的构造为经配置以纳入到存储器阵列内的DRAM单位单元。本发明的所展示方面仅为用于本发明的方法的许多应用中的一者。举例来说，除了
在清理步骤期间利用羧酸外，或代替在清理步骤期间利用羧酸，可在初始蚀刻期间利用 纳入一种或一种以上具有至少1 x 10—6的酸性离解常数的羧酸以形成开口 (诸如图2的 蚀刻)。而且，虽然所展示的开口完全延伸穿过一种或一种以上的含有氧化物的组合物 而到达导电节点，但是应了解，本发明包含仅形成部分延伸穿过一种或一种以上含有氧 化物的组合物的开口的方面。
权利要求
1. 一种蚀刻氧化物的方法，其包含将所述氧化物暴露给混合物，所述混合物包括醇、氟离子和一种或一种以上具有至少1×10-4的离解常数的羧酸平衡组份。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物由二氧化硅或掺杂二氧化硅组成。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或一种以上酸平衡组份的总浓度为约百 万分之一到所述平衡组份在所述混合物中的溶解度极限。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述混合物中存在一种以上具有至少1 x 10-4 的离解常数的羧酸。
5. 根据权利要求l所述的方法，其中所述羧酸为单羧酸。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸为二羧酸。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸包含至少三个羧酸基。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸为三氯乙酸。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸为顺丁烯二酸。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸为柠檬酸。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中所述醇为烷基醇。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中所述醇为异丙醇。
13. 根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物为溶液，且其中所述醇为异丙醇，其 按重量计以约98%的浓度存在于所述溶液中。
14. 根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻在约0。C到约75'C的温度下进行。
15. 根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻在约O"C到约75。C的温度下进行，且蚀 刻时间为约1分钟到约20分钟。
16. 根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物为溶液，所述溶液包含醇，如按重量计以约98%的浓度存在的异丙醇； 水；氟离子； 阳离子；和 酸平衡组份。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中所述阳离子基本由NH4组成。
18. -种减少粗糙度的方法，所述粗糙度是在利用清理溶液去除含有二氧化硅的碎屑期 间在含有二氧化硅的表面上所引起，其包含在所述清理溶液内纳入一种或-一种以上 具有至少1 x 10"的离解常数的羧酸平衡组份。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中在所述清理溶液中纳入一种以上具有至少1 x 10—4的离解常数的羧酸。
20. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸为单羧酸。
21. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸为二羧酸。
22. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸包含至少三个羧酸基。
23. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸为三氯乙酸。
24. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸为顺丁烯二酸。
25. 根据权利要求18所述的方法，其中所述羧酸为柠檬酸。
26. 根据权利要求18所述的方法，其中在所述清理溶液内所述羧酸的一种或一种以上 平衡组份的总浓度为约百万分之一到所述平衡组份在所述清理溶液中的溶解度极限。
27. 根据权利要求26所述的方法，其中所述清理溶液还包括异丙醇，其按重量计以约98%的浓度存在； 氟离子；以及铵离子。
28. —种半导体处理方法，其包含提供半导体衬底，所述半导体衬底上支撑有氧化物；蚀刻至少一个开口，所述至少一个开口至少部分地延伸穿过所述氧化物，所述蚀 刻在所述开口内留下碎屑；和在清理所述丌口内的至少一些碎屑期间利用一种或一种以上具有至少1 x 10—4的 离解常数的羧酸平衡组份。
29. 根据权利要求28所述的方法
30. 根据权利要求28所述的方法 的离解常数的羧酸。
31. 根据权利要求28所述的方法
32. 根据权利要求28所述的方法
33. 根据权利要求28所述的方法
34. 根据权利要求28所述的方法
35. 根据权利要求28所述的方法
36. 根据权利要求28所述的方法，其中所述氧化物由二氧化硅或掺杂二氧化硅组成。 ，其中在所述清理期间利用一种以上具有至少1 x IO.'，其中所述羧酸为单羧酸。，其中所述羧酸为二羧酸。,其中所述羧酸包含至少三个羧酸基。，其中所述羧酸为三氯乙酸。,其中所述羧酸为顺丁烯二酸。，其中所述羧酸为柠檬酸。
37. 根据权利要求28所述的方法，其中在所述清理期间所述羧酸存在于混合物中；且 其中所述混合物中所述一种或一种以上羧酸平衡组份的总浓度为约百万分之一到 所述平衡组份在所述混合物中的溶解度极限。
38. 根据权利要求37所述的方法，其中所述混合物包括烷基醇。
39. 根据权利要求38所述的方法，其中所述醇为异丙醇。
40. 根据权利要求39所述的方法，其中所述混合物为溶液，且其中所述异丙醇按重量 计以约98%的浓度存在于所述溶液中。
41. 根据权利要求37所述的方法，其中所述混合物为溶液，所述溶液包含异丙醇，其按重量计以约98%的浓度存在； 水；氟离子；和 阳离子。
42. 根据权利要求41所述的方法，其中所述阳离子基本由NH4组成。
43. —种形成电容器构造的方法，其包含提供半导体构造，所述半导体构造包括导电节点和所述节点上方的氧化物，所述 氧化物基本由二氧化硅或掺杂二氧化硅组成；蚀刻穿过所述氧化物的开口以暴露所述导电节点，所述蚀刻在所述开口内留下碎 屑；在清理所述开口内至少一些碎屑期间利用一种或一种以上具有至少1 x 10—4的离 解常数的羧酸平衡组份；在所述清理后，在所述开口内形成第一电容器电极； 在所述第一电容器电极上方形成电容器介电质；和在所述电容器介电质上方形成第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一 电容器电极电容性耦合。
44. 根据权利要求43所述的方法，其中所述电容器介电质和所述第二电容器电极在所 述开口内延伸。
45. 根据权利要求43所述的方法，，其中在所述清理期间利用一种以上具有至少1 x 10—4 的离解常数的羧酸。
46. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸为单羧酸。
47. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸为二羧酸。
48. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸包含至少三个羧酸基。
49. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸为三氯乙酸。
50. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸为顺丁烯二酸。
51. 根据权利要求43所述的方法，其中所述羧酸为柠檬酸。
52. 根据权利要求43所述的方法，其中在所述清理期间所述羧酸存在于混合物中；且 其中在所述混合物内所述一种或一种以上羧酸平衡组份的总浓度为约百万分之一 到所述平衡组份在所述混合物中的溶解度极限。
53. 根据权利要求52所述的方法，其中所述混合物包括垸基醇。
54. 根据权利要求53所述的方法，其中所述醇为异丙醇。
55. 根据权利要求54所述的方法，其中所述混合物为溶液，且其中所述异丙醇按重量 计以约98%的浓度存在于所述溶液中。
56. 根据权利要求52所述的方法，其中所述混合物为溶液，所述溶液除所述酸平衡组 份外还包含异丙醇，其按重量计以约98%的浓度存在；氟离子；和铵离子。
全文摘要
本发明包括其中在蚀刻氧化物(诸如二氧化硅或掺杂二氧化硅)期间利用一种或一种以上具有至少1×10<sup>-6</sup>的水中酸性离解常数的羧酸组份的方法。可利用两种或两种以上的羧酸。例示性羧酸包括三氯乙酸、顺丁烯二酸和柠檬酸。
文档编号H01L21/311GK101213644SQ200680016055
公开日2008年7月2日 申请日期2006年4月28日 优先权日2005年5月11日
发明者亚诺什·富克斯科, 凯文·R·谢伊, 尼拉·B·拉纳 申请人:美光科技公司