专利名称：高电阻多晶硅形成方法
技术领域：
本发明涉及一种高电阻多晶硅的形成方法，尤其涉及一种不易造成高 电阻多晶硅的失效的高电阻多晶硅形成方法。
背景技术：
如图1所示，现有技术中形成高电阻多晶硅的方法主要包括以下流
程
步骤l，在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅，这时的剖面
结构如图2a所示；
步骤2，对所述多晶硅进行低剂量的硼离子注入，且所注入的硼离子
的剂量为lel4 5el4cnT-2，从而得到高电阻多晶硅；
步骤3，通过一块掩模版，再对所述高电阻多晶硅进行选择性高剂量 的磷离子注入，且所注入的磷离子的剂量为2el5 5el5cm:2，从而得到 栅区多晶硅，这时的剖面结构如图2b所示。
上述制作过程需要通过一块掩模版来隔离高电阻多晶硅和栅区多晶 硅，而且由于高剂量离子注入本身会有很较强的横向扩散，因此易造成高 电阻多晶硅的失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种高电阻多晶硅形成方法，可减少 一块掩模板，降低成本，节约面积，并且不易造成高电阻多晶硅的失效。为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件制造方法，包括 以下步骤
(1) 在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅；
(2) 对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入；
(3) 对所述经过高剂量磷离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入；
(4) 对硅片进行高温退火。 本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过采用
氧元素注入的方法来形成高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的分离，并通过调 整氧元素的注入能量来同时满足高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的厚度要 求，然后再通过高温退火来形成作为高电阻多晶硅区的氧化层，从而起到 了减少一块掩模板的作用，进而降低了成本，节约了面积；而且，不易造 成高电阻多晶硅的失效。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1为现有技术中形成高电阻多晶硅的流程示意图2a-2b为根据现有技术形成高电阻多晶硅的过程中的剖面结构图3为本发明所述形成高电阻多晶硅的流程示意图4a-4b为根据本发明形成高电阻多晶硅的过程中的剖面结构图。
具体实施例方式
在一个实施例中，如图3所示，在本发明中，高电阻多晶硅的形成包 括如下步骤第一步，在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅，所需淀积的 多晶硅的厚度应根据实际对高电阻多晶硅和栅多晶硅的要求，如高电阻多 晶硅组织的要求，栅多晶硅组织和厚度的要求等进行调整，这时的剖面结
构如图4a所示。
第二步，对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入，所注入的磷离子的剂 量为2el5 5el5cnf-2。
第三步，对所述经过高剂量离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入， 从而实现高电阻多晶硅和栅多晶硅的分离，并且所需注入的氧元素的能量 应根据实际需要满足的高电阻多晶硅和栅多晶硅的厚度要求进行调整；
第四步，对硅片进行高温退火，退火温度为950。C 1000。C，从而形成 隔离的氧化层(即图4b中多晶硅上面的二氧化硅)，所述氧化层即为高电 阻多晶硅区，这时的剖面结构如图4b所示。
本发明上述高电阻多晶硅形成方法由于不需要使用掩模版，所以降低 了成本，而且节约了面积，而且不会产生因高剂量离子注入较强的横向扩 散作用而引起高电阻多晶硅失效的问题。
权利要求
1、一种高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，包括以下步骤(1)在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅；(2)对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入；(3)对所述经过高剂量磷离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入；(4)对硅片进行高温退火。
2、 根据权利要求l所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在所述 步骤(2)中，所注入的磷离子的剂量为2el5 5el5cnf-2。
3、 根据权利要求l所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在所述 步骤(4)中，退火温度为950。C 100(TC。
4、 根据权利要求1至3中任一项所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在 于，在步骤(3)中，所需注入的氧元素的能量应根据实际需要满足的高电 阻多晶硅和栅多晶硅的厚度要求进行调整。
5、 根据权利要求1至3中任一项所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在 于，在步骤(1)中，所需淀积的多晶硅的厚度应根据实际对高电阻多晶硅 和栅多晶硅的要求进行调整。
全文摘要
本发明公开了一种高电阻多晶硅形成方法，通过采用氧元素注入的方法来形成高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的分离，并通过调整氧元素的注入能量来同时满足高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的厚度要求，然后再通过高温退火来形成作为高电阻多晶硅区的氧化层，从而起到了减少一块掩模板的作用，进而降低了成本，节约了面积；而且，不易造成高电阻多晶硅的失效。
文档编号H01L21/02GK101447417SQ20071009428
公开日2009年6月3日 申请日期2007年11月27日 优先权日2007年11月27日
发明者周晓君, 钱文生 申请人:上海华虹Nec电子有限公司