专利名称：：改善高压产品sram功能和准备电压不合格问题的方法
技术领域：
：本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法。
背景技术：
：在半导体制造领域，当制造电子产品的驱动器芯片时，如果用传统的IC封装技术封装这类芯片会造成芯片体积大、重量重。为了制造出符合业界要求的驱动器芯片，现有技术都是采用在硅芯片的压焊块上制作凸点(Topmetal)作为引出端。在制造过程中，使用0.35um的高压制造静态随机存储器(Staticrandomaccessmemory,以下简称SRAM)时会出现SRAM功能及准备电压不合格的情况。出现这种现象的原因如下现有技术中，为了防止元件被大气污染，并保护TopMetal以防止Topmetal被刮伤，因此都采用在Topmetal上覆盖一钝化层(Passivation)。该钝化层都是采用的磷硅玻璃PSG+氮化硅SiN，一般来说是PSG5KA+SiN7KA，即5000埃的PSG及7000埃的SiN。采用上述钝化层，钝化层与Topmetal底部的交界处会出现细小的裂缝。图l示出了钝化层l(Passivation)、金属层间介电质层3(Inter-MetalDielectric,简称IMD)、凸点2(Topmetal)、金属连接孔4(MVIA)之间的关系。其中钝化层l是由磷硅玻璃PSG5K+氮化硅SiN7K制成，为了便于理解和更直观的观察，拍摄了如图1和图2的实际使用状态照片。在图1和图2中可以清楚地看到钝化层1无法完全覆盖钝化层1与凸点2之间的缝隙5。图2中可以清楚的看出，每个钝化层1与凸点2之间的缝隙5都未被覆盖。这种缝隙5的存在就会导致在其后的凸焊点(bump)制造过程中使用的过氧化氢H2O2会沿着上述的缝隙进入金属连接孔4中，并与金属连接孔4中的钨进行反应。这样会造成凸点2的对准-蚀刻窗口变窄，导致偏移(AAshift)和Topmetal尺寸变小，都会加剧金属连接孔4中钨被掏空的风险。
发明内容针对现有技术中存在的缺陷和不足，本发明的目的是提出一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，使钝化层与Topmetal的之间处不会出现缝隙，以降低次品率。为了达到上述目的，本发明提出了一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，包括在硅晶片表面设置一钝化层；其特征在于，该钝化层由SRO即富含硅的氧化硅SiO、PETEOS即用四乙基硅为原料经过化学气相沉积生成的氧化硅、SiN即氮化硅制成。其中，所述的SRO厚度为2KA。其中，所述的PETEOS厚度为4KA。其中，所述的SiN厚度为7KA。其中，所述的SiO中X《2。本发明针对现有技术中由磷硅玻璃PSG和氮化硅SiN组成的钝化层不能完全覆盖住凸点T叩metal，导致在后续的凸焊点(bump)制造过程中过氧化氢会从缝隙进入MVIA的问题，本发明提出了一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，设置一个由SRO、PETEOS、SiN组成的钝化层，使用SRO和PETEOS代替现有技术中的磷硅玻璃PSG，由于SRO和PETEOS具有更好的阶梯覆盖能力，能够完全覆盖凸点Topmetal底部与钝化层passivation交界处，降低了次品率。图l为采用现有方法后钝化层与凸点之间存在缝隙的示意图；图2为图1中钝化层的剖视放大图；图3为利用本发明的方法制成的钝化层的剖视放大图。具体实施例方式下面根据附图对本发明做进一步说明。本发明优选实施例中，设置一个由SRO、PETEOS、SiN组成的钝化层。本发明优选实施例使用的SRO为富含硅的二氧化硅，PETEOS为用四乙基硅为原料经过化学气相沉积生成的二氧化硅。使用SRO和PETEOS代替现有技术中的磷硅玻璃PSG，由于SRO和PETEOS具有更好的阶梯覆盖能力，如图3所示，能够完全覆盖凸点2底部与钝化层1交界处。其中，作为优选，钝化层结构可以采用SR02K+PETEOS4K+SiN7K，艮P2000埃厚的SRO+4000埃厚的PETEOS+7000埃厚的SiN。采用上述结构的钝化层passivation在实际使用中如图3所示，可以清楚的看到钝化层1与凸点2之间没有缝隙，能够阻挡后段BUMP制程中使用的/Z,C^对MVIA中的钨的影响。下表中对现有技术和本发明优选实施例的钝化层进行对比:<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表l由上述表l可以看出，本发明提出的方法，可以极大的提高成品率。当然，采用上述优选技术方案只是为了便于理解而对本发明的举例说明，本发明还可有其他实施例，本发明的保护范围并不限于此。在不背离本发明精神及其实质的情况下，所属
技术领域：
的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。权利要求1、一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，包括在硅晶片表面设置一钝化层；其特征在于，该钝化层由SRO即富含硅的氧化硅SiOx、PETEOS即用四乙基硅为原料经过化学气相沉积生成的氧化硅、SiN即氮化硅制成。2、根据权利要求1所述的改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，其特征在于，所述SRO厚度为2KA。3、根据权利要求1所述的改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，其特征在于，所述PETEOS厚度为4KA。4、根据权利要求1所述的改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，其特征在于，所述SiN厚度为7KA。5、根据权利要求14任一项所述的改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，其特征在于，所述的Si中X《2。全文摘要本发明一种改善高压产品SRAM功能和准备电压不合格问题的方法，针对现有技术中采用磷硅玻璃和氮化硅制成的钝化层，在凸点底部与钝化层交界处会产生缝隙的问题而设计，使用SRO、PETOS、SiN制造钝化层。在实际试验中，本发明提出的方法，能够很好的覆盖凸点底部与钝化层交界处，降低出现缝隙的几率，提高了产品的成品率。文档编号H01L27/11GK101364601SQ200710143568公开日2009年2月11日申请日期2007年8月9日优先权日2007年8月9日发明者吴栋华,娴翟,陈建维申请人:和舰科技(苏州)有限公司