专利名称：发光二极管阵列的制作方法
技术领域：
本发明是关于 一 种发光二极管(Light Emitting Diode, LED)元件的制作方法，特别是一种发光二极管阵列的制作方 法，藉由将发光二极管片切割成晶条后，于每两条发光二极 管晶条间黏着 一 间隔层以形成发光二极管阵列。
背景技术：
近年来，随着发光二极管的发光效率不断地提升，使得发光二极 管已有逐渐取代传统的日光灯与白热灯泡的趋势，而发光二极管的制 作也朝向高功率与大面积的趋势发展，然而，随着发光二极管面积增 大，在缺陷(defect)密度未下降的情形下，发光二极管的良率会随着面 积的增大而下降。
鉴于上述习知大面积发光二极管在缺陷密度未下降的情况下，会 导致大面积发光二极管良率不佳，有必要提出一种发光二极管阵列的 制作方法，以取代习知大面积发光二极管元件，以改善大面积发光二 极管良率不佳的问题。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种发光二极管阵列的制作方法，藉 由切割发光二极管芯片成复数条发光二极管晶条，于每两条发光二极 管晶条间黏着 一 间隔层，以形成发光二极管阵列。
本发明的另 一 目的为使用同 一 色光的发光二极管晶条，发光二极 管晶条为红光、蓝光或绿光发光二极管晶条其中之一，以形成单一颜 色的发光二极管阵列。若将红光、蓝光及绿光发光二极管晶条依序排 列，可形成白光的发光二极管阵列。
本发明的又一目的为将包含电极的发光二极管阵列，藉由一金属
4奈与每一《充二扭管晶务的电极接合。
根据上述目的，本发明提供一种发光二极管阵列的制作方法。首 先，提供发光二极管芯片，此发光二极管芯片为包括发光二极管磊晶 层的基板，再切割发光二极管芯片成复数条发光二极管晶条，然后再 于每两条发光二极管晶条间祐着一 间隔层，以形成发光二极管阵列。
图1A至图1C的示意图显示本发明实施例的发光二极管阵列的制 作方法；
图2A至图2B的示意图显示本发明实施例的发光二极管阵列的电 极接合的方法；
图3A至图3C的示意图为本发明另一实施例发光二极管晶条的制 作方法。
图号说明
20间隔层
100发光二极管元件
107电极
111发光二极管磊晶层
112基板
115发光二极管晶条
120金属条
210发光二极管芯片
211发光二极管磊晶层
212基板
215发光二极管晶条
225夹具
具体实施例方式
本发明一些实施例的详细描述如下，然而，除了该详细描述外，本发明还可以广泛地在其它的实施例施行。亦即， 本发明的范围不受已提出的实施例的限制，而应以本发明提 出的申请专利范围为准。
再者，为提供更清楚的描述及更易理解本发明，图标内 各部份并没有依照其相对尺寸绘图，某些尺寸与其它相关尺
度相比已经被夸张；不相关的细节部份也未完全绘出，以求
图标的简洁。
图1A至图1B的示意图显示本发明实施例的发光二极管 阵列的制作方法。首先，提供复数条发光二极管晶条；亦即， 如图1A所示，提供发光二极管芯片110，发光二极管芯片110 为包含发光二极管磊晶层111的基板112，基板112可以为以 导电基板或非导电基板其中之一，发光二极管磊晶层111依 序包含第一型半导体层、主动层及相反于第一型的第二型半 导体层。然后再切割发光二极管芯片110成复数条发光二极 管晶条115,如图1B所示。
接着，如图1C所示，接合一间隔层20于每两条发光二 极管晶条115中，接合的方法可例如为黏胶接合(glue bonding) 的方式，间隔层20的材质可以为硅(silicon)等半导体材质， 也可以是陶资(ceramic)等材质。此外，间隔层20的两侧尚可 藉由高反射处理而形成高反射层(未图标)，再与发光二极管晶 条接合，其中高反射层可以为高反射金属层或高反射多层膜， 高反射金属层的材质包括金、铝、银或其合金其中之一，使 发光二极管发出的光可往同一方向出光，以增加发光二极管 的指向性。
若要形成单一色光的发光二极管阵列，所使用的晶条必 需为同 一 色光的发光二极管晶条，发光二极管晶条可例如为 红光、蓝光或绿光发光二极管晶条其中之一。若要形成白光 的发光二极管阵列，可将红光、蓝光及绿光发光二极管晶条 依序排列，以形成白光的发光二极管阵列。
6然后，依适当长度切割发光二极管阵列以形成发光二极
管元件100。
图2A至图2B的示意图显示本发明实施例的发光二极管 阵列的电极接合的方法。经由上述的方法所制作的发光二极 管元件100，如图2A所示，发光二极管晶条115为包含发光 二极管磊晶层111及电极107的基板112,再藉由金属条 (bar)120与每一发光二极管晶条115的电极107接合，图2B 所示(侧视图)，不须逐一进行打线接合(wire bonding)。
图3A至图3B的示意图为本发明另一实施例发光二极管 晶条的制作方。首先，如图3A所示，提供发光二极管芯片 210,发光二极管芯片210为包含发光二极管磊晶层211的基 板212，发光二极管磊晶层211依序包含一第一型半导体层、 一主动层及一相反于第一型的第二型半导体层；基板212可 以为非导电基板，也可以为导电基板。
然后，如图3B所示，切割发光二极管芯片210成复数条 发光二极管晶条215,然后，如图3C所示，再提供复数条间 隔层(space layer)20，于每两条发光二极管晶条215中夹一间 隔层20，其中间隔层20的高度必须低于发光二极管晶条215 的高度；间隔层20的材质可以为硅(silicon)等半导体材质， 也可以是陶瓷(ceramic)等材质。然后，以夹具225夹集固定 此排发光二极管晶条215与间隔层20，再对发光二极管晶条 215的表面及露出的侧面实施制程。
对发光二极管晶条露出的侧面及表面做抗反射处理可增 加出光效率，抗反射处理包含粗化处理及抗反射涂布 (Anti-Reflection Coating, AR coating),可避免发光二极管晶条 发出的光全反射，增加出光效率，形成高效率发光二极管晶 条(未图标)。藉由上述的方法，于发光二极管晶条露出的侧面 做高反射处理形成高反射层，可使发光二极管晶条往同一方 向出光，增加光的指向性，形成高指向性发光二极管晶条(未图标)；其中高反射层为高反射金属层或高反射多层膜其中之 一，当高反射层为高反射金属层时，更形成一透明介电层于 高反射金属层与发光二极管磊晶层之间，用以避免高反射层 与发光二极管磊晶层短路。然后，将发光二极管晶条接合成 发光二极管阵列，再依适当长度切割成发光二极管元件。
利用此法形成的发光二极管阵列，不是直接切割成大面 积发光二极管元件，可增加良率。此外，本方法可形成单一 色光的发光二极管阵列，也可搭配红光、蓝光及绿光发光二 极管晶条，形成白光的发光二极管阵列。藉由对发光二极管 晶条表面及露出的侧面做抗反射处理，可避免发光二极管元 件的光全反射，增加出光效率，亦可增加所形成的发光二极 管阵列的出光效率；对发光二极管晶条露出的侧面做高反射 处理，可使发光二极管晶条的光经由高反射层反射，往同一
方向出光，增加光的指向性，亦可增加所形成的发光二极管 阵列的指向性。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，
其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本发明的内容并据
以实施，当不能以的限定本发明的专利范围，即大凡依本发
明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明
的专利范围内。
8
权利要求
1. 一种发光二极管阵列的制作方法，包含以下步骤提供复数条发光二极管晶条；以及接合一间隔层在每两条该发光二极管晶条中，以形成该发光二极管阵列。
2. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该复数条发光二极管晶条为切割自 一发光二极管芯片，该 发光二极管芯片为一包含一发光二极管磊晶层的基板，该发 光二极管磊晶层依序包含一第一型半导体层、 一主动层及一 相反于第一型的第二型半导体层，而该基板为导电基板或非 导电基板其中之一。
3. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该复数条发光二极管晶条的种类为红光、蓝光或绿光发光 二极管晶条其中之一，以形成单一色光的该发光二极管阵 列。
4. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该接合该复数条发光二极管晶条的步骤时，为依序接合红 光、蓝光及绿光发光二极管晶条，以形成白光的该发光二极 管阵列。
5. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该间隔层的两侧具有藉由高反射处理而形成的高反射层。
6. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中每一该发光二极管晶条更包含一电极于该发光二极管磊 晶上，藉由一金属条与每一该发光二极管晶条的该电极接 合。
7. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中每一该发光二极管晶条的表面及两侧经抗反射处理。
8. 如权利要求7所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该发光二极管晶条的形成方法，包含以下步骤切割一发光二极管芯片成该复数条发光二极管晶条，该发光二极管芯片为一包含一发光二极管磊晶层的基板；以夹具夹集固定该复数条发光二极管晶条，每两条该发光二极管晶条中夹一该间隔层，其中该间隔层的高度低于该发光二极管晶条的高度；以及进行抗反射处理于该复数条发光二极管晶条的表面与露出的侧面。
9. 如权利要求1所述的发光二极管阵列的制作方法，其 中该发光二极管晶条藉由高反射处理，形成高反射层于该发 光二极管晶条的两侧。
10. 如权利要求9所述的发光二极管阵列的制作方法元 件，更包括形成一透明介电层于该高反射层与该发光二极管 晶条之间，用以避免该高反射层与该发光二极管晶条短路。
全文摘要
本发明提供一种发光二极管阵列的制作方法。首先，提供发光二极管芯片，此发光二极管芯片为包括发光二极管磊晶层的基板，再切割发光二极管芯片成复数条发光二极管晶条，然后再于每两条发光二极管晶条间黏着一间隔层，以形成发光二极管阵列。
文档编号H01L21/02GK101465298SQ20071019848
公开日2009年6月24日 申请日期2007年12月17日 优先权日2007年12月17日
发明者李明顺, 李逸骏, 邱舒伟 申请人:洲磊曜富科技股份有限公司