专利名称：微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微波集成电路中的3dB电桥，特别是一种微波低波段超微型 3dB锯齿耦合正交电桥。
技术背景-3dB电桥广泛应用于微波集成电路，比如移相器，平衡放大器，功率合成，功率分 配，调制器，混频器等多种电路。3dBTH交电桥是个四端口网络，它的特性是两口输入、 两口输出，两输入口相互隔离，两输出端口各输出输入口输入功率的50%，并且输出 信号相位相差90度。传统的微带制作工艺无法用单节的耦合实现3dB的紧耦合，因此 对于传统的工艺使用两个8. 34dB的耦合器串接而成达到3dB的紧耦合，这样就导致电 桥的体积大，插入损耗大。现在市场上使用的3dB电桥常采用分支电桥，要增加分支电 桥的耦合带宽，就必须增加其节数，这就使电桥的体积增大。有的电路采用外接3dB 电桥的方法，这就不利于电路的集成化。发明内容本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有3dB电桥的缺点，提供一种小体积、 高集成度、低插入损耗的微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥。本实用新型解决其技术问题的技术方案是 一种微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥，具有输入端、耦合端、直通端、隔离端四个端口，电路组成包括锯齿状耦合线, 锯齿的角度为90度，其特征是耦合线中部断开，形成一条连通的带线和位于连通带线两侧的两条带线，该两条带线通过金属线连接，输入端与直通端和耦合端相邻，所述的 电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。本实用新型的有益效果如下电路设计使电桥的直通端和耦合端位于两条带线上， 利用单节耦合的结构实现了低插入损耗，产品体积小，通过超微细微带薄膜工艺使耦合缝隙达到微米级实现了 3dB的紧耦合，使产品具有低插入损耗、高方向性、高集成度和大带宽等优点，作为微波集成电路的一个基础的重要元件，广泛应用于无线通讯的多种 设备的电路中。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面参照附图并结合实施例对本实用新型进行详细描述。但是本实用新型不限于所给出的实施例。如图1所示，本实用新型3dB锯齿耦合正交电桥具有输入端IN、耦合端OH、直通 端ZT、隔离端ISO四个端口，电路组成包括中部断开的锯齿状耦合线，锯齿的角度为 90度，形成一条连通的带线MS1和位于连通带线两侧的两条带线MS21、 MS22，该两条 带线MS21、 MS22通过金属线D连接，输入端IN与直通端ZT和耦合端OH相邻，所述的电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片(图中未画出)上。实施例中，本实用新型进一步的特征是在锯齿状耦合线外侧开有纵向的槽1和"T" 形槽2，起到增强耦合、减小耦合区对频依赖的影响的作用。实施例中，陶瓷基片为介电常数9.9、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
权利要求1、微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥具有输入端、耦合端、直通端、隔离端四个端口，电路组成包括锯齿状耦合线，锯齿的角度为90度，其特征是耦合线中部断开，形成一条连通的带线和位于连通带线两侧的两条带线，该两条带线通过金属线连接，输入端与直通端和耦合端相邻，所述的电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。
2、 根据权利要求1所述的微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥， 其特征是在锯齿状耦合线外侧开有纵向的槽。
3、 根据权利要求1所述的微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥， 其特征是在锯齿状耦合线外侧开有"T"形槽。
专利摘要微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥的电路组成包括锯齿状耦合线，耦合线中部断开，形成一条连通的带线和位于连通带线两侧的两条带线，该两条带线通过金属线连接，输入端分别与直通端和耦合端相邻，所述的电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。电路设计使电桥的直通端和耦合端位于两条带线上，通过超微细微带薄膜工艺使耦合缝隙达到微米级实现了3dB的紧耦合，使产品具有低插入损耗、高方向性、高集成度和微型化等优点，作为微波集成电路的一个基础的重要元件，广泛应用于无线通讯多种设备的电路中。
文档编号H01P5/12GK201117782SQ200720044828
公开日2008年9月17日 申请日期2007年11月14日 优先权日2007年11月14日
发明者傅阳波, 庄昆杰 申请人:深圳国人通信有限公司;泉州雷克微波有限公司