专利名称：一种保护等离子刻蚀设备中的下电极部件的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制程中的等离子刻蚀工艺。提供了 一种保护等 离子刻蚀设备中的下电极部件的方法及装置。
背景技术：
等离子刻蚀(也称干法刻蚀)是集成电路制造中的关键工艺之一 ， 其目的是完整地将掩膜图形复制到晶圆表面。在今天没有一个集成电 路芯片能在缺乏等离子刻蚀技术情况下完成。等离子刻蚀设备的投资
在整个芯片厂的设备投资中约占10%~12%的比重，它的工艺水平将 直接影响到最终产品质量及生产技术的先进性。
半导体制程中所用的晶圓边缘上均有一个缺口 (notch),所述缺 口用于晶向定位。由于所述缺口的存在，在等离子刻蚀过程中，等离 子体会通过所述缺口，轰击到等离子刻蚀机的下电极部件上。所述下 电极部件是工艺处理的平台，提供所述晶圓的静电吸附力，位置位于 所述反应腔的正下方，其材质是铝，上面镀了一层介电质薄膜，如果 所述介电质薄膜被损坏，露出薄膜下面的金属铝，将使所述下电极部 件的边缘产生火花或放电，导致其更快的损坏，同时，被轰击下的杂 质也会导致晶圆受到污染。因此，长时间的等离子轰击不但会对所述 下电极部件造成损害，而且将会对所述晶圆产生损害。
在等离子刻蚀工艺中，首先会将待刻蚀晶圆放入旋转控制装置， 所述旋转控制装置先旋转所述晶圆，然后将旋转好的所述晶圆放入等 离子刻蚀机的反应腔内，位于所述等离子刻蚀机的下电极部件之上， 之后开始刻蚀所述晶圓。
为了减小所述缺口所引起的对所述下电极部件的损害，所述旋转 控制装置会对放入其中的每一片晶圆做旋转处理，并且每经过一个预定时间间隔后，待刻蚀的晶圆上的缺口的最后停留位置点将会改变一 个预定间隔角度，这样可以保证在一个较长的时间内，在所述等离子 刻蚀反应腔中，所有进行等离子刻蚀的晶圆上的缺口尽量均匀地出现 在所述下电极部件所在圓周上的各个方位上，也就是说，这种方法使 得由于等离子轰击造成的对所述下电极部件的损害被分散在整个所 述下电极部件上，从而增加所述下电极部件的使用寿命。 一般所述预
定时间间隔为1小时，所述预定间隔角度为3度。
但是，这种方法有显著的缺点在所述反应腔中，真空抽气口位 于腔体的一侧，所述反应腔中的等离子体从这一侧往下被抽走，这部 分等离子体位置更靠近所述下电极部件，也就是说，当所述晶圆上的
所述缺口处于靠近所述真空抽气口的时候，会有更多的等离子通过所 述缺口直接打到它下面的所述下电极部件上，所以在所述缺口位于这 一区域时，所述下电极部件将被加速损坏。因此，在等离子刻蚀工艺 中需要一种用于保护所述下电极部件的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种保护等离子刻蚀反应腔中的下电极部 件的方法和对应的旋转控制装置，以延长所述下电极部件的使用寿 命，并能减少由此引起的晶圓缺陷。发明关键点为在待刻蚀晶圆进 入等离子刻蚀反应腔之前，对晶圓上缺口位置的设定，使需要刻蚀晶 圆的缺口位置始终不出现在等离子刻蚀反应腔中的受真空抽气口影 响的 一侧，即将所述缺口位置设定在预定等离刻蚀的安全区域中的特 定位置，来减小所述下电极部件的损坏。整个旋转控制过程由旋转控 制装置完成。
根据本发明的第 一方面，提供了 一种在半导体制程中用于保护等 离子刻蚀设备中的下电极部件的方法，包括如下步骤
a. 检测放置在旋转控制装置中的晶圆上的缺口对应的缺口初始 角度值；
b. 根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所述晶圓旋 转，可使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域中的特定
位置；
c.根据所述调整角度值，对所述晶圓进行旋转。
其中，所述预定刻蚀安全区为等离子刻蚀安全区域，所述预定刻 蚀安全区域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度。所 述预定刻蚀安全区域的信息是通过大量试验数据，经过统计得到的， 即使用原有的方法进行等离子刻蚀，在一个较长的时间内，在所述等 离子刻蚀反应腔中，所有进行等离子刻蚀的晶圆上的缺口尽量均匀地 出现在所述下电极部件所在圆周上的各个方位上，经过数月的工作 后，对所述下电极部件上的损坏进行统计，可以确定一个下电极部件
的等离子刻蚀危险区域a(粗实线)，90%以上所述下电极部件棵露 都发生在这一 区域，所述危险区域之外的部分为等离子刻蚀安全区域 b (细实线)，如图1所示。
需要指出的是所述旋转控制装置中的角度位置与所述下电极部 件上的角度位置是一致的。所有角度值，都是对应与一个基准轴线， 所述基准轴线可以是整个所述下电极部件的整个圆上任意一条半径， 为了方便起见选取所述等离子刻蚀反应腔中的所述真空抽气口的中 心与所述下电极部件中心的连线为所述基准轴线，在所述旋转控制装 置中对应的位置也是基准轴线，其他所有角度都是相对于所述基准轴 线给出的具体值。
其中步骤b中的所述预定策略可以有很多种实现方式，所述预定 策略能够使得所述晶圆的缺口位置旋转到所述预定刻蚀安全区域中 的特定位置，其中需将所述缺口位置旋转到所述特定位置的目的是 保证所述缺口不会在较长时间内出现在同一个位置，虽然已经定义了 所述预定刻蚀安全区域，在这个区域内对晶圆进行刻蚀，等离子体通 过所述晶圆的缺口造成所述下电极部件的损坏的可能性很小，但是也 应避免长时间内，连续多片晶圆的缺口都出现在同一个位置。最佳方 案是保证在一个较长的时间内，在所述等离子刻蚀反应腔中，所有进
8行等离子刻蚀的晶圆上的缺口尽量均匀地出现在所述预定刻蚀安全 区域的圆弧上的各个方位上。这个特定位置是随着时间或刻蚀晶圆的 数目不断变化的，不同的预定策略可能给出不同的特定位置，但是实 现的效果是一样的。
C.根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。
每片放入所述旋转控制装置的晶圆都要按照所述步骤a至c的顺 序进行操作。在步骤c之后可以将旋转后的晶圆放入等离子刻蚀反应 腔内进行等离子刻蚀。
根据本发明的第二方面，提供一种在半导体制程中用于保护等离 子刻蚀设备中的下电极部件的旋转控制装置，包括
探测装置，用于检测放置在所述旋转控制装置中的晶圆上的缺口 对应的缺口初始角度值；
计算装置，用于根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的 信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所 述晶圆旋转，可使得所述晶圆上的缺口旋转至'j所述预定刻蚀安全区域 中的特定位置；
控制装置，用于根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发
明的其它特征、目的和优点将会变得更加明显。
图1是等离子反应腔中的下电极部件的俯视示意图2是旋转控制装置中的晶圆放置台(对应于下电极部件)的俯
视示意图。
具体实施例方式
在0.13pm工艺中，使用本发明的方法进行了等离子刻蚀试验， 在其他工艺下，原理相同。
9[实施例I
在本实施例中，选取等离子刻蚀反应腔中的真空抽气口的中心p
点与下电才及部件中心o点的连线为基准轴线c,如图2所示，在旋转 控制装置中对应的位置也是基准轴线，其他所有角度都是相对于所述 基准轴线给出的具体值。基准轴线处为O度，以顺时针方向角度值逐 渐增加。基准轴线的位置是可以自由选择的，也可以定义逆时针方向 为角度增加方向。
根据本发明的第一方面，提供了一种在半导体制程中用于保护等 离子刻蚀设备中的下电极部件的方法，包括如下步骤
a. 检测放置在旋转控制装置中的晶圆上的缺口对应的缺口初始 角度值，这一步骤所涉及到的原理与现有技术相同；
b. 根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的信息，并基 于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所述晶圓旋 转，可使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域中的特定 位置；
其中，所述预定刻蚀安全区为等离子刻蚀安全区域，所述预定刻 蚀安全区域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度。所 述下限角度为120度，位置为d,所述上限角度值为270度，位置为 e,如图2所示。所述上限角度和下限角度是通过大量试验数据，经 过统计得到的，不同刻蚀条件、不同刻蚀设备与不同的工艺制程都会 影响到所述预定刻蚀安全区域的信息。在统计得到的结果的基础上， 适当的缩小所述等离子刻蚀安全区域的范围，即增加所述下限角度， 降低所述上限角度值，可以提供一个适当的安全裕度；也可以只选取 一个或几个所述预定刻蚀安全区域的特定几个区域，待刻蚀晶圆的缺 口只出现在这些区域之中，可以通过设定额外的(除了所述预定刻蚀 安全区域的上限、下限角度)所述预定刻蚀安全区域的信息，或者在 所述预定策略中实现，这种方法在当位于所述预定刻蚀安全区域中的 所述下电极部件的某些区域出现轻微损坏时，刻意地跳过这些区域， 即让所述缺口不出现在这些区域，那么所述下电极部件便可以继续使用。
其中步骤b中所述的预定策略可以由不同方式实现，举例说明如
下
策略1 :所述预定策略为选取预定角度序列中的数据。
所述预定角度序列为[O， 5, 10， 15... 145, 150],从第一个角度 O度开始，每过一个间隔(所述间隔可以是预定时间间隔也可以是晶 圆刻蚀次数间隔，比方说每刻蚀1片重新选取一个角度，或者每刻蚀 10片重新选取一个角度)按顺序选取下一个角度，直到选择到序列中 的最后一个角度150度，下一个间隔开始，从第一个角度O度开始重 新进入下一个选择循环，这一步也可以通过机器制动，如机器重启的 方式来实现。其中，所述间隔此处选为所述预定时间间隔，为1小时。 所述预定时间间隔一般在1~3小时，1小时在现有技术中最为常用。
计算所述调整角度值的方法为所述调整角度值等于下限角度值 减去所述缺口初始角度值的角度差值再加上选取的所述预定角度序 列的数据的值(即角度增量值)。如，检测到所述缺口初始角度值为 30度，选取的所述数据为65，则所述调整角度等于155度。
需要指出的是，所述预定角度序列中数据是可以变化位置的，但 是为了设置方便， 一般从小到大排列。所述数据的值的范围由所述上 限角度和下限角度决定，至少满足选取任何数值都可以使得最后得到 的所述调整角度值可以使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀 安全区域中。所述数据应该尽量在其取值范围之间平均分布，即使得 进行等离子刻蚀的晶圆上的缺口尽量均勻地出现在所述预定刻蚀安 全区域的圆弧上的各个方位上，这样更有利于延长所述下电极部件的 使用寿命。所述数据之间的最小差值也要满足一定要求，因为所述晶 圆上的缺口是有一定大小的，如果所述数据之间的差值过小，那么前 后两个小时内，等离子通过所述缺口轰击到所述下电极部件的区域就 会发生重合，不符合均匀分散等离子对所述下电极部件的损害。因此， 根据所述缺口的大小、离子刻蚀的浓度以及刻蚀温度等条件确定所述 数据间的最小差值， 一般为3 5。
ii还需指出的是，当希望待刻蚀的晶圆上的缺口只出现在所述预定 刻蚀安全区域的部分区域中时，在设定所述预定角度序列的时候需要 予以考虑，以满足需要。此外，所述预定角度序列中的角度也可以是 给出的绝对角度值(即不是本例中的相对于所述下限角度值，比方说
上面提到的10度，可以变成绝对角度值的130度)，这样，可以直 接通过选取的所述绝对角度减去所述缺口初始角度值得到所述调整 角度值。再者，也可以事先选择好一个初始角度值，比如说所述初始 角度值就是诉述基准轴线的0度，所有放入所述旋转控制装置中的晶 圆上的缺口都先旋转到所述初始角度值位置，然后以所述初始角度值 作为缺口初始角度值再完成上诉策略，这样相当于将所述晶圆旋转了 两次，这种方式也符合权利要求1的描述，只是在策略上不同而已。 由于实现方法很多，这里不再赘述。
策略2:所述预定策略为使用预定函数产生函数值，所述预定函 数是伪随机函数，即随机产生一个角度值。
每过一个间隔(同策略l中所述)，所述伪随机函数均会产生一 个伪随机数。
计算所述调整角度值的方法为所述调整角度值等于下限角度值 减去所述缺口初始角度值的差值再加上所述伪随机数。如，检测到所 述缺口初始角度值为30度，所述伪随机函数产生的所述伪随机数为 65,则所述调整角度等于155度。
需要指出的是，所述伪随机函数产生的所述伪随机数原则上可以 是非整数，但是最小精度受限于旋转控制装置所能达到的旋转精度， 本实施例中，设定产生的所述随机数均为整数。所述伪随机函数的值 域由所述上限角度和下限角度决定，至少满足选取任何数值都可以使 得最后得到的所述调整角度值可以使得所述晶圆的缺口位置旋转到 所述预定刻蚀安全区域中，此例中为
。由于所述伪随机函数是 具有良好的随机性和接近于白噪声的相关函数，所以可以实现在较长 时间内，产生的所述伪随机数均匀分布在所述伪随机函数的值域中， 使得所有进行等离子刻蚀的晶圓上的缺口尽量均匀地出现在所述预定刻蚀安全区域的圆弧上的各个方位上。所述伪随机数之间的最小差 值也要满足一定要求，相同值除外，因为所述晶圆上的缺口是有一定
大小的，原理在策略l中已经说明。 一般为3 5,此处选择数值为3。 也可以用随机产生的数值作为特定位置所对应的角度，并将所述 特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角度值，这时所 述随机函数的值域就是所述预定刻蚀安全区域了 ，在本例中为[120， 270〗。
需要指出的是，希望待刻蚀的晶圆上的缺口只出现在所述预定刻 蚀安全区域的部分区域中时，需要在随机产生数值中根据包括定义所 述部分区域的所述预定刻蚀安全区域的信息选择合适的数值，如果产 生的数值不满足要求，需要重新调用所述随机函数重新选择，直到随 机产生的数值满足要求为止。另外，设定初始角度值的方法与策略1 相同，此处不再赘述。
策略3:调整角度值等于所述旋转控制装置的使用时间除以预定 时间间隔的商的整数部分再乘以预定间隔角度值所得的积再加上所 述预定刻蚀安全区域的下限角度值与所述缺口初始角度值的差值。
此方法相当于每经过一个所述预定时间间隔，下一时刻经过旋转 后的晶圆上的缺口在所述刻蚀安全区域的位置将改变一个所述预定 间隔角度。所述预定时间间隔一般在1~3小时，l小时在现有技术中 最为常用，此处选择l小时。所述预定间隔角度为3度，因为所述晶 圆上的缺口是有一定大小的，原理在策略l中已经说明。
所述预定刻蚀安全区域的下限角度值为120度，这样就可以确定 所述调整角度值。如，在最开始放入第一片晶圆，检测到其缺口初始 角度值为30度，因为所述旋转控制装置的使用时间为0,则所述调整 角度等于90度；在0.5小时的时候放入的晶圆，检测到其缺口初始角 度值为25度，因为所述旋转控制装置的使用时间为0.5小时，则所述 调整角度等于95度；在1小时的时候放入的晶圆，检测到其缺口初 始角度值为40度，因为所述旋转控制装置的使用时间为1小时，则 所述调整角度等于83度；在2.7小时的时候放入的晶圆，检测到其缺
13口初始角度值为10度，因为所述旋转控制装置的使用时间为2.7小时， 则所述调整角度等于116度，以此类推。当所述旋转控制装置的使用 时间除以预定时间间隔的商的整数部分再乘以预定间隔角度值所得 的积大于所述上限角度与所述下限角度的差值时，即大于150的时候， 所述旋转控制装置的使用时间被初始置0，这一步也可以通过机器制 动，如机器重启的方式来实现。
需要指出的是，当希望待刻蚀的晶圆上的缺口只出现在所述预定 刻蚀安全区域的部分区域中时，当计算得到的调整角度值不符合要 求，那么可以将所述机器使用时间加上一个所述预定时间间隔，然后 再重新计算所述调整角度值，直到满足要求。另外，设定初始角度值 的方法与策略l相同，此处不再赘述。
c.按照所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。 旋转方向为角度增加的方向，在本实施例中为顺时针方向。当所 述调整角度值大于等于零时，所述晶圆被顺时针旋转一个所述调整角 度；当所述调整角度值小于零，所述晶圆被顺时针旋转的角度值等于 所述调整角度值加上360。如，所述调整角度为155度，则所述晶圆 被顺时针旋转155度；再如，所述调整角度为-10度，则所述晶圓被 顺时针旋转350度。
每片放入所述旋转控制装置的晶圓都要按照所述步骤a至c的顺 序进行旋转。在步骤c之后可以将旋转后的晶圆放入等离子刻蚀反应 腔内进行等离子刻蚀。
根据本发明的第二方面，提供一种在半导体制程中用于保护等离 子刻蚀设备中的下电极部件的旋转控制装置，包括
探测装置，用于检测放置在所述旋转控制装置中的晶圆上的缺口 对应的缺口初始角度值；
计算装置，用于根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的 信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所
14述晶圆旋转，可使得所述晶圓上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域 中的特定位置；
控制装置，用于根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。 比较例
使用原有技术中的方法，晶圆上缺口的初始位置并不特别限定， 而通常是从如实施例中的基准轴线的位置开始，放在下电极部件上的
晶圆上的缺口最终位置将按顺时针方向每小时增加3度。
当所述缺口最终位置处于大于所述上限角度和小于所述下限角 度的时候，即进入了等离子刻蚀的危险区域后，由于真空抽气的原因， 将会导致这一区域的所述下电极部件的表面涂层加速脱落，露出金属 铝，这不仅使下电极损坏，而且使晶圆受到从下电极上被轰击出的杂 质的污染，从而使晶圆缺陷增加，导致成品率下降。
使用比较例中的方法使用12台等离子刻蚀设备4个月，在4个 月中一共更换了 14次下电极部件；使用实施例中的方法使用12台等 离子刻蚀设备4个月，在4个月中仅更换了 2次下电极部件。进一步 地，对所有机器的工作时间总和进行了综合评定，所述下电极部件的 使用寿命从原来的300小时左右，上升到2000小时左右。
不但下电极部件的使用寿命得到了提高，进行等离子刻蚀的晶圓 上的缺陷密度也有所下降。
1权利要求
1. 一种在半导体制程中用于保护等离子刻蚀设备中的下电极部件的方法，其特征在于，一次晶圆刻蚀过程包括以下步骤a. 检测放置在旋转控制装置中的晶圆上的缺口对应的缺口初始角度值；b. 根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所述晶圆旋转，可使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域中的特定位置；c. 根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定策略包括 以下任一项-由预定角度序列中选择所述预定刻蚀安全区域中的特定位置 所对应的角度，并将所述特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取 所述调整角度值；或-随机地确定所述预定刻蚀安全区域中的特定位置所对应的角 度，并将所述特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角 度值。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定刻蚀安全区 域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度，其中，所述 步骤b包括-将所述预定刻蚀安全区域的下限角度与所述缺口初始角度值 相减来获取角度差值，在预订角度增量序列中选择或随机地确定一个 角度增量值；-将所述角度差值与所述角度增量值相加，以获取所述调整角度值。
4，如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述步骤b还包括 根据所述缺口初始角度值、所述预定刻蚀安全区域信息并基于预定策略来确定所述调整角度值，以使得在多次晶圆刻蚀过程中晶圆的 缺口旋转到达的多次特定位置在所述预定刻蚀安全区域中基本为平 均分布。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预定策略为以 下各项中的任一项-对同一间隔的多次晶圆刻蚀过程，由预定角度序列中选择所述 预定刻蚀安全区域中的同一特定位置所对应的角度，并将所述特定角 度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角度值；或-对同一间隔的多次晶圆刻蚀过程，随^U也确定所述预定刻蚀安 全区域中的同 一特定位置所对应的角度，并将所述特定角度与所述缺 口初始角度值相减来获取所述调整角度值；其中，所述间隔为预定时间间隔或晶圓刻蚀次数间隔。
6，如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预定刻蚀安全 区域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度，所述调整 角度值等于所述旋转控制装置的使用时间除以预定时间间隔的商的 整数部分再乘以预定间隔角度值所得的积再加上所述预定刻蚀安全 区域的下限角度值与所述缺口初始角度值的差值。
7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，当经过所述调整角 度值旋转晶圆后，所述晶圆上的缺口转入所述预定刻蚀安全区域之外 时，所述旋转控制装置的使用时间被初始置零，重新开始计算所述调 整角度值。
8. 如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述预定时间 间隔为1~3小时，所述预定间隔角度为2 5度。
9. 一种在半导体制程中用于保护等离子刻蚀设备中的下电极部 件的旋转控制装置，其特征在于，包括探测装置，用于检测放置在所述旋转控制装置中的晶圆上的缺口 对应的缺口初始角度值；计算装置，用于根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所 述晶圆旋转，可使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域中的特定位置；控制装置，用于根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。
10. 如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述预定策略包括 以下^f壬一项所对应的角度，并将所述特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取 所述调整角度值；或-随机地确定所述预定刻蚀安全区域中的特定位置所对应的角 度，并将所述特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角 度值。
11. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述预定刻蚀安 全区域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度，其中， 所述计算装置用于将所述预定刻蚀安全区域的下限角度与所述缺口 初始角度值相减来获取规范化角度值，在预订角度增量序列中选择或 随机地确定一个角度增量值；所述计算装置用于将所述规范化角度值 与所述角度增量值相加，以获取所述调整角度值。
12. 如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述计算装置还用 于根据所述缺口初始角度值、所述预定刻蚀安全区域信息并基于预定 策略来确定所述调整角度值，以使得在多次晶圆刻蚀过程中晶圆的缺 口旋转到达的多次特定位置在所述预定刻蚀安全区域中基本为平均 分布。
13. 如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述预定策略为 以下各项中的任一项-对同一间隔的多次晶圆刻蚀过程，由预定角度序列中选择所述 预定刻蚀安全区域中的同 一特定位置所对应的角度，并将所述特定角 度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角度值；或-对同一间隔的多次晶圆刻蚀过程，随机地确定所述预定刻蚀安全区域中的同一特定位置所对应的角度，并将所述特定角度与所述缺口初始角度值相减来获取所述调整角度值；其中，所述间隔为预定时间间隔或晶圆刻蚀次数间隔。
14. 如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述预定刻蚀安 全区域的信息包括预定刻蚀安全区域的上限角度和下限角度，所述调 整角度值等于所述旋转控制装置的使用时间除以预定时间间隔的商 的整数部分再乘以预定间隔角度值所得的积再加上所述预定刻蚀安 全区域的下限角度值与所述缺口初始角度值的差值。
15. 如权利要求14所述的装置，其特征在于，当经过所述调整 角度值旋转晶圆后，所述晶圆上的缺口转入所述预定刻蚀安全区域之 外时，所述旋转控制装置的使用时间被初始置零，重新开始计算所述 调整角度值。
16. 如权利要求13或14所述的装置，其特征在于，所述预定时 间间隔为1~3小时，所述预定间隔角度为2~5度。
全文摘要
等离子刻蚀是集成电路制造中的关键工艺之一，等离子刻蚀设备用于晶圆的等离子刻蚀，其下电极部件经常会遭到损坏。本发明涉及一种保护所述下电极部件的方法和对应的旋转控制装置。旋转控制装置通过将其中的待刻蚀的晶圆按预定信息进行旋转，将晶圆上的缺口(notch)旋转到预定安全区域中的特定位置，从而有效防止刻蚀中由于所述缺口进入非安全区域所引起的所述下电极部件损坏。
文档编号H01L21/00GK101498940SQ20081003336
公开日2009年8月5日 申请日期2008年1月31日 优先权日2008年1月31日
发明者睿 吕, 季鹏联, 锐 张, 曾最新, 李大勇, 涛 杨, 沈卓敏 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司