基片处理方法、输送处理材料的旋转单元及基片处理装置的制作方法

专利名称：基片处理方法、输送处理材料的旋转单元及基片处理装置的制作方法
技术领域：
本发明实施例涉及一种处理基片的方法、向基片输送处理材料的旋转 单元、和具有该旋转单元的基片处理装置。更具体地，本发明的实施例涉 及一种同时处理基片的上表面和下表面的方法、向基片的下表面输送处理 材料的旋转单元、以及具有该旋转单元的基片处理装置。
背景技术：
通常，如半导体存储器之类的集成电路器件，通过在如硅晶片之类的 半导体基片上进行各种重复的单元操作而制成。例如，通过蚀刻基片的蚀 刻处理、清洗各种污染物的清洗处理和干燥在蚀刻处理和清洗处理中的处 理材料的干燥处理，形成集成电路。
有一种已广泛用于上述如蚀刻处理、清洗处理和干燥处理之类的单元 处理中的喷射装置，以将处理材料，例如蚀刻液、清洗液和干燥气体喷到 基片上。在现有的单元处理装置的结构中，该喷射装置位于基片上方，处 理材料通过该喷射装置被喷到基片的上表面上。然后， 一般地，基片上表 面上的处理材料因离心力而均匀地铺展到基片的整个上表面上，因为基片 以高角速度快速旋转。也就是说，基片上的处理材料通常朝基片的周边部 向外流，且有一些处理材料从基片流走。因此， 一些处理材料沿基片的侧 表面流到基片的下表面上。基片下表面上的所述处理材料会产生各种颗粒 和缺陷。
由于上述原因，将清洗装置和干燥气体设在基片的下表面下方，这样， 可通过清洗装置和干燥气体从基片的下表面除去残留的处理材料。例如， 去离子水和氮气(N2)分别广泛地用作清洗处理的清洗液和干燥处理的干燥
气体。然而，该清洗装置和干燥气体只能对基片的下表面作清洗处理和干 燥处理，因此，在不改变基片的情况下，难以对基片的下表面实施如附加 蚀刻处理之类的其它处理。
为了在基片的下表面上进行处理，将基片翻转并通过基片上方的喷射 装置将蚀刻液喷到下表面上。因此，为了处理基片，需要用于翻转基片的 附加部件，且该附加部件一定需要附加的空间，从而降低了基片处理装置
的空间利用率。

发明内容
本发明一实施例提供了一种同时处理基片的上表面和下表面的的方法。
本发明另一实施例提供了一种将处理材料输送到基片的下表面上的旋 转单元。
本发明的又一实施例提供了一种具有上述旋转单元的基片处理装置。 根据本发明的一些实施例，提供了一种基片处理方法。将该基片固定 在支承部上，并使其在支承部上旋转。有选择地将处理材料输送到该旋转 基片的下表面上；且有选择地将相同的处理材料输送到旋转基片的上表面 上。
在实施例中，所述将处理材料输送到基片的下表面上的步骤包括，在 离开所述下表面一间距的位置将所述处理材料喷到所述下表面的中心部和 靠近该中心部的中心邻近部。
在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 干燥气体在离所述下表面第一间距的第一位置喷射，而所述蚀刻液和清洗 液在离所述下表面第二间距的第二位置喷射，所述第二间距大于所述第一 间距。
在实施例中，所述干燥气体喷到所述基片的下表面的中心部上，而所 述蚀刻液和清洗液喷到所述基片的下表面的中心邻近部上。
在实施例中，所述蚀刻液和清洗液以第一方向喷到所述下表面上，而 所述干燥气体以不同于所述第一方向的第二方向喷到所述下表面上。
在实施例中，所述将处理材料输送到下表面上的步骤以及所述将处理 材料输送到基片的上表面上的步骤，是同时进行的。
根据本发明的一些实施例，提供了一种旋转单元，包括旋转部，基 片在其上旋转；位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支 承部；和位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的下表面分开的喷射器。 所述喷射器，在所述基片旋转时，有选择地将处理材料喷到所述基片的下 表面上。
在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所 述基片的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片 的下表面上；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部
且离所述基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷 到所述基片的下表面上。
在实施例中，所述第二间距大于所述第一间距。例如，所述第一间距
与第二间距之比为约1:2至约1:4。
在实施例中，所述第一和第二间距分别被相互独立地控制。
在实施例中，多个所述第二分喷射器围绕所述第一分喷射器，使得所 述第一分喷射器被所述第二分喷射器包围。
在实施例中，所述第一分喷射器和第二分喷射器，以基本上与所述基 片垂直的方向，将所述处理材料喷到所述基片的下表面上。或者，所述第 一分喷射器和第二分喷射器将处理材料以不同的方向喷到所述基片的下表 面上，使得所述干燥气体经所述第一分喷射器以第一方向喷射，而所述蚀 刻液和清洗液经第二分喷射器以不同于所述第一方向的第二方向喷射。
在实施例中，所述喷射器还包括封住所述喷射器的第一分喷射器和第 二分喷射器的下部的罩盖，从而防止经所述喷射器喷射的处理材料从所述 基片弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分喷射器的下部。所述罩盖的 周边部以倒置碟形方向向下倾斜，所述周边部相对所述罩盖的下表面倾斜 呈一角度。
根据本发明的一些实施例，提供了一种基片处理装置，包括旋转单 元，具有基片在其上旋转的旋转部、位于所述旋转部的上表面的周边部上 且支撑所述基片的支承部、和位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的 下表面分开的下喷射器；以及位于所述基片上方的上喷射器。所述下喷射 器在所述基片旋转时有选择地将处理材料输送到所述基片的下表面上，并 且在所述基片旋转时，所述处理材料通过所述上喷射器有选择地被输送到 所述基片的上表面上。
在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 下喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离 所述基片的下表面第一间距；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表
面的中心邻近部且离所述基片下表面第二间距。所述干燥气体经该第一分 喷射器喷到所述基片的下表面上，而所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射 器喷到所述基片的下表面上。
在实施例中，所述干燥气体经所述第一分喷射器以第一方向喷到所述 基片的下表面上，而所述蚀刻液和清洗液经第二分喷射器以不同于所述第 一方向的第二方向喷到所述基片的下表面上。
在实施例中，所述下喷射器还包括封住所述喷射器的第一分喷射器和
第二分喷射器的下部的罩盖，且所述罩盖的周边部以倒置碟形方向向下倾 斜，所述周边部相对罩盖的下表面倾斜呈一角度，从而防止所述经该喷射 器喷射的处理材料在从所述基片弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分 喷射器的下部。
在实施例中，所述下喷射器和上喷射器同时将所述处理材料分别喷到 所述基片的下表面和上表面上。
根据本发明的一些实施例，处理材料输送到基片的下表面上。具体地， 在离开所述下表面的位置将处理材料有选择地喷到所述基片的下表面上， 从而所述处理材料可均匀地喷到所述基片的下表面上。还有，以一倾斜角 向所述基片的周边部喷射蚀刻液或清洗液，从而防止喷射器因弹回的蚀刻 液和清洗液而堵塞。而且，通过经下喷射器和上喷射器同时喷射，可充分 地防止处理材料从所述基片的上表面流下而导致的颗粒。


通过下面结合附图的详细描述，将使实施例更加清楚。图1至图6表 示下面描述的非限制性的实施例。
图1为流程图，示出了根据本发明实施例的基片处理方法；
图2为剖视图，示出了本发明实施例的旋转单元的示意结构；
图3为剖视图，示出了图2所示旋转单元的喷射器的第一实施例；
图4为平面图，示出了图3所示喷射器的第一实施例；
图5为剖视图，示出了图2所示旋转单元的喷射器的第二实施例；及
图6为示出了根据本发明实施例的基片处理装置的示意结构D
具体实施例方式
参见示出本发明实施例的附图，下文将更详细地描述本发明。然而， 本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例 的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本技 术领域的技术人员完全了解本发明的范围。附图中，为了清楚起见，可能 对层和区域的尺寸和相对尺寸进行了夸大。
应理解，当将元件或层称为在另一元件或层"上"，或"连接至"另一元件 或层之时，其可以是直接在另一元件或层上或与另一元件或层连接，或者 存在居于其间的元件或层。与此相反，当将元件或层称为"直接"连接在另 一元件或层，或"直接"在另一元件或层上，则不存在居于其间的元件或层。 通篇相同的标记代表相同的元件。如本文中所使用的，用语"和/或"包括一
或多个相关的所列项目的任何或所有组合。
应理解，尽管本文中使用第一、第二、第三等用语来描述各种元件、 组件、区域、层和/或区段，但这些元件、组件、区域、层和/或区段并不受 到这些用语的限制。这些用语仅用于区分一元件、组件、区域、层和/或区 段与另一元件、组件、区域、层或区段。因此，下文所称之第一元件、组 件、区域、层或区段可称为第二元件、组件、区域、层或区段，而不脱离 本发明的教导。
如"下"、"上"等空间相关表述，在本文中使用这些用语以描述如图所示 的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应理解，这些与空间相关的 表述除图中所示方位之外，还用于涵盖在使用或操作中该装置的不同方位。 例如，若图中的该装置翻转，描述为在其它元件"下"侧的元件会转而定向 为在其它元件"上"侧。由此，该示例的用语"下"可同时涵盖"下"和"上"两个 方位。该装置可以是另外的方位(旋转90度或其它方位)，并且本文所作 出的这些空间相关表述需作相应地解释。
本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并不用于限制本发明。 如本文中所用的，单数形式的"一"、"所述"可用于包括复数形式，除非其上 下文明示。还应理解，当本说明书中使用表述"包括"之时，明确说明了存 在有所描述的部件、整体、步骤、操作、元件及/或组件，但并不排除存在 或附加有一个或多个其它部件、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们 的组。
根据剖视图对本发明的实施例进行描述，这些剖视图是本发明理想的 实施方式的(和中间结构的)示意图。同样地，作为例如制造工艺和/或公 差的结果，示图形状的变化形式是可以预期的。因此，本发明的实施方式 不应解释为限于本文所示区域的特定形状，而应包括例如因制造引起的形 状偏差。例如，显示为矩形的嵌入区域，通常具有圆的或弯曲的结构、和/ 或在其边缘的嵌入程度的梯度，而不是从嵌入区变为非嵌入区的二元变化。 同样地，通过嵌入形成的埋入区域可导致在该埋入区域和进行嵌入的表面 之间的区域之间的区域的一些嵌入。因此，附图中所示区域实际上是示意 的，其形状不用于表示装置的区域的实际形状，也不用于限制本发明的范 围。
除非另行详细说明，本文所使用的所有术语(包括科技术语)的意思 与本技术领域的技术人员所通常理解的一致。还应理解，诸如一般字典中 所定义的术语应解释为与相关技术的本文中的意思一致，并且不应解释为 理想化的或过度刻板的含义，除非在文中另有明确定义。
下面参考附图对本发明作详细说明。
图1为流程图，示出了根据本发明实施例的基片处理方法。
参见图1，将待处理基片装载到工艺室中(步骤S100)，然后使基片
在工艺室中旋转(步骤S200)。将如蚀刻液、清洗液和干燥气体之类的处 理材料输送到基片的下表面上(步骤S300)。将同样的处理材料输送到基 片的上表面上(步骤S400)。
在实施例中，可将基片装入工艺室并置于支承部上，以准备进行一系 列单元处理(步骤SIOO)。在本实施例中，基片下表面的周边部由支承部 支撑，使得基片的下表面及上表面在工艺室中进行处理。基片也可以以基 片的周边部固定于固定单元的状态位于支承部上。还有，基片也可通过基 片下表面的真空吸附器被吸附。
基片可按逆时针方向或顺时针方向旋转，因此可有效地处理基片的整 个表面(步骤S200)。例如，当将处理材料输送到基片的部分上，处理材 料会因基片上的离心力在基片的整个表面上均匀铺开。基片的旋转方向和 旋转速度可根据处理类型及处理液的类型和数量进行改变。
将处理材料输送到基片的下表面上。处理材料包括蚀刻液、清洗液和 干燥气体，它们根据基片上所要进行的处理进行选择。蚀刻液包括标准清 洗1 (SC-1)溶液、稀释的过氧化硫(DSP)溶液和稀释的氟化氢(DHF) 溶液。清洗液包括去离子纯水。干燥气体包括用于干燥蚀刻液或清洗液的 氮气(N2)。按照处理基片的处理步骤，将处理材料有选择地喷到基片的 下表面上。
在本发明实施例中，在离基片一间距的位置将处理材料喷到基片的下 表面上(步骤S300)。此时，将蚀刻液或清洗液喷到基片下表面上经过的 第一间距与将干燥气体喷到基片下表面上经过的第二间距不同，这样，干 燥气体不会被蚀刻液或清洗液中断。当第一间距与第二间距相同时，因为 干燥气体的喷射压力低于蚀刻液或清洗液的喷射压力，蚀刻液或清洗液会 被导向干燥气体。也就是说，干燥气体会跟随蚀刻液或清洗液。
为此，将第二间距控制为小于第一间距，使得干燥气体以比蚀刻液或 清洗液离基片近得多的距离喷到基片上。例如，第二间距与第一间距之比 为约3:5 约4:5。当第二间距与第一间距之比小于约2:5，干燥气体以非常 靠近基片的距离喷到基片上，以至于干燥气体可能弹回至干燥气体喷射装 置。还有，当蚀刻液或清洗液以离基片非常远的距离喷到基片，就需要增 加蚀刻液或清洗液的喷射压力。在本实施例中，干燥气体以离基片下表面 约6mm至约8mm的第二间距喷到基片上，且蚀刻液或清洗液以离基片下 表面约10mm的第一间距喷到基片上。
因此，包括蚀刻液、清洗液和干燥气体的处理材料可均匀铺展在基片 的整个下表面上。
在实施例中，处理材料输送到基片的中心部或靠近该中心部的基片的 中心邻近部上。也就是说，处理材料垂直喷到基片下表面的中心部上。或 者，处理材料喷到基片下表面的中心邻近部上。因为干燥气体比蚀刻液或 清洗液轻，且容易从基片下表面弹回，可将干燥气体，而非蚀刻液或清洗 液，喷到基片下表面的中心部上。这样，蚀刻液、清洗液和干燥气体因基 片旋转而均匀地铺开于基片的整个下表面。
在实施例中，干燥气体的喷射，和蚀刻液或清洗液的喷射可按不同方 向进行。例如，蚀刻液和清洗液以相对干燥气体喷射方向(该干燥气体喷 射方向与基片下表面垂直)倾斜地朝向基片的周边部喷到基片下表面上。 当蚀刻液或清洗液以类似干燥气体的方式垂直喷到基片下表面上时，蚀刻 液和清洗液容易从基片下表面弹回至用于清洗液和蚀刻液的喷射单元，该 喷射单元会被弹回的蚀刻液和清洗液堵塞。也就是说，倾斜喷射蚀刻液或 清洗液可充分地防止蚀刻液或清洗液喷射单元的堵塞。
将与喷到基片下表面上相同的处理材料有选择地喷到旋转基片的上表 面上(步骤S400)。例如，相同的处理材料输送到基片的下表面和上表面 上。在本实施例中，喷射到基片的下表面上和喷射到基片的上表面上同时 进行，从而可防止喷射到基片上表面上的处理材料向下流到基片的下表面。 因此，通过同时将处理材料喷到基片的上表面和下表面，可充分地将在下 表面上由上表面上的处理材料生成的颗粒减到最少。
根据本发明的实施例，在离开基片下表面的位置将处理材料有选择地 喷到旋转基片上，从而处理材料可在基片的整个下表面上均匀地铺开。还 有，蚀刻液和清洗液倾斜地喷到基片下表面，可充分地防止蚀刻液或清洗 液喷射单元被从基片下表面弹回的蚀刻液或清洗液堵塞。还有，同时将处 理材料喷到基片的上表面和下表面，可防止在下表面上出现由上表面上的 处理材料生成的颗粒。
图2为剖视图，示出了根据本发明实施例的旋转单元的示意结构。 参见图2，旋转单元100包括旋转部200、支承部300和喷射器400。 旋转部200可使基片IIO旋转，且包括转盘210和转轴220。 转盘210具有平的上表面，其形状根据基片110的形状和大小而定。 在本实施例中，转盘210的尺寸大于基片110。转轴220位于转盘210的下 表面的中心部，并向下延伸至马达(未示出)。因此，马达驱动转轴220
使其转动，且转盘210随转轴220以逆时针或顺时针方向旋转。也就是说，
基片110由旋转部200以逆时针或顺时针方向旋转。
支承部300支撑基片110，并设于旋转部200的上表面的周边部。例如， 在旋转部200的上表面的周边部上设有多个支承部300，使得支承部300 支撑基片110的周边部。支承部300形成为支撑脚，因此，多个支撑脚设 在一个圆的圆周线上，该圆的直径小于基片110的直径。因为该支承部相 对旋转部200具有高度，所以基片110与旋转部200的上表面的距离至少 为支承部300的高度。
喷射器400位于旋转部200的上表面212上，并朝向基片110的下表 面，从而喷射器400位于基片110下方。例如，喷射器400位于旋转部200 的上表面212的中心部。因此，喷射器400位于基片110下方的旋转部200 的上表面上，基片110与旋转部200的上表面分开。
在实施例中，喷射器400包括用于将干燥气体喷到基片110上的第一 分喷射器410和用于将蚀刻液和清洗液喷到基片110上的第二分喷射器 420，以及封住第一和第二分喷射器410和420的下部的罩盖430。例如， 第一和第二分喷射器410和420与基片110的下表面分开，从而通过第一 和第二分喷射器410和420，将包括蚀刻液、清洗液和干燥气体的处理材料 均匀地输送到基片110的下表面上。
下面参考图3至图5详细描述喷射器400。
图3为剖视图，示出了图2所示旋转单元的喷射器的第一实施例，图4 为平面图，示出了图3所示喷射器的第一实施例。
参见图2至图4，根据本发明第一实施例的旋转单元100的喷射器400 包括用于喷射干燥气体的第一分喷射器410，和用于喷射蚀刻液和清洗液的 第二分喷射器420，因此可将包括干燥气体、蚀刻液和清洗液的处理材料均 匀地输送到基片110的下表面上
在实施例中，第一分喷射器410位于旋转部200的上表面212上。具 体地，第一分喷射器410位于上表面212的中心部，而第二分喷射器420 位于靠近旋转部200的上表面212的中心部的中心邻近部。在本实施例中， 设有多个第二分喷射器420，且设置为围绕第一分喷射器410。第一分喷射 器410位于旋转部200的上表面212的中心部，可防止重量相对轻的干燥 气体从基片110的下表面弹回，使得干燥气体尽管重量较轻，也能在基片 110的下表面的整个表面上充分铺开。
具体地，第一分喷射器410位于旋转部200的上表面212的中心部， 而多个第二分喷射器420沿虚拟的圆周线围绕第一分喷射器410。第二分喷
射器420根据用于处理基片IIO的处理步骤设置。例如，第二分喷射器420 设置在旋转部200上，分别对应SC-1溶液、DSP溶液、DHF溶液和去离 子水。第二分喷射器420的数量大于处理步骤的数量，从而提供了备用的 第二分喷射器，以应对第二分喷射器420故障的紧急状况。
第一分喷射器410与基片110的下表面相隔第一间距dl，而第二分喷 射器420与基片110的下表面相隔第二间距d2， d2与dl不相等。当第一 间距dl基本上等于第二间距d2时，通过第一和第二分喷射器410和420 的喷射会相互干扰。例如，当第一分喷射器410的压力低于第二分喷射器 420的压力，且第一和第二分喷射器410和420位于与基片IIO相隔相同间 距的相同位置时，通过第二分喷射器420处理材料会被吸入来自第一分喷 射器410的流体。也就是说，从第二分喷射器420喷射的蚀刻液或清洗液 会混入来自第一分喷射器410的干燥气体。因此，第一和第二分喷射器410 和420与基片110的下表面相隔不同的间距。
在实施例中，第二分喷射器420比第一分喷射器410离基片110的下 表面更远。也就是说，第二间距d2大于第一间距dl。例如，第一间距dl 与第二间距d2之比为约3:5至约4:5。当第一和第二间距dl和d2之比小 于约2:5时，第一分喷射器410离基片110的下表面太近，因此从第一分喷 射器410喷出的干燥气体弹回第一分喷射器410。此外，当第二分喷射器 420离基片110的下表面太远时，需要增加第二分喷射器420的压力。因此， 第一间距dl为约6mm至约8mm，而第二间距d2为约10mm。
在实施例中，第一和第二间距dl和d2分别由控制器(未示出)控制， 使得第一和第二分喷射器410和420通过控制器相互独立地定位。在另一 实施例中，通过控制支撑脚300的高度来调整第一和第二分喷射器410和 420的间距dl和d2。因此，第一和第二分喷射器410和420的间距可根据 基片的尺寸、处理材料的量和喷射压力进行改变，从而处理材料可根据其 种类有效地喷到基片110上。
第一和第二分喷射器410和420以相同方向喷射处理材料。例如，通 过第一和第二分喷射器410和420，处理材料以相对基片的下表面的垂直方 向喷到基片110的下表面上。也就是说，处理材料通过第一和第二分喷射 器410和420向上喷至基片110的下表面。
第一和第二分喷射器410和420还以相对基片110的下表面不同的角 度喷射处理材料，使得处理材料以不同的方向喷到基片110的下表面。例 如，干燥气体通过第一分喷射器410垂直地喷到基片110的下表面上，从 而可充分地从基片110的下表面除去蚀刻液或清洗液。蚀刻液或清洗液通
过第二分喷射器420相对基片110倾斜地喷到基片的下表面。
在实施例中，第二分喷射器420为圆筒状，该圆筒状的上部相对基片 110的下表面向下倾斜，使得圆筒状的第二分喷射器420的上表面的法向矢 量相对于基片110的下表面呈第一角度ej顷斜。也就是说，第二分喷射器 420靠近旋转部200的中心部的侧壁的高度高于第二分喷射器420远离旋转 部200的中心部的侧壁的高度，使得来自第二分喷射器的处理材料相对于 基片IIO倾斜地喷到基片110上。
如图3所示，圆柱状第二分喷射器420的上表面相对第二分喷射器420 的靠近旋转部200的中心部的侧壁呈第一角度e,倾斜，因为圆柱状第二分 喷射器420的上表面的法向矢量相对基片iio的下表面呈第一角度ej页斜。 当第一角度6i基本等于0°时，蚀刻液或清洗液可以基本垂直于基片110下 表面的方向喷射，因此蚀刻液或清洗液可以与干燥气体喷射到基片110上 的相同方向喷射。此外，当第一角度"大于60。时，蚀刻液或清洗液沿基片 110的下表面的周边部聚积，从而有损蚀刻液或清洗液喷射的均匀程度。为 此，第一角度^控制在约0。至约60°之间。
如上所述，圆柱状第二分喷射器420的上表面相对基片110的下表面 倾斜，因此蚀刻液或清洗液被倾斜地喷到基片110的下表面上。因此，蚀 刻液或清洗液以不同于第一分喷射器410的喷射方向喷射到基片110的下 表面上，从而防止第二分喷射器420被蚀刻液或清洗液堵塞。
喷射器400还可包括包封住第一和第二分喷射器410和420的下部的 罩盖430。
罩盖430位于旋转部200的上表面212与第一和第二分喷射器410和 420的边界部，且形成为碟状。当第一和第二分喷射器410和420穿过旋转 部200的转盘210时，罩盖430充分地密封转盘210与第一和第二分喷射 器410和420之间的间隙，从而防止蚀刻液或清洗液渗入间隙。
在实施例中，罩盖430的周边部以倒置碟形方向向下倾斜，周边部相 对罩盖430的下表面倾斜呈第二角度02。因此，罩盖430的周边部朝旋转 部200的周边部倾斜。
例如，罩盖430呈裙状，因此罩盖430的侧壁相对旋转部200的上表 面212呈第二角度92倾斜，从而，从基片IIO下表面弹回的处理材料朝旋 转部200的周边部流动。也就是说，弹回的蚀刻液或清洗液由于罩盖430 的倾斜侧壁而朝基片110的周边部流动。因此，可防止从第一和第二分喷 射器410和420喷射的处理材料堆积在第一和第二分喷射器410和420的 下部。
根据本发明实施例，第一和第二分喷射器410和420与基片110分开， 且蚀刻液、清洗液和干燥气体经第一和第二分喷射器410和420有选择地 喷到基片110的下表面上。因此，处理材料均匀地铺在基片110的整个表 面上。还有，第二分喷射器420相对基片110的下表面倾斜呈一角度，从 而防止第二分喷射器420被弹回的处理材料堵塞。
图5为剖视图，示出了图2所示旋转单元的喷射器的第二实施例。
参见图5，喷射器500的第二实施例包括喷射干燥气体的第一分喷射器 510和喷射蚀刻液及清洗液的第二分喷射器520。
第一分喷射器510将干燥气体以垂直方向喷到基片110的下表面。第 一分喷射器510具有与参见图2至图4详细说明的第一分喷射器410相同 的结构和构造，因此下文省略对第一分喷射器510的详细说明。
第二分喷射器520喷射处理材料的方向与第一分喷射器510的喷射方 向不同。例如，第二分喷射器520，以相对基片110的垂直线(法向)呈一 倾斜角，朝基片110的周边部喷射处理材料。
因此，第一分喷射器510与基片IIO垂直，而第二分喷射器520朝基 片IIO的周边部倾斜。
在本实施例中，第二分喷射器的喷孔朝基片向外弯曲，使得喷孔以一 倾斜角朝向基片110。因此，蚀刻液或清洗液经第二分喷射器520朝基片 110的周边部喷射。这样，可防止第二分喷射器520的喷孔被从基片110 弹回的蚀刻液和清洗液堵塞。
图6示出了根据本发明实施例的基片处理装置的示意结构。本发明实 施例的装置的旋转单元的结构和构造与参考图2至图4所描述的相同，因 此省略对该旋转单元的详细描述。在图6中，相同的引用标记表示与图2 至图4中相同的元件。
参见图6，处理基片的装置600 (下称处理装置)包括为基片110的 处理提供空间的室700、位于室700内的旋转单元100和位于基片IIO上方 的喷射器800。
在实施例中，室700提供对基片110作一系列处理的空间，其可以是 如收集杯之类的各种形状。该室可防止当在室700对基片IIO进行如蚀刻 处理、清洗处理和干燥处理等处理过程时处理材料向各个方向散落，从而 防止处理材料对室700周围的装置或室700环境的污染。
室700装有排放口 710，可通过该排放口从室700中除去处理材料。例 如，排放口 710穿过室700的底部或侧壁。
基片110固定于旋转单元100并可在旋转单元100上旋转。旋转单元 100的下喷射器400与基片110的下表面分开，并有选择地将蚀刻液、清洗
液和干燥气体中的一种喷到旋转基片iio的下表面上。
上喷射器800位于基片IIO上方。在实施例中，上喷射器800经连接 着驱动装置810的支撑杆820与驱动装置810电连接，并且臂830与支撑 杆820和上喷射器800连接，使得上喷射器800可通过驱动装置810在基 片IIO上方移动。
还有源输送装置840连接到上喷射器800，该源输送装置840包含处理 材料，如蚀刻液、清洗液和干燥气体。此外，在源输送装置840和上喷射 器800之间的管线上装有控制阀842，从而可根据不同的处理条件来控制输 送到上喷射器800内的处理材料的量。
上喷射器800将与经下喷射器400喷到基片110的下表面上的相同处 理材料中的一种喷到该基片的上表面上。
在实施例中，处理材料可经下喷射器400和上喷射器800喷到基片110 的上表面和下表面上。例如，在清洗处理时，清洗液经上喷射器800喷到 基片110的上表面上，同时清洗液经下喷射器400喷到基片110的下表面 上。也就是说，下喷射器400和上喷射器800用于相同的处理。
虽然基片110的上表面的周边部上的处理材料会意外地向下流到基片 110的下表面上，但经下喷射器400向所述下表面的周边部的喷射可防止处 理材料从基片110的上表面流到下表面上。因此，通过经下喷射器400和 上喷射器800同时喷射可防止因处理材料从基片110的上表面流下产生的 颗粒。
根据本发明的一些实施例，处理材料输送到基片的下表面上。具体地， 在与所述下表面分开的位置将处理材料有选择地喷到基片的下表面上，从 而处理材料可均匀地喷到基片的下表面上。
还有，蚀刻液和清洗液以一倾斜角朝基片的周边部喷射，从而防止喷 射器因弹回的蚀刻液和清洗液而堵塞。
而且，通过经下喷射器和上喷射器同时喷射，可防止因处理材料从基 片的上表面流下而产生的颗粒。
前述内容阐述了本发明，但不应理解为对本发明的限制。虽然描述了 本发明的一些实施例，本领域的技术人员容易理解，可以对所述实施例作 很多修改，而不会从实质上脱离本发明的新的教示和优点。因此，所有这 些修改包括在权利要求界定的本发明范围内。在权利要求中，手段加功能 的用语用于覆盖本文描述的用于实施所提及的功能的结构，以及结构等同 物和等同结构。因此，应理解前述内容是对本发明的阐述而不是对所公开
的具体实施方式
的限制，并且，对公开的实施例的修改以及其它实施例包 含在所附权利要求的范围内。本发明由所附权利要求和包括在其中的权利 要求的等同物限定。
权利要求
1. 一种基片处理方法，包括使固定在支承部上的基片旋转；有选择地将处理材料输送到该旋转基片的下表面上；且有选择地将该处理材料输送到该旋转基片的上表面上。
2. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述将处理材料输送到基片的 下表面上的步骤，包括在离开所述下表面一间距的位置将所述处理材料 喷到所述下表面的中心部和靠近该中心部的中心邻近部。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述处理材料包括干燥气体、 蚀刻液和清洗液，且所述干燥气体在离所述下表面第一间距的第一位置 喷射，而所述蚀刻液和清洗液在离所述下表面第二间距的第二位置喷 射，所述第二间距大于所述第一间距。
4. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干燥气体喷到所述基片的 下表面的中心部上，而所述蚀刻液和清洗液喷到所述基片的下表面的中 心邻近部上。
5. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述蚀刻液和清洗液以第一方 向喷到所述下表面上，而所述干燥气体以不同于所述第一方向的第二方 向喷到所述下表面上。
6. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将处理材料输送到下表面 上的步骤以及所述将处理材料输送到基片的上表面上的步骤，是同时进 行的。
7. —种旋转单元，包括旋转部，基片在其上旋转；位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支承部；和 位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的下表面分开的喷射器，所述喷射器，在所述基片旋转时，有选择地将处理材料喷到所述基片的下表面上。
8. 如权利要求7所述的旋转单元，其特征在于，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所述基片 的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片的下 表面上；和 第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所述 基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷到所述 基片的下表面上。
9. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，所述第二间距大于所述第 一间距。
10. 如权利要求9所述的旋转单元，其特征在于，所述第一间距与第二间 距之比为约1:2至约1:4。
11. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，所述第一和第二间距分 别被相互独立地控制。
12. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，多个所述第二分喷射器 围绕所述第一分喷射器，使得所述第一分喷射器被所述第二分喷射器 包围。
13. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，所述第一分喷射器和第 二分喷射器，以基本上与所述基片垂直的方向，将所述处理材料喷到 所述基片的下表面上。
14. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，所述干燥气体经所述第 一分喷射器以第一方向喷射，而所述蚀刻液和清洗液经第二分喷射器 以不同于所述第一方向的第二方向喷射。
15. 如权利要求8所述的旋转单元，其特征在于，所述喷射器还包括封住 所述喷射器的第一分喷射器和第二分喷射器的下部的罩盖，从而防止 经所述喷射器喷射的处理材料从所述基片弹回后残留在所述第一分喷 射器和第二分喷射器的下部。
16. 如权利要求15所述的旋转单元，其特征在于，所述罩盖的周边部以倒 置碟形方向向下倾斜，所述周边部相对所述罩盖的下表面倾斜呈一角 度。
17. —种基片处理装置，包括旋转单元，具有基片在其上旋转的旋转部、位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支承部、和位于所述旋转部的上 表面上且与所述基片的下表面分开的下喷射器，所述下喷射器在所述 基片旋转时有选择地将处理材料输送到所述基片的下表面上；以及上喷射器，其位于所述基片上方，在所述基片旋转时，所述处理 材料通过所述上喷射器有选择地被输送到所述基片的上表面上。
18. 如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述下喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所述基 片的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片 的下表面上；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所 述基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷到 所述基片的下表面上。
19. 如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述干燥气体经所述第一分 喷射器以第一方向喷到所述基片的下表面上，而所述蚀刻液和清洗液 经第二分喷射器以不同于所述第一方向的第二方向喷到所述基片的下 表面上。
20. 如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述下喷射器还包括封住所 述喷射器的第一分喷射器和第二分喷射器的下部的罩盖，且所述罩盖 的周边部以倒置碟形方向向下倾斜，所述周边部相对罩盖的下表面倾 斜呈一角度，从而防止所述经该喷射器喷射的处理材料在从所述基片 弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分喷射器的下部。
21. 如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述下喷射器和上喷射器同 时将所述处理材料分别喷到所述基片的下表面和上表面上。
全文摘要
在用于使基片旋转的旋转单元以及基片处理方法中，基片固定在支承部上并在支承部上旋转。包括干燥气体、蚀刻液和清洗液的处理材料有选择地输送到旋转基片的下表面上。还可有选择地将相同的处理材料输送到基片的上表面上。通过经第一和第二分喷射器同时输送处理材料，同时处理基片的上表面和下表面。
文档编号H01L21/00GK101393850SQ20081016630
公开日2009年3月25日 申请日期2008年9月19日 优先权日2007年9月19日
发明者宋吉勳, 朴平宰 申请人:细美事有限公司