专利名称：关键工艺参数的提取的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种提取关键工艺参数的方法，特别涉及一种提取 与选出的装置参数有关的关键工艺参数的方法。
背景技术：
集成电路在晶片制造场所中通过多个工艺来产生。这些工艺与 相关制造工具可包含热氧化、扩散、离子植入、快速热处理(RTP)、 化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、磊晶形成/生长工艺、 烛刻工艺、孩i影工艺和/或在此领^^中已知的其它制造工艺与工具。 此外，制造工艺包括多个度量工艺，以用来监测与控制集成电路制 造优良率、质量与可靠度。
在生产集成电路期间，制造工艺会产生大量数据。然而，负责 集成电路制造工艺与设备的工艺与设备工程师，仅能通过进行各种 实验(例如DOE)、或通过生产经验来确定制造工艺参数与集成电 路性能(例如对在半导体基板或晶片上制造的集成电路所做的测量)间的关系。累积此种数据与知识会耗用大量的资源。此外，仅 能对主动参数(例如气体流速)而无法对一皮动参ft (例如反射功率) 进行实验。另外，仍难以确定在一实验(例如在分批作业中)选出 的每一 参数对集成电路性能的影响。
因此，需要一种能加强判断参数(例如一工艺参数)与集成电 路装置性能间的相关性的方法。
发明内容
提供了一种方法，包括选出装置参数与收集工艺数据。工艺数 据包含时序工艺数据，以及与多个工艺参数有关的数值。总结时序 工艺数据。进行相关性分析。相关性分析识别出关键参数，关键参 数包含在多个工艺参数中。关键工艺参数与选出的装置参数有关。 产生选出的装置参数的基因地图。
还提供了 一种计算机可读取媒介。计算机可读取^某介包括确定 工艺参数的指令。这些指令包括接收工艺数据以及相应的装置性能 数据。工艺数据与第一、第二、第三、及第四工艺参数有关。总结 工艺数据。将第一、第二、第三、及第四工艺参数分组成第一群与 第二群。利用第一、第二、第三、及第四工艺参数间的相关性来进 行分组。产生用于第一群的相关性矩阵。产生用于装置参数的基因 地图。基因地图包括第一群与装置参数的相对相关性，以及第二群 与装置参数的相对相关性。
还进一 步地提供了 一系统。此系统可被操作来收集制造数据。 制造数据包含时序数据。系统将总结此时序数据。确定第一制造参 数与第二制造参数间的相关性。还确定包括第 一制造参数及第二制 造参数的群组与集成电路性能间的相关性。产生示出群组与集成电 路性能间的相对相关性的基因地图。
连同附图研读以下详细说明可最佳地理解本发明的方面。要强 调的是，依照产业所实施的标准，各特征并不按比例绘制。事实上， 为了讨论的清楚，各特征的尺寸可被任意放大或缩小。
图1是示出了一种提取关键工艺参数方法的实施例的流程图2是示出了一计算机系统的实施例的方块图3是示出了一种相关性分析方法的实施例的流程图4是示出了用于图3的方法中的一阶层二元树的实施例的图
式；
图5是示出了一相关性矩阵的实施例的文件/画面图片(shot);
以及
图6是示出了一基因地图的实施例的文件/画面图片。
具体实施例方式
要理解的是，在此提供具体实施例，以实例教授更广泛的发明
概念，且本领域:技术人员将可容易地应用本发明的教导至其它方法 或设备。此外，要理解的是，在本发明中所讨论的方法与设备包含 一些已知的结构和/或工艺。因为这些结构与工艺在本领域中为众所 皆知的，将4又以一般的标准来4又述。本i兌明中会省略有些中间结构 和/或工艺，它们的内容仅仅是设计上的选择。此外，为了方便与实 例之用，在所有的附图中重复组件符号，重复并不意指在所有的附 图中，须组合任何的特征或步骤。参考图1,示出了一种用来提取关键工艺参数的方法100。方 法100起始于步骤102，在此选出一装置参数。装置参数包括与集 成电路有关的一参数，其包括一电性或物理参数，其可指出集成电 路装置性能。在一实施例中，在集成电路装置或其部分的晶片层测 试上，确定(例如测量)此装置参数的值。装置参数的实例包括Iddq (饱和电流的改变)、漏损参数、速度参数和/或本领域中已知的许 多其它装置参数。
此方法随后进4亍到步骤104,在此，确定与选出的装置参凄t有 关的晶片测试参数。换句话说，进行相关性分析以确定影响步骤102 中选出的装置参数的一或多个晶片测试参数。 一参数对另 一参数的 影响可通过统计工具来测量，i者如I^值(确定系凄t)。与装置参凄t 相关的晶片测试参数在此可祐^见为"关4走"晶片测试参凄t。在一实 施例中，关键晶片测试参数为那些具有比选出的值更大的RM直的； 选出的数值使用的准则，诸如待被分析的工艺性能、被使用进行相 关性分析的资源、和/或那些本领域技术人员已知的其它考虑。相关 性分析包含基因地图分析，将在以下图3作进一步的描述。在其它 实施例中，各种统计工具与方法可净皮用来确定一个或多个关键:WAT 参数。晶片测试参数也可被视为晶片接受测试(WAT)参数。晶片 测试(例如WAT )工艺包括在半导体基板(例如晶片)上形成的集 成电路的晶片层电性测试，或测试结构的晶片层电性测试。WAT工 艺典型地包括在晶片上多个测试位置(例如探针位置)的晶片测试 参数的量测。探针位置被置于晶片的切割线或散置于集成电路装置 之间。晶片测试参凄t可包括电阻、电流和/或其它在此领域中已知参 数的测量。与晶片测试参数有关的数值在此被描述为WAT数据。 为了进行相关性分析，可收集来自多个晶片与相应装置性能(例如 装置参lt的凝:值)的WAT。在一实施例中，可收集超过200个晶片 的WAT数据。在一实施例中，步骤104 ^皮省略。方法100随后进行到步骤106，在此确定关4建工艺参数。关键 工艺参数与关键晶片测试参数和/或选出的装置参数有关，其分别在 参考步骤104与102描述。换句话说，可进行相关性分析，以确定 影响步骤102中选出的装置参数的关键工艺参数。在一实施例中， 可进行相关性分析，以提取与步骤104的关键晶片测试参数相关的 工艺参数。
工艺参数包括与制造工艺有关的设备或计量参数。工艺参数的 值可在制造期间内(例如在生产线)被确定。与工艺参数有关的值 在此祐^见为工艺tt据。工艺参凄t可为主动参ft或纟皮动参H主动参 数包括在制造工艺期间内可容易具体指定的任何制造参数(诸如通 过定义设备的参数)。主动参数的实例包括射频功率、气体流率、 浓度、与处理时间。被动参数包括任何不为制造方法所确定的制造 参数，但为例如依据其它被动和/或主动参数的工艺本身，设备种 类，设备情况，晶片被处理的情况，和/或其它可能的因素。被动参 数的实例包括反射功率、周遭环境、污染程度以及工具本身的温度 和/或压力曲线。
为了进行相关性分析，收集包括用于设备参数与计量参数的数 据的工艺数据，以及相应装置性能(如装置参数的数值)和/或WAT 数据。在一实施例中，收集超过200个晶片的工艺数据。在一实施 例中，工艺数据包括错误诊断与分类(FDC )数据。在一实施例中， 收集与 一个或多个工艺参数有关的时序工艺数据(例如与设备参数 有关的数值)。时序工艺数据包括依据均匀时间间隔所收集的 一 串 数据、被处理晶片的数目、和/或可被确定的其它间隔。时序工艺数 据包括预防性保养工艺、设备修理工艺、设备清洁工艺、和/或制造 工艺的其它典型步骤之前与之后的数据。在一实施例中，可利用已 知的通用设备模式/半导体设备沟通标准通讯(GEM/SECS )来收集
10分析来总结时序工艺教:据，以提供与一个 或多个工艺参数有关的总结的工艺凄t据。
方法100随后进行到步骤108，在此可进行分批作业。在一实 施例中，步骤108^皮省略。利用步骤106确定的关4建工艺参数的各 种^t值来分批作业处理一个或多个晶片。在确定步骤106所确定的 关键参数的数值范围或最理想值时，分批作业是相当有用的。例如， 在一 实施例中，确定斥册才及氧4匕物形成室的一个或多个工艺'清况为一 选出的装置参数的关键工艺参数。在实施例中，分批作业可用来确 定具体的工艺情况(例如数值、设定)。
方法100随后进行到步骤110,在此进行工艺最佳化。可通过 调整关键工艺参数的数值而最佳化此工艺，关键工艺参数系在步骤 106中确定，其使用于制造工艺中。此数值可利用步骤108分批作 业所收集到的凄t才居来确定。在一实施例中，此工艺可通过改变例如 预防性保养工艺的间隔、清洁工艺、设备修理工艺、箱室闲置时间、 工艺温度和/或设备替代间隔而被最佳化。通过实例来说明，在一实 施例中，提取具体设备传感器变化以做为一关键工艺参数，其影响 一装置的等效氧化物厚度。进一步的分析则可提供在制造工艺期间 内可被调整的工艺参数(例如与传感器变化有关)，以限制一装置 的等效氧化物厚度的变化。
因此，方法IOO确定与选出装置参数有关的关键工艺参数。方 法100可被认为分成两层的阶层分析(例如(1 )提取关键WAT参 数与(2)提取关键工艺参数)。不过，在其它实施例中，可有其它 的阶层分析结构。
参考图2,示出了一种用来实施本发明实施例的计算机系统200 的实施例，其包含在此i兌明的系统与方法。在一实施例中，计算机
ii系统200包括例如在图1的方法100与图3的方法300中所描述的 提取关键工艺参数的功能。
计算才几系统200包括、微处理器204、输入装置210、存々者装置 206、系统内存208、显示器214与通ifl装置212,其均通过一个或 多个总线202互连。存储装置206可以是软盘机、石更盘机、CD-ROM、 光学装置、或任何其它存储装置。除此之外，存储装置206可有能 力接收软盘才几、硬盘才几、CD-ROM、 DVD-ROM、或者任4可其它形 式包含计算机可执行指令的计算机可读取媒体。通讯装置212为一 调制解调器、网络卡、或任何其它能使计算机系统与其它节点通讯 的装置。要理解的是，4壬4可计算才几系统200可>^表多个互连计算扭1 系统，诸如个人计算机、主机、个人数字助理与电话装置。通讯装 置212可允"i午计算才几系统200与用于集成电路制造和/或测i式的一个 或多个工具或计算冲几系统之间的通i凡。
计算机系统200包括能够执行机器可读取指令的硬件，以及用 来执行产生所期望结果的动作(典型地为机器可读取指令)的软件。 软件包括储存在任何内存媒体(诸如RAM或ROM )的任何机器码， 以及储存在其它存储装置(例如软/磁盘、闪存、或CD ROM)的初j 器码。软件可包括例如来源或目标码。此外，软件包括能够在客户 端机器或服务器中执行的任何组指令。硬件与软件的任何组合包括 一计算机系统。由计算机执行的编码包括用来提取关4建参数的编 码，其包括进行一相关性分析并产生一相关性矩阵和/或基因地图。
计算机可读取々某体包括被动数据储存，诸如随机存取内存，以 及半永久性数据储存，诸如光盘只读存储器(CD-ROM )。本发明 的一实施例可实施在一计算^/L的RAM中，以将标准计算^/L转换为 一全新具体的计算器。凄t据结构为可实施本发明的纟皮定义的凄t据组 织。例如， 一数据结构提供一数据组织或一可执行编码的组织。数 据信号可被载送穿过传送々某体，并储存与传送各种数据结构，因此可用来传送本发明的实施例。樣￡处理器204可进4亍在此所杀又述的相 关性分析。
显示器214可#皮#:作而以人类可阅读的形式来分别显示，例如
图4、 5、与6的阶层二元树、相关性矩阵和/或基因地图。数据库 216可以是在本领域中众所皆知的任何标准或专属数据库软件。无 限制数据库216的物理位置，可离服务器远距地存在，可通过因特 网或内部网络而被使用。所披露的数据库216包括多个数据库的实 施例。数据库216包括制造数据，包括例如工艺数据，像是设备数 据、计量数据；WAT数据；以及装置性能数据。
参考图3，其示出了一种相关性分析的方法300,以才是取与选 出的装置参数有关的关键工艺参数。所示相关性分析的方法可被用 来从多个制造参数提取一个或多个关键制造参数；关键参数与选出 的参数有关。制造参数包括例如工艺参数，诸如设备参数、计量参 数、晶片测试参数、最后测试参数、或在制造集成电路期间或之后 可被收集数据(例如制造参数值)的任何参数。
可使用方法300来进行方法100的步骤104和/或步骤106的相 关性分析。方法300进一步示出了一种利用基因地图分析计量的相 关性分析。在所示实施例中，方法300才是取与装置参凄t有关的关键: 工艺参数。然而，此说明仅仅用于提供说明之用，且方法300可被 使用来确定任何参数间的相关性，例如包括在诸如图1的方法100 中所描述的一层或多层的阶层分4斤。例^p，在一实施例中，方法300 可被使用来提取与装置参数有关的WAT参数。在另一实施例中， 方法300可被使用来提取与WAT参数有关的工艺参数。
方法300起始于步骤302，在此选出装置参数。步骤302实质 类似上述方法100的步骤102。方法300随后进4于到步骤304,在 此收集与多个工艺参数有关的工艺数据。在一实施例中，收集用于多个晶片的时序工艺数据与相应的晶片结果(例如装置参数值)。 工艺数据包括在已知晶片的制造工艺期间确定的 一个或多个设备
参数和/或计量参数的数值；相应的晶片结果包括已知晶片的装置参 数和/或WAT参数所确定出的数值。在一实施例中，收集至少200 个晶片的时序工艺数据与相应的晶片结果。
方法300随后进4于到步骤306,在此总结工艺数据或部分的工 艺数据。在一实施例中，总结数据包括确定出代表时序工艺数据(例 如i殳备凄t据)的一个或多个统计凄^直。统计值包4舌一最大^f直、 一最 小值、 一标准误差值与平均值、和/或其它可能的统计值。可总结时 序数据以确定出每一工艺步骤的最大值、最小值、标准误差值与平 均值中的一个或多个。通过实例来i兌明，在一实施例中，与射频功 率有关的工艺参数的时序数据被收集。针对晶片在与射频功率有关 的制造中所经历的每一工艺步骤，时序数据可被总结为最大值、最 小值、标准误差值、与平均值中的一个或多个。
方法300随后进4亍到步骤308，在此将工艺参凄t分组。可利用 阶层分群来将参数分组。在一实施例中，阶层分群包括确定高度相 关的第 一与第二参数，以及将第一与第二参数组成单一群以用于进 一步分析。 一群可包括高度相关的任意多个工艺参数。在一实施例 中，高度相关的参数具有至少0.8的112值。因此，在一实施例中， 一群包括彼此间具有至少0.8的112值的参数。在一实施例中， 一个 或多个群参数被聚在一起以形成一更大群。
一实施例中，阶层二元树可被使用来将参数分组。图4提供了 阶层二元树400。阶层二元树400包括包含相关距离的垂直轴402， 以及包含指定参数群的水平轴404。小的相关距离代表此群参数间 的高RM直。截止点406示出一选出的相关距离以提供参数间的适当 相关性。在一实施例中，具有截止点406以下的相关距离的群可净皮 进一步分析成一群，例如，可确定与一选出的装置参数相关的一群。方法300随后进行到步骤310，在此确定群与选出的装置参数 的相关性。也确定出次要群、关键群(例如那些与选出的装置参数 具有更大相关性的)。在一实施例中，就一个或多个群而言，通过 关^t组件转换加上逐步回归来计算群对装置参^t的R2值。在一实施 例中，群参数与装置参数有关，其在不同制造工艺步骤上都具有不 同才几制。在此实施例中，回归与R2计算在各步骤净皮分别实施。
如上所述，在一实施例中， 一群与选出的装置参凄幻'司的相关性 (例如R2值)由关键组件转换加上逐步回归来确定。例如，关键组
件转换可将高度相关的工艺参数转换成较小的数据集(例如群)。 举例来说，XI (参数)对选出的装置参数的112值是0.1 ， X2 (参数) 对选出的装置参数的R2值是0.1， XI及X2群的R2可为(1 ) 〉0.2, (2 ) =0.2或(3 ) < 0.2。情况(1 )、 ( 2 )或(3 )的结果取决于所 分析的数据。逐步回归利用满足条件的R2以选出落于指定情况(1 ) 下的工艺参数。换句话iJi,此方法能够找出一些参数，当将这些参 数分组在一起时，其与装置参数的相关性会大于将其个别分组时其 相关性的总和。
参考图3与5,方法300进行到步骤312,在此提供了用于一 个或多个群的相关性矩阵。图5示出了相关性矩阵500。相关性矩 阵500提供(例如示出) 一群的参数的相关性(例如RM直)。可通 过上述图2的显示器214来提供相关性矩阵500。可提供相关性矩 阵500给被确定为关4定群(例如与装置参数有足够相关性)的群。 相关性矩阵500包括垂直轴502,其包括提供相关性矩阵的群内的 多个参数。水平轴504包括相同的多个参数(为了容易使用，由数 字代表参数名字)。因此，对角线示出同一数值，即W等于1。相 关性矩阵500的项目，例如参考标号506所示出的项目提供参凄t间 的R"直。例如，参考标号506a示出参凄t B与参凄丈C间的R"直为 0.9。相关性矩阵500可被彩色编码，以容易地示出相对相关性数值。在一实施例中，R^直净皮分类为1、 <0.9、 <0.75、 <0.5、 <0.25、 <0.1、 <0、 <隱0.1、 <-0.25、 <-0.5、 <-0.75、 <-0.9、与<画1的 类别， 一个或多个类别以不同颜色显示。相关性矩阵500包括标题 508,其提供群命名以及对选出的装置参数的相关值(例如112值)。
参考图3与6,方法300随后进4亍到步骤314，于此产生示出 于图6的一基因地图600。基因地图600以多个工艺步骤示出工艺 参数或群参数与选出的装置参数间相关性的相对分级。基因地图 600可^皮示出在一显示器上，诸如上述图2所描述的显示器214。 基因地图600的好处在于，以相对分级对使用者突显与选出的装置 参数最有关的工艺参数。在一实施例中，步骤302中选出的每一装 置参凄t都^皮显示于一个基因地图。
基因地图600包括标示为1、 2、 3、 4、与5的多个制造工艺步 -骤602。垂直轴604 ^表多个工艺参凄史。在已确定各群参凄t与选出 的装置参数的相关性时，如以上步骤310中所述，各群可依据其相 关性的强度来分级，并且指定一相对号码。例如，具有对装置参凄t 的最高相关性的参数群(例如最高R"直)可被指定为"1"，具有对 装置参数的次最高相关性的参数群(例如第二高R"直)可被指定为 "2"等。基因地图600以指定分级来显示一群的各参数，如项目 606所示。基因地图600示出前七高群的分级，然而可存在任意凝: 的分级。
在一实施例中，4吏用者可选出项目606的其中一个，而参数名 字将4皮显示。在一实施例中， -使用者可选出项目606，而相关群的 所有参数将4皮显示，如方块608所示。在一实施例中，4吏用者可选 出一群，而可更详细地检阅。如此一来会产生一相关性矩阵，诸如 图5所述的相关性矩阵500。
16基因地图600的优点包括一高效率与有效的系统，以提供例如 工艺工程师的使用者以系统的方式，依各工艺参数影响选出的装置 参数的程度， 一个一个的检阅工艺参数。在其它实施例中，基因地 图可被用来显示任何多个参数(例如制造参数)与一选出参数(例 如指示装置性能)的相对相关性。
因此，方法300提供了一种方法以进行包含基因地图分析的相 关性分析。如前所述，方法300净皮用来选择一装置参H并选取与 装置参数高度相关的一个或多个工艺参凄t。然而，调整方法300以 确定任何多个参凄t与另 一参凄t的相对相关性的其它实施例是可能 存在的，所提供的范例如下。
在一实施例中，进行类似方法300的相关性分析以确定与选出 的装置参数相关的 一个或多个WAT参数。用来提取关键WAT参数 的相关性分析可用来与提取关键工艺参数的相关性分析结合。例 如，在一实施例中，装置参数被选出。相关性分析，诸如一种包括 方法300的基因地图分析的一个或多个步骤的分析，可用来提取与 选出的装置参数有关的关键WAT参数。相关性分析，诸如一种包 括方法300的基因地图分析的一个或多个步骤的分析，可用来提取 与已提取的关键WAT参数有关的关键工艺参数。
在一实施例中，4皮确定为与选出的装置参凄t有关的一群(例如 一关键群)可通过设备历史纪录而生效。设备历史纪录可提供何时 发生预防性保养、修理、新设备或部分的安装、清洁和/或其它设备 工艺。例如，装置性能数据(例如装置参数)的时间图可示出装置 性能趋势的改变，可归因于设备历史纪录所包含的工艺。例如，在 预防性保养工艺后，装置性能会立刻提高。虽然上述只详细说明了本发明的一些示范性实施例，但本领域 技术人员将在不背离本发明创新的教导与优点下，容易地了解示例 性实施例的各种1^改。
主要组件符号说明
100 方法
202 206 210
总线
存储装置 输入装置
214 显示器
400 阶层二元树
404 水平轴
500 相关性矩阵
504 水平轴
508 标题
602 制造工艺步骤
606 项目
200 计算机系统 204〗效处理器
208 系统内存
212 通讯装置
216 数据库
402 垂直轴
406 截止点
502 垂直轴
506 参考标号
600 基因;也图
604 垂直轴
608 方块。
18
权利要求
1. 一种提取工艺参数的方法，包括选出一装置参数；收集工艺数据，其中所述工艺数据包括时序工艺数据，且其中所述工艺数据包括与多个工艺参数有关的数值；总结所述时序工艺数据；以及进行一相关性分析，其中所述相关性分析识别出包含于所述多个工艺参数的一关键工艺参数，其中所述关键工艺参数与选出的装置参数有关，且其中所述相关性分析包括产生用于选出的装置参数的一基因地图。
2. 根据权利要求1所述的方法，还包括收集晶片测试数据，其中所述晶片测试数据包括与多个晶片测试参数有关的ft值；并且其中所述相关性分析包括识别出与选出的装置参数有关的所述多个晶片测试参数的一关键晶片测试参数。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，总结所述时序工艺数据包括自一最大值、 一最小值、 一标准偏差值、 一平均值、及其组合组成的 一群统计值中确定一统计值。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述相关性分析包括将所述多个工艺参数分组，以提供至少一第一群及一第二群。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一群相对于选出的装置参数的R2值大于所述第一群所包含的任何一个工艺参数的R2值。
6. 根据权利要求4所述的方法，其中，将所述多个工艺参数分组包括确定所述多个工艺参数间的一相关性。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述第 一群的所述多个工艺参数间的所述相关性包括至少0.8的R"直。
8. 根据权利要求4所述的方法，还包括利用 一主要组件转换与 一逐步回归来确定所述第 一群与选出的装置参数的所述相关性。
9. 根据权利要求4所述的方法，还包括提供一相关性矩阵给所述第 一群。
10. 才艮据权利要求1所述的方法，其中，所述多个工艺参邀:净皮分组成一第三群与 一第四群，且其中所述基因地图包括所述第三群及所述第四群的一分级，其中所述分级提供一相对相关性给选出的装置参数。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基因地图在多个工艺步骤示出所述多个工艺参数与选出的装置参数的相对相关性。
12. 根据权利要求1所述的方法，还包括进4亍一分批作业，以确定所述关4建工艺参lt的一l丈值。
13. —种计算机可读取媒体，包括计算机可读取指令以进行一相关性分析，所述计算机可读取指令提供指令以接收工艺数据与相应的装置性能数据，其中所述工艺数据与一第一工艺参数、 一第二工艺参数、 一第三工艺参数、及一第四工艺参凄t相关；总结所述工艺数据；将所述第一工艺参数与所述第二工艺参数分组成一第一群，并将所述第三工艺参数与所述第四工艺参数分组成一第二群，其中利用所述第 一工艺参数与所述第二工艺参数间的所述相关性以及所述第三工艺参凄t与所述第四工艺参ft间的所述相关性来确定所述分组；产生用于所述第 一 群的 一 相关性矩阵；产生用于一装置参数的一基因地图，其中所述基因地图包括所述第一群与所述装置参数的所述相对相关性，以及所述第二群与所述装置参数的所述相对相关性。
14. 根据权利要求13所述的计算机可读取媒体，其中，所述基因地图在多个工艺步骤包括所述第一群与所述装置参数的所述相对相关性，以及所述第二群与所述装置参凄t的所述相对相关性。
15. 根据权利要求13所述的计算机可读取々某体，还包括指令以产生包含所述第一工艺参数、所述第二工艺参数、所述第三工艺参数及所述第四工艺参数的 一阶层二元树。
16. 根据权利要求13所述的计算机可读取々某体，其中，总结所述数据包括总结时序装置数据。
17. —种半导体工艺系统，所述系统包4舌至少一子系统，以收集制造数据，利用所收集的所述制造数据来确定一 第 一制造参数与一第二制造参数间的一相关性；确定包括所述第一制造参数及所述第二制造参数的一群组与一集成电路性能间的一相关性；以及产生一基因地图以示出所述群组与所述集成电路性能的一相对相关性。
18. 根据权利要求17所述的系统，其中，所述制造数据包括失误检测与分类数据。
19. 根据权利要求17所述的系统，还包括一子系统，以产生用于所述群组的一相关性矩阵。
20. 根据权利要求17所述的系统，还包含一子系统，以接收时序数据；以及总结所接收的所述时序数据。
全文摘要
本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。
文档编号H01L21/00GK101504543SQ20081018122
公开日2009年8月12日 申请日期2008年11月14日 优先权日2008年2月5日
发明者左克伟, 林俊贤, 柯俊成, 汪青蓉, 罗冠腾 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司