专利名称：灰化装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种进行灰化(焚烧)而从基底去除有机材料的灰化装置。
背景技术：
现有技术中，为了在半导体基底上形成集成电路，会在半导体基底的表面 设置其上形成电路图形的抗蚀膜。然后，抗蚀膜之下的各层，诸如绝缘膜、半 导体膜或金属膜等，都通过该抗蚀膜来蚀刻。蚀刻处理结束后，从基底表面去 除抗蚀膜。去除抗蚀膜方法的一个例子是干处理法，其使用反应气体的等离子 体(主要是氧等离子体)灰化(焚烧)抗蚀膜。
该干处理法使得在反应气体的等离子体中产生的活性物种(自由基) 一主 要是氧自由基一在涂布至基底的抗蚀膜中发生反应，以将抗蚀膜分解及蒸发为
C02和H20而去除。专利文献1揭露了通过干处理法去除抗蚀膜的等离子体灰 化装置的例子。将参考图9描述这一灰化装置。
如图9所示，灰化装置包括腔室(处理室)1，其上半部连接至供给管2。 供给管2连接至等离子体室(未示)，所述等离子体室利用微波和反应气体(氧、 氮、四氟化碳)生成等离子体。供给管2的下端朝向基底台4处设有包括多个 通孔的喷板3。圆柱形的防扩散壁5附接至处理室1的上部内表面，以绕喷板 3延伸。髙频电源6连接至基底台4。腔室1的底部设有排气口 7。
现描述以此种方式设置的灰化装置执行的灰化处理。首先，装载到腔室1 中的基底(晶片)W放置在基底台4的上表面上。使腔室1的内部降压，将高 频电压(RF偏压)施加至基底台4。然后，含氧自由基的气体经由供给管2从 等离子体室(未示)供给至腔室1。该含氧自由基的气体流经喷板3的通孔， 并且到达基底W。从喷板3向外流出的气体被防扩散壁5导向至基底W。形成 在基底W的上表面上的抗蚀膜(未示)由该气体所含的氧自由基分解及蒸发， 然后从排气口 7排出。
半导体基底上的集成电路中，晶体管之类的电路元件由铝(Al)、铜(Cu) 等金属导线连接。 一些集成电路具有表面由金(Au)等覆盖的连接焊盘，或者 具有由焊料形成的连接端子。由此，当制造半导体基底时，抗蚀膜的灰化过程 中，金属导线会曝露，而且金或焊料会形成在该表面上。这样，通过化学反应 或物理反应使得曝露的金属材料被溅镀。这使得金属原子散射，且这些金属原 子聚集在腔室l的内壁上，即，喷板3的下表面及防扩散壁5的内周面。若灰化处理在此状态下继续进行，聚集在腔室1的所述内壁上的金属与应被导向至 基底W的氧自由基结合。这使得金属表面氧化，并且增加失活氧自由基的数量。 从而，到达基底W的氧自由基的数量减少，并且相同时间内可处理的抗蚀膜的 深度(灰化率)减小。时间-灰化率比的这一改变导致该灰化率变得不稳定。
实际的处理是在许多基底W上连续进行，通过使用单个灰化装置在相同的 条件下(条件B)使金属(此处为铜)从基底上曝露，并且本发明的发明人确
定随着基底W的处理数量的增加，灰化率急剧下降，如图10所示。更具体的， 灰化装置洗涤之后首先处理的基底W的灰化率为2100.5[A/60秒]，而第二十个 基底W的灰化率下降至1523.7[A/60秒]。换言之，在第二十个基底W上进行 的灰化处理，其灰化率较之处理第一个基底W时下降了 30%。 专利文献l:第9-45495号日本专利公开
发明内容
本发明提供了一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。 本发明的一个方面是一种灰化装置。所述灰化装置对基底上的有机材料进 行灰化，所述基底包括在处理室中曝露的金属。所述灰化装置包括路径，活性 物种通过所述路径供给至所述处理室。通过所述活性物种而从所述基底散射之 金属聚集于其上的表面界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所 述基底曝露的金属种类相同。
图1为灰化装置的第一实施例的示意图2为设于图1的灰化装置中的腔室的示意剖视图3 (a)为喷板的剖视图，图3 (b)为经修改的喷板的剖视图4为经修改的喷板的剖视图5为示出图1灰化装置的灰化率随时间改变的图表； 图6为示出测量点的平面图7为使用现有灰化装置各测量点处的灰化深度的测量结果的图表；
图8为使用本实施例灰化装置各测量点处的灰化深度的测量结果的图表；
图9为现有灰化装置的示意图IO为示出现有灰化装置的灰化率随时间改变的图表。
具体实施例方式
现参考图1 3描述根据本发明第一实施例的灰化装置。
如图1所示，该灰化装置包括腔室(处理室)11，其上半部通过供给管12
5连接至等离子体室13。所述等离子体室13通过微波光导14连接至磁控管15。 由硅石等形成的微波传输窗13a将等离子体室13和微波光导14隔开。微波电 源16连接至磁控管15。磁控管15中生成的微波(p波)通过微波光导14导 入等离子体室13。
等离子体室13通过进气管17连接至多个(图中为三个)质流控制器18a 18c。质流控制器18a 18c分别连接至供气源19a 19c。本实施例中，供气源 19a存储氧(02)、供气源1%存储氮(N2)、供气源19c存储四氟化碳(CF4)。 质流控制器18a 18c调节存储在相应供气源19a 19c中气体的流速。将预定 流速下的氧、氮及四氟化碳混合，以形成经由进气管17送至等离子体室13的 反应气体。
所述微波和反应气体在等离子体室13中生成含氧的等离子体，并且经由 供给管12将用作所述等离子体中活性物种的氧自由基输送至腔室11。腔室11 中设有保持基底W的基底台20。真空辅助室22通过闸21连接至腔室11。真 空辅助室22用于装卸基底W，而使得腔室11免于开启至大气环境下。
腔室11的底部形成有排气口 23。排气口 23通过排气管24连接至排气泵 (未示)。该排气泵降低腔室11中的压力。排气管24中设有压力控制器25 以利用该排气泵调节腔室11中的压力。
微波电源16、质流控制器18a 18c及压力控制器25连接至控制单元26。 控制单元26包括存储器(未示)。该存储器存储关于各种类型基底的处理条 件的信息(制法)。当与装入腔室11中的基底W相对应的制法被指定时，控 制单元26基于该指定的制法的数值控制微波电源16、质流控制器18a 18c及 压力控制器25。
现参考图2详细描述腔室11的结构。
腔室11由这样一种金属构成，即其为与主要从该腔室ll中处理的基底W 曝露的金属种类相同的金属。此外，这一金属从腔室11的内表面曝露。例如， 若该灰化装置在曝露铜的基底W上进行灰化处理，腔室ll由铜(Cu)构成。 因此，除铜(Cu)之外，根据该从基底W曝露的金属，腔室ll亦可由金(Au)、 焊料、铂(Pt)及铱(Ir)构成。
如图2所示，供给管12具有连接至腔室11上部的下端。供给管12的该 下端设有喷板(扩散板)31。包括多个通孔(未示)的盘形喷板31朝向基底 台20。喷板31通过接合部件32固定至腔室11的上部。接合部件32使得喷板 31与上部内表面lla隔开预定的距离。腔室11的上部内表面11a与喷板31之 间的距离设为使得从供给管12输送入腔室11的氧自由基通过形成在喷板31 中的所述通孔，并且通过形成在喷板31与该腔室11上部之间的间隙，而被向 外引导。如图3 (a)所示，喷板31包括多个(如图3 (a)所示的三个)层31a、 31b及31c。与腔室ll相同，位于与基底W相对的一侧(图2及3的下侧)的 第一层31a由与从基底W曝露的金属(例如铜)种类相同的金属构成，并且这 一金属从第一层31a的表面(下表面)曝露。作为第一层31a上层的第二层31b 为，例如由氧化铝和氧化钇(Y203)构成的，金属氧化物层。位于氧自由基进 入一侧(图2及3所示的上侧)的、作为第二层31b上层的第三层31c由氟化 物层(氟化物膜)构成。
喷板31例如这样形成，即将作为第二层31b的金属氧化物层施加至金属 板(第一层31a)，所述金属板由从基底W曝露的那种金属制成。然后，对第 二层31b的上表面进行氟化处理以形成第三层31c。所述氟化处理例如可通过 升高对象部件(第一层31a和第二层31b)的温度，然后供应含氟原子的气体 而制得。作为另一个例子，可使用含氟原子的气体产生氟等离子体，然后将该 对象部件设于等离子体环境中。所使用的气体可包括CF4、 C2F6、 C3F8、 NF3 及SFe中的至少一种。
参见图2，圆柱形的防扩散壁33具有附接至腔室11的上部内表面11a的 上端。防扩散壁33绕喷板31延伸。防扩散壁33的内径设为稍大于保持在基 底台20上的基底W的外径。与腔室11及喷板31相同地，防扩散壁33由与从 基底W曝露的金属(例如铜)种类相同的金属构成，并且这一金属从防扩散壁 33的表面曝露。
基底导向件36覆盖基底台20的上外周部。提升销37具有设在基底台20 中的末端，并且支撑为可以上下方向移动。提升销37上下移动使得基底W在 提升销37与输送装置(未示)之间传递，并将基底W设置在基底台20上。
绝缘板38设在基底台20与腔室11的下部之间。管39连接至基底台20。 管39向形成在基底台20中的冷却剂通路供给冷却剂。这调节了基底台20的 温度。此外，高频电源40经由电容C连接至基底台20。高频电源40向基底台 20供给高频偏压(RF偏压)。
腔室11接地。因此，腔室U (具体的，其内表面)用作基底台20的相反 电极，高频电源40向该电极施加高频偏压。此外，腔室11通过附接部件32 与喷板31的第一层31a (金属板)电连接。腔室11亦与防扩散壁33电连接。 因此，由同种金属构成且施加高频偏压的腔室11、喷板31及防扩散壁33用作 基底台20的相反电极。
现描述使用具有上述结构的灰化装置进行的灰化处理。
首先，将基底W在腔室ll中的基底台20上设置成这样一种状态，即包括 待去除的抗蚀膜(有机材料)在内的表面(处理表面)朝上放置。然后，使腔 室11减压，且向该基底台施加高频偏压(RF偏压)。然后，将在等离子体室
713内生成的、包含在等离子体中的氧自由基送入腔室11中。氧自由基经过喷
板31的通孔并且到达该基底。氧自由基亦经过喷板31与腔室11的上部内表 面lla之间的间隙，且以径向移动。这一状态下，用作钝化膜的氟化物层(第 三层31c)形成在喷板31的施加有氧自由基的那一侧(图2所示的上表面)上。 由此，喷板31的上表面抗氧化并且抵抗与氧自由基的结合。这减少了由喷板 31使之失活的氧自由基的数量。
以径向移动的氧自由基由防扩散壁33导向至基底W。目卩，防扩散壁33将 氧自由基的移动限制在径向，并且防止氧自由基的不必要的扩散。当氧自由基 到达基底W，氧自由基就与该基底上的抗蚀膜反应。这去除了该抗蚀膜。
如前所述，当在曝露有金属材料的基底W上进行灰化处理时，当该基底表 面上发生化学反应或者物理反应时，从基底W散射出金属原子。从而，从基底 W散射出的金属原子在氧自由基的路径中聚集和沉积，所述路径包括朝向基底 W的腔室11的上部内表面lla、喷板31的下表面、以及防扩散壁33的内周面 33a和底面33b。该状态下，在现有技术的灰化装置中，以此方式聚集并且沉积 的金属原子降低了灰化率，并且对基底W平面的灰化率均匀度造成不利影响。 即，聚集且沉积在这些作为氧自由基路径的表面上的金属原子，使得在这些表 面上失活的氧自由基的数量发生变化。这使得灰化率发生变化。
就这一问题而言，本实施例灰化装置中的该氧自由基路径，包括从基底W 散射之金属原子可聚集在其上的表面(腔室11的上部内表面lla、喷板31的 下表面、以及防扩散壁33的内周面33a和下表面33b)，并由与从基底W曝 露的金属种类相同的金属构成。此外，这一金属起始就从各所述表面曝露。由 此，即使从基底W散射的金属原子聚集在这些表面上，这些表面中曝露金属的 区域只是稍有变化。因此，即使金属原子聚集在腔室11中，失活氧自由基的 数量与没有金属原子聚集在其中时的数量大致相等。由此，无论金属原子是否 聚集，或者是否对多个基底W进行灰化处理，失活氧自由基的数量基本保持不 变。换言之，即使对许多片基底W进行灰化处理，到达基底W的氧自由基的 数量只是稍有不同。这防止了灰化率随时间而改变。
此外，即使从基底W散射的金属是以不均匀的方式聚集在腔室11的上部 内表面lla、喷板31的下表面、以及防扩散壁33的内周面33a和底面33b，相 同种类的金属起始就从这些表面曝露。由此，这些表面的金属曝露区域在金属 原子聚集前后仅稍有变化。即，即使对许多片基底W进行灰化处理，该氧自由 基的路径中，金属分布也保持基本相同。因此，到达基底上各点(测量点)的 氧自由基的数量随时间只是稍有改变。这防止了基底W上各点处的灰化率，以 及整片基底W的灰化率随时间而改变。此外，该氧自由基的路径中，金属分布 也基本不改变。这防止对基底W中灰化率的面内均匀度造成不利影响。图5示出了通过在相同条件(条件A)下对大量晶片W进行连续处理使铜
曝露而进行试验的结果。基底W的处理条件A设为氧、氮及四氟化碳的流速 分别为2400 sccm、 160 sccm及400 sccm，腔室11的压力为100Pa，微波功率 为2000W， RF偏压为300W，且处理时间为30秒。
图5中，黑圆点表示在基底W上49个测量点(参考图6)测得的灰化率 的平均值，这些测量点是从基底W的中心沿圆周方向及半径方向依次设置。如 黑圆点所示结果体现的，即使本实施例的灰化装置中的处理量增加，灰化率的 改变很小，且灰化率保持基本不变。更具体的，洗涤灰化装置后第一个处理的 基底W的灰化率为8244.3 [A/30秒]，而第100个基底W的灰化率为7791.3 [A/30秒]。换言之，本实施例的灰化率中，即使在处理第IOO个基底W时，灰 化率仅比第一个处理的基底W下降约5。/。。相比之下，如前所述的现有的灰化 装置中，灰化率下降了近30% (参考图IO)。因此，本实施例的灰化装置中， 可清楚地看出灰化率的改变很小，且灰化率较稳定。
图5中，黑色方块及黑色菱形示出了基底W的平面内灰化率的均匀度，其 通过在各测量点(参考图6)测得的灰化率的最大值与最小值之间的差来计算。 黑色三角形示出了基底上所产生颗粒的数量。从这些结果可清楚地知道，本实 施例的灰化装置中，即使处理量增大，灰化率的面内均匀度基本保持不变，且 产生的颗粒量极小。
依据上述试验结果，可清楚地知道无论基底W的处理量为多少，可通过形 成这样一种表面，即从该表面曝露的金属与聚集在该表面上的金属为同种金 属，来使灰化率保持稳定。这改进了灰化装置的可靠性和产率。
图7和图8示出了测量在灰化处理期间基底W (铜从其曝露)的各测量点 处(参考图6)的灰化深度的试验。图7示出了利用现有的灰化装置在条件B 下进行灰化处理时的测量结果，其中条件B中氧、氮及四氟化碳的流速分别为 1280 sccm、 160sccm及160 sccm，腔室11的压力为75Pa，微波功率为1500W， RF偏压为300W，且处理时间为30秒。此外，图8示出了利用本发明实施例 的灰化装置在上述条件A下进行灰化处理时的测量结果。
图7和8中，黑圆点示出了洗涤灰化装置后进行灰化处理的第一个基底W 的测量结果，黑色方块示出了第若干个(例如，第IOO个)基底W的测量结果。 如图7所体现的，现有技术的灰化装置中，所述第若干个进行灰化处理基底W 的灰化深度较之第一个基底W的灰化深度全都下降。此外，对所述第若干个基 底W的进行的灰化处理中，灰化深度的下降量在各点之间有变化，且基底W 的平面内的灰化深度的均匀度受到不利影响。可理解为这是由不均匀地聚集在 腔室11的内壁上的金属原子造成的。
相比之下，当使用本实施例的灰化装置时，如图8所体现的，比较第l个基底W的测量结果与所述第若干个基底W的测量结果时，各测量点处的灰化 率只是稍有变化。换言之，所述进行灰化处理的第若干个基底W的灰化率与第 1个基底W的灰化率基本相同。从而，不论基底W的处理量和测量点，通过 形成这样一种表面，即其上可聚集的金属与从该表面曝露的金属为同种金属， 防止了灰化深度随时间改变，并且防止灰化深度的面内均匀度受不利影响。 本实施例具有如下优点。
(1) 氧自由基的路径形成在腔室11中。该路径由其上可聚集从基底w 散射之金属原子的表面界定(最好是腔室11的上部内表面lla、喷板31的下 表面、以及防扩散壁33的内周面33a和底面33b)，这些表面形成为其曝露的 金属与基底W所曝露的金属为同种金属。由此，即使从基底W散射的金属原 子聚集在这些表面上，该氧自由基路径中的金属曝露区域只是稍有改变。因此， 即使金属原子聚集在腔室11中，失活氧自由基的数量较之未聚集金属原子时 大致相等。g卩，即使对大量基底W进行灰化处理，到达基底W的氧自由基的 数量只是稍有改变。由此，以最理想的方式防止了灰化率随时间改变。由此， 即使当处理大量曝露金属的基底W时，灰化率以最理想的方式保持稳定。
(2) 腔室11包括圆柱形的防扩散壁33，其防止环绕喷板31周围的氧自 由基的不必要的扩散。因此，防扩散壁33防止从喷板31向外扩散的氧自由基 不必要的扩散，并且有效地将氧自由基供给至基底W。
(3) 喷板31中，氟化物层(第三层31c)形成在表面上，其作为氧自由 基的进入侧。该氟化物层用作钝化膜以使喷板31的上表面抗氧化。从而，氧 自由基稍微与喷板31的上表面发生结合。因此，由于形成了氟化物层，可有 效减少在喷板31中失活的氧自由基的数量。这完全改进了灰化率。
(4) 腔室11、喷板31及防扩散壁33用作基底台20的相反电极，其上施 加有来自高频电源40的高频偏压。因此，从基底W散射的金属原子朝向该相 反电极移动。这进一步保证了从基底W散射的金属原子聚集在这些曝露金属的 表面(腔室11的上部内表面lla、喷板31的下表面、以及防扩散壁33的内周 面33a和底面33b)上的氧自由基路径中。
上述实施例可做如下修改。
上述实施例的喷板31的层结构并未作特别限定。例如，如图3 (b)所示， 喷板31可通过将氟化物层(第三层31c)施加至金属板(第一层31a)的氧自 由基进入侧表面(上表面)而形成，所述金属板由从基底W曝露之金属的同种 金属构成。
可省略图3 (a)所示的由氟化物层构成的第三层31c。该情况下，有金属 氧化物层构成的第二层31b用作钝化层。该结构亦会使得喷板31中失活氧自 由基的数量比仅由第一层31a构成的喷板31之结构中的数量少。或者，可省略图3 (a)所示的第二层31b和第三层31c。该结构中，分别 曝露金属的腔室ll、喷板31、以及防扩散壁33亦会防止灰化率随时间改变。
上述实施例中，喷板31不必由与从基底W曝露之金属的同种金属构成的 金属板(第一层31a)构成。例如，喷板31中，可将上述金属溅镀、电镀、喷 涂或者蒸镀在表面(朝向基底W的表面)上形成膜，所述膜上可收集从基底W 散射的金属原子。更具体的，例如，参考图4，可将上述金属喷镀至由预定金 属构成的金属板41a (例如，铝板)的朝向基底W的表面(下表面)上。这在 该表面上形成了上述金属的金属膜41b。
上述实施例中，喷板31的第三层31c的形成(氟化处理)由不同于灰化装 置的其它装置进行。然而，本发明并不限于该方式。例如，附接至灰化装置后， 可在灰化装置中对由第一层31a及第二层31b构成的喷板31用含氟等离子体进 行氟化处理。
或者，由与从基底W曝露金属的同种金属构成的腔室11中，例如，可对 除朝向基底W之外的另一表面进行表面氧化处理。
上述实施例中，防扩散壁33完全由从基底W曝露金属的同种金属构成。 然而，只需要金属可从基底W所散射的金属原子可聚集的表面(防扩散壁33 的内周面33a和底面33b)上曝露。因此，例如，整个防扩散壁33由预定金属 (例如，铝)构成，然后进行喷镀之类的处理以仅仅在防扩散壁33的内周面 33a和底面33b上形成上述金属的金属膜。
上述实施例的附接部件32可由与基底W曝露之金属同种的金属形成。
上述实施例中，可省去防扩散壁33。
上述实施例中，腔室ll、喷板31、防扩散壁33不必接地。 上述实施例中，本发明以从半导体晶片W去除抗蚀膜的灰化装置实现。然
而，本发明可以以使用等离子体或自由基可去除膜或有机材料的灰化装置实现。
上述实施例中，本发明以使用氧等离子体的灰化装置实现。然而，本发明 不限于这一方式，而可以以使用不同种类等离子体(例如氢等离子体)的灰化 装置实现。
上述实施例中，本发明以使用氧等离子体的等离子体灰化装置实现。然而， 本发明不限于这一方式，而例如可以以通过利用紫外线辐照臭氧气体而生成氧 自由基的光激发灰化装置来实现。
上述实施例中，可按需改变灰化装置的结构。例如，可增加所供给气体的 种类。
权利要求
1.一种对基底上的有机材料进行灰化的灰化装置，所述基底包括在处理室中曝露的金属，所述灰化装置包括路径，活性物种通过所述路径供给至所述处理室；其中，通过所述活性物种而从所述基底散射之金属可聚集于其上的表面界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露的金属种类相同。
2. 如权利要求1所述的灰化装置，还包括 保持所述基底的台；及附接至所述处理室的内表面的扩散板，所述扩散板朝向所述台，并且与所 述处理室的内表面形成间隙，其中所述扩散板通过所述间隙扩散所述供给至所 述处理室的所述活性物种，并且所述扩散板包括所述活性物种穿过的通孔； 其中界定出所述路径的表面包括所述处理室的内表面中朝向所述基底的至少一部分；及 所述扩散板的朝向所述基底的表面。
3. 如权利要求2所述的灰化装置，还包括围绕所述扩散板并且为圆柱形的防扩散壁，其中所述防扩散壁防止所述活 性物种不必要地扩散至保持在所述台上的所述基底；其中界定出所述路径的所述表面还包括所述防扩散壁的内周面和底面。
4. 如权利要求3所述的灰化装置，其中所述防扩散壁由与从所述基底曝露 的金属种类相同的金属形成。
5. 如权利要求2 4中任一项所述的灰化装置，其中所述处理室由与从所 述基底曝露的金属种类相同的金属形成。
6. 如权利要求2 5中任一项所述的灰化装置，其中 所述台连接至向所述台提供高频偏压的高频电源；且 界定出所述路径的所述表面用作所述台的相反电极。
7. 如权利要求2 6中任一项所述的灰化装置，其中所述扩散板包括供给 有所述活性物种的表面，并且所述供给有所述活性物种的表面上形成有钝化 膜。
8. 如权利要求7所述的灰化装置，其中所述扩散板为由与从所述基底曝露 的金属种类相同的金属形成的金属板，其中所述金属板包括朝向所述基底的第 一表面以及供给有所述活性物种的第二表面，所述第二表面上形成有用作钝化 膜的金属氧化物层。
9. 如权利要求7所述的灰化装置，其中所述扩散板为由与从所述基底曝露的金属种类相同的金属形成的金属板，其中所述金属板包括朝向所述基底的第 一表面以及供给有所述活性物种的第二表面，所述第二表面上形成有用作钝化 膜的氟化物层。
全文摘要
一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。
文档编号H01L21/3065GK101568998SQ20088000126
公开日2009年10月28日 申请日期2008年10月29日 优先权日2007年11月5日
发明者中村久三, 余吾锐哉, 小松一茂, 栗本孝志, 植田昌久, 橘信介, 邹弘纲 申请人:株式会社爱发科