专利名称：灰化设备、灰化方法及杂质掺入设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于灰化抗蚀剂的灰化设备、灰化方法及杂质掺入设备组， 包含能够探测通过杂质掺入形成的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面 的界面探测装置，或者用于探测等离子体灰化抗蚀剂中在杂质掺入后的表面 硬化层及非硬化层的光学常数和厚度的装置。
背景技术：
传统上，用于半导体工业的灰化设备具有用于探测灰化终点(end point) 的装置。例如，如下的专利文献1中已经描述了抗蚀剂灰化终点探测方法。 该抗蚀剂灰化终点探测方法涉及，当等离子体灰化主要是氧等离子体时，在 灰化工艺中探测等离子体发射中的氢光谱发光强度的变化，由此该抗蚀剂灰 化的终点可以高灵敏度地被探测。专利文献1: JP-A-6-124923图3为解释将杂质注入半导体基板的抗蚀剂的工艺的视图，图4是显示 杂质注入后的状态的视图。通常，杂质引入工艺涉及在半导体基板15a上覆 盖抗蚀剂16来形成掩模，选择性图案化以及使用杂质引入设备将杂质引入 到半导体基板15a中，如图3所示。因为杂质也引入到用作掩模的抗蚀剂中，改变了表面，使得形成硬化层 16b，如图4所示。此外，抗蚀剂的内部没有受到杂质引入工艺的影响，非 硬化层16a处于与未处理的抗蚀剂等效的状态。当然，硬化层16b的膜质量 和膜厚度依赖于引入杂质时的剂量和能量数量。总之，硬化层16b首先被灰 化，且然后非硬化层16a被灰化。为了灰化硬化层16b，要求半导体基板15a置于低温下以降低灰化速率， 从而防止因为爆裂(popping)而使表面层剥离，造成半导体基板Ua的玷污。 亦即，为了降低温度，降低加热器温度，并且需要极低的灰化速率条件以避 免等离子体引起的温度升高。为在灰化硬化层16b之后灰化非硬化层16a， 理想地要求通过将半导体基板置于高温来增加灰化速率。
图5是显示低温处理和高温处理时，反应产物发出的频谱光(spectral light) 的发光强度的曲线图。然而，使用前述灰化终点探测方法，低温处理时发光 强度的变化小于高温处理时发光强度的变化，借此可以探测抗蚀剂16和半 导体基板15a之间的界面，但是难以探测非硬化层16a和注入杂质的抗蚀剂 的硬化层16b之间的界面。具体地说，寻求一种随着半导体器件按比例缩小而用于形成浅结的技 术，当通过低能等离子体掺入方法来掺入杂质，或者使用低能离子注入来掺 入杂质时，硬化层的厚度可薄至大约10nm,并且更难探测硬化层和非硬化 层之间的界面。发明内容<本发明解决的问题>因此，为抑制抽运(pumping)作用，硬化层16b和非^/f匕层16a必须在j氐 温下灰化足够长的时间。结果是带来灰化时间长且产量很低的问题。因此，要求提供一种能够探测抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间 的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面，并且具有高产量的灰化设备 和灰化方法。特别是当通过等离子体掺入方法来引入杂质时，出现等离子体掺杂所特 有的问题。具体地说，在等离子体掺杂情况下，不像常规的离子注入，其特 点是引入了并非期望的杂质离子的大量其它离子。例如，当期望1E15cm—2 的硼离子被注入到硅基板时，通过硼注入将浓度为lE15cnf2的硼离子引入到 硅基板中。1E15cmJ的硼离子也被注入到抗蚀剂中。另一方面，下面将描述 使用等离子体掺杂的情形。例如，当使用氦气混合到B2H6气体的等离子体时，除了硼之外，还必定注入氢和氦。在这里，B2H6气体和氦气的混合比率通常是5%到95%。总之，如果注入1E15cm-2的硼，则注入了两倍于1E15cm—2 的氢和更多数量的氦。从抗蚀剂角度来说，通过离子注入引入1E15cm^的硼 的情形和通过等离子体掺杂注入lE15cm-2的硼的情形，后一种情形中注入的 离子总量高得多。基于这个原因，通过等离子体掺杂更容易形成抗蚀剂的表 面硬化层。本发明披露了解决这个问题的措施。此外，在使用等离子体例如氦等离子体使具有抗蚀剂图案的硅基板表面 变为无定形的工艺中，在去除抗蚀剂时存在问题。在此，所期望的杂质是氦。
如果注入大量的氦离子，抗蚀剂的表面硬化层更容易形成。如上所述，不像离子注入那样，使用等离子体掺杂的问题为等离子体掺杂所特有，且首次被发明人发现。等离子体掺杂具有剂量率(dosemte)比常规 离子注入高几个量级的特点。通常高出3个量级。因此，在相同时段的工艺 内，比离子注入高三个量级的离子数量被注入到硅和抗蚀剂中。另一方面， 如果工艺时间急剧缩短三个量级，则难以保证均匀性和可重复性，这从制造 角度而言是不希望的。如此，等离子体掺杂有其特有的问题。 <解决问题的手段〉因此，本发明提供一种用于等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层 和内部非硬化层的灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺 有杂质，其特征在于包括偏振光椭圓计，该椭圓偏光计用于在等离子体灰化 时使线偏振光进入该半导体基板来探测反射的椭圓偏振光，并探测该硬化层 和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。因此，紧接着在探测到灰化该硬化层结束之后，可以通过提高温度来增 加灰化速率而开始非硬化层的灰化，由此增加产量。且如果探测到灰化非硬 化层结束后，该灰化工艺结束。而且，如果探测到灰化硬化层结束，则该灰化工艺可以结束。且可以通 过例如湿法蚀刻的其它步骤来去除该非硬化层。而且，本发明提供一种用于分析偏振光椭圆计的方法，其特征在于包括 探测反射的椭圆偏振光和探测该硬化层和非硬化层的光学常数和厚度。通过 探测该硬化层和非硬化层的光学常数和厚度的变化，可以预测灰化该硬化层 和非硬化层的结束时间，由此增加了产量并同时反馈到该灰化工艺。而且，在本发明中，该灰化设备包括一种反馈控制机制，用于将探测到 的该硬化层和非硬化层之间的界面和该非硬化层和半导体基板之间的界面， 或者该硬化层和非硬化层的光学常数和厚度反馈到该灰化设备。使用该反馈控制机制，增加该灰化工艺的产量。对于通过等离子体掺杂来注入离子的情形，期望如果探测到灰化该硬化 层结束，则该灰化工艺结束并且通过湿法蚀刻工艺去除该非硬化层。其原因 是，与离子注入相比，对于等离子体掺杂的情形，高浓度的杂质被注入到硅 基板的上表面内。因此，如果整个抗蚀剂通过灰化被去除，则硅基板的上表 面被氧化，由此在某些情形下该杂质可能对电学传导没有贡献。因此，抗蚀
剂应该被去除而尽可能不氧化该表面。这种情况下，通过灰化仅去除该抗蚀 剂的硬化层，且其下的非硬化层是通过湿法蚀刻而去除，该湿法蚀刻与灰化 相比氧化硅的可能性更低，由此避免杂质对电学传导没有贡献。此外，期望 的是，即使不能防止杂质没有贡献，但降低其没有贡献的程度。 <发明效果>如上所述，采用本发明，提供一种偏振光椭圆计来改变灰化速率，其中 该偏振光椭圓计用于探测通过引入杂质而改变的硬化层和内部非硬化层之 间的界面以及该非硬化层和半导体基板之间的界面，由此可在很短的时间内 完成该灰化而不导致爆裂，使得产量增加。此外，对于通过等离子体掺杂改变的硬化层以及该内部非硬化层，该硬 化层是通过灰化被去除，该非硬化层是通过湿法蚀刻被去除，由此可以防止 杂质对电学传导没有贡献或降低其没有贡献的程度。
图1是4艮据本发明的实施例1的灰化设备的典型截面图。图2是光镨偏振光椭圆计的典型视图。图3是用于解释将杂质注入到半导体基板的抗蚀剂中的工艺的视图。 图4是显示杂质被注入的状态的视图。图5是显示在低温处理和高温处理处理中，从反应产物发出的频谱光的 发光强度的视图。图6是用于本发明的实施例2中的等离子体掺杂设备的截面图。 参考数字和标记的说明1射频发生器2光源3 晶片4测光器5控制器6平台7加热器8腔体9上电极15a半导体基板16抗蚀剂16a非硬化层16b硬化层20氙灯光源21偏振器22分析器23分光计24探测器101真空容器103涡轮分子泵105等离子体源用射频发生器107介电窗口109基板111排气口102气体供应设备 104压力调节阀 106样品电极 108线圈110样品电极用射频发生器 112支柱具体实施方式
(实施例1 )下面将参考附图描述本发明。图1是根据本发明的一个实施例的灰化设备的典型截面图。该灰化设备包含灰化气体被《1入到其中且通过真空泵减小其压力的腔 体8;在腔体8内用于施加射频功率到上电极9的射频发生器1;与上电极9 相对、作为下电极且晶片3置于其上的平台6;以及包含在平台6中用于加 热晶片3的加热器7，如图1所示。使用偏振光椭圆计，来自光源2的光入 射到晶片3的表面上，并且通过测光器4来测量，如图1所示。测光器4的 测量结果发送到控制器5，并且反々贵到灰化工艺。参考图2的光"i普偏振光椭圓计(spectral ellipsometer)的组成图，下面 将描述用于探测硬化层和非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板 之间的界面，或者探测硬化层以及非硬化层的光学常数和厚度的方法。氙灯光源20输出的Xe灯光由偏振器21转变成线偏振光，并且以与垂 直于基板表面的方向成0o角度地入射到基板上。角度0o为从45。到90°的测 量值。入射光的线偏振光的轴相对于p方向(垂直于光轴的平面和包括入射 光和反射光的平面的相交线的方向)和s方向(在垂直于光轴的平面内与p 方向垂直的方向)是倾斜的。假设椭圆偏振光的反射光的p分量和s分量之 间的振幅反射率比例是W, p分量和s分量之间的相差是A。在椭圆光度法 中，为椭圆偏振光的反射光穿过分析器22并且入射到分光计23上，其中W 和△是通过探测器24来测量，同时将光分离成光谱分量。比较存在该硬化层的情况和该硬化层已经彻底灰化的情况，硬化层和非 硬化层之间的界面可以从W和△的偏振光椭圓计的测量结果来探测，因为￥ 和A的信号是不同的。 硬化层彻底灰化之后，比较存在非硬化层的情况和非硬化层已经彻底灰 化的情况，非硬化层和半导体基板之间的界面可以从W和A的偏振光椭圆计 的测量结果来探测，因为V和△的信号是不同的。下面将描述一种通过最d、 二乘法，基于V和△的椭圓光度法测量结果来计算作为未知参数的该硬化层和非硬化层的厚度和其光学常数(折射率n和 消光系数k)的方法。使用空气/硬化层/非硬化层/c-Si的四层4莫型，可以得 到硬化层的厚度和光学常数(折射率n和消光系数k),并且探测硬化层的灰 化工艺是否完成。在硬化层灰化之后，使用空气/非硬化层/c-Si的三层模型， 可以得到非硬化层的厚度和光学常数(折射率n和消光系数k),并且探测所 有灰化工艺是否完成。光学常数基本上具有波长依赖性。如果通过改变波长来测量光学常数， 则未知参数随测量波长的数目而增加，由此光学常数不能确定。在这种情况 下，光学常数的光谱通过包括不依赖于波长的常数的近似表达式来表示，该 常数成为未知参数，由此可以得到该光学常数的光谱。存在多种折射率波长 色散模型。为了处理硬化层的强吸收特性，在本实施例中使用 K-K(Kramers-Kronig)分析方法。Tauc-Lorentz分析、Cody-Lorentz分析、 Forouhi-Bloomer分析、MDF分析、波段(band)分析、Tetrahedral分析、Drude 分析和Lorentz分析方法可以用于折射率波长色散^^莫型来进行以上分析。下面将描述K-K(Kramers-Kronig)分析方法的特点。如果薄膜层的光吸收带处于测量波长范围内，使用由下面的 Kramers-Kronig关系表达式导出的复折射率的色散表达式，可以得到折射率 和消光系数。 [数学表达式1]/7二l + 2/7r尸J"ftj'A;/(fiy2—w2)j(y (2-1) A: = _2 /;r尸J"/(cy'2 -o>2其中P是柯西积分的主值， 是频率。这个关系表达式显示，如果消光系数已知，可以从消光系数估计折射率。 如果光吸收带处于测量波长范围内，在此波长范围的消光系数光谱是由 Lorentz型表达式来近似、的。 [数学表达式2] A = C1(￡ —C4)2/(￡2—C2￡ + C3) (2-2)其中E是光子能量(eV)， 其与波长人(nm)有如下的关系。 [数学表达式3]1239,84/A— (2-3)下面的4斤射率表达式可以通过j吏用表达式(2-2)》于Kramers-Kronig关系 表达式(2-l)积分来导出。 [数学表达式4]"=C5 + /(￡) (2-4)其中f(E)是表达式(2-2)的积分值，C5是积分常数。在该KK分析中，Cl、 C2、 C3、 C4、 C5是参数和初值。C5是积分常 数，并且是表示折射率的参数之一，由此硬化层的折射率被取整作为初值。 Cl是实消光系数。也就是说，位于消光系数谱的峰值处的消光系数的值是初值。另一方面，C2与C3和消光系数谱的峰值处的E(eV)值有关，其中C2 的初值设为峰值处E(eV)的两倍，C3的初值设为峰值处E(eV)的平方。C4 与吸收带的能带宽度有关，C4的初值等于在消光系数语的峰的尾部，消光 系数最小处的E(eV)的值。如上所述，当使用KK分析时，可以设定初始值，假设包括测量主题的 薄膜的物理特性的吸收谱或消光系数谱，从而进行该分析。硬化层以及非硬化层的光学常数和厚度可以通过上述方法来探测。而 且，可以预测灰化硬化层以及非硬化层的结束时间，由此增加产量。同时， 灰化工艺可以得到反馈。下面将描述一种使用图1中的灰化器来灰化其中引入了杂质的晶片3的 抗蚀剂的方法。首先，在晶片3放置在平台6上的状态下，将腔体8的压力减小。如果 达到预定压力，腔体被抽真空，而引入作为刻蚀气体的氧气，所以腔体8的 内部压力保持在固定压力。另外，通过设定加热器7的温度，使晶片3保持 在低温。如果达成这些条件，在低灰化速率下施加射频功率以产生氧等离子体并 开始灰化。同时，使用偏振光椭圓计测量W和A。
如果在灰化工艺中W和A发生剧烈变化，则判断该硬化层被灰化，由此 射频功率增加例如1.5倍，以使灰化速率更高，并执行灰化。因此，抗蚀剂 的非硬化层比常规方法更早地在高灰化速率下灰化，由此整个灰化时间缩短。或者在监视该硬化层的光学常数和厚度时如果该硬化层的厚度到达零，则确定该硬化层被灰化，由此射频功率增加例如1.5倍，以使灰化速率更高， 并执行灰化。因此，抗蚀剂的非硬化层比常规方法更早地在高灰化速率下灰化，由此 整个灰化时间缩短。此外，硬化层被灰化后，探测非硬化层的厚度和光学常数(折射率n和 消光系数k)，且探测是否所有的灰化工艺完成。且如果所有的灰化处理完成， 则该灰化工艺结束。尽管在这个系统中改变射频功率来改变灰化速率，如果用于加热晶片3 的装置为灯，晶片3的温度可以改变。此外，氧气和氟利昂气体的混合比例 也可以改变。当等离子体掺杂方法用于杂质掺入时，掺杂和灰化工艺可以在设有多个 等离子体腔体的所谓多腔体的设备中完成。或者一 系列杂质掺入工艺可以在 用于执行连续处理的设备组中完成，尽管它们为求方便而布置成分立的设备。(实施例2 )使用氦等离子体，将硅基板109表面上的晶体层变为无定形的。 图6是用于本发明的实施例2中的等离子体掺杂设备中等离子体掺杂腔 体的截面视图。在图6中，预定气体从气体供应设备102引入到真空容器101 中，该真空容器101然后通过作为抽真空装置的涡轮分子泵103被抽真空， 使得真空容器101可以通过压力调节阀104保持在预定压力。通过从射频发 生器105供应13.56MHz的射频功率到线圈108,可以在真空容器101中产 生感应耦合等离子体，其中该线圈108设于靠近介电窗口 107与样品电极106 相对。硅基板109作为样品置于样品电极106上。而且，提供施加射频功率 到样品电极106的射频发生器IIO作为电压源，用于控制样品电极106的电 势，使得基板109作为样品相对于等离子体具有负电势。如此，等离子体中 的离子向样品表面加速运动并与表面相撞，使样品表面变为无定形或引入杂
质。从气体供应设备102供应的气体从排气口 111排出进入泵103中。涡轮 分子泵103和排气口 111置于样品电极106的正下方。而且，压力调节阀104 是位于样品电极106正下方以及涡4仑分子泵103正上方的升降阀。样品电极 106通过四个支柱112固定到真空容器101。基板109置于样品电极106上之后，真空容器101从排气口 111抽真空， 同时样品电极106的温度保持在25°C。然后，50sccm的氦气从气体供应设 备102供应到真空容器101中，且真空容器101的压力通过控制压力调节阀 104而保持在1Pa。然后，通过向线圈108供应800W的射频功率作为等离 子体源，在真空容器101中产生等离子体，并且通过向样品电极106的基底 供应200W的射频功率，使硅基板109表面上的晶体层变为无定形。暴露于 氦等离子体的时间是7秒。抗蚀剂在硅基板109表面上被图案化。硅基板表 面的某些部分从抗蚀剂中的间隙被暴露。在无定形处理后，通过离子注入来 注入3E14cm^的硼。硬化层出现在抗蚀剂表面上。抗蚀剂的硬化层通过灰化 去除。其后，非硬化层16a通过湿法蚀刻被去除。其后，用尖峰RTA (spike RTA)在107(TC执行激活工艺来测量薄层电阻。此时，注入硅基板的氦是1E16cm气认为抗蚀剂表面的硬化层是通过等 离子体掺杂氦而形成。比较而言，准备没有抗蚀剂图案的固体硅基板，通过 氦等离子体使其变为无定形，并通过离子掺杂掺入硼，由此使用尖峰RTA 在107(TC执行激活工艺来测量薄层电阻。在这种情况下，薄层电阻相当于抗 蚀剂的硬化层通过灰化去除后，非硬化层16a通过湿法蚀刻去除情况下的薄 层电阻。为进一步比较，具有图案化的抗蚀剂的硅基板通过氦等离子体变为无定 形，并通过离子注入掺入硼，由此在通过灰化去除整个抗蚀剂后，使用尖峰 RTA在107(TC执行激活工艺来测量薄层电阻。在这种情况下，薄层电阻比 抗蚀剂的硬化层通过灰化去除后，非硬化层16a通过湿法蚀刻去除情况下的 薄层电阻大。认为对电学传导无贡献的杂质的百分比增加。 (实施例3)使用BzH6和He的混合气体等离子体，通过等离子体掺杂将硼掺入硅基板。在此，使用用于本发明实施例2的图6的等离子体掺杂设备的等离子体 掺杂腔体。在图6中，真空腔体101通过作为抽真空器的涡轮分子泵103被
抽真空，同时从气体供应设备102引入预定气体至真空容器101中，使得真 空腔体101可以通过压力调节阀104保持在预定压力。通过从射频发生器105 施加13.56MHz的射频功率至线圈108，可以在真空容器101中产生感应耦 合等离子体，其中该线圈108设于靠近介电窗口 107与样品电极106相对。 硅基板109作为样品置于样品电极106上。而且，提供用于向样品电极106 供应射频功率的射频发生器IIO作为电压源，用于控制样品电极106的电势， 使得基板109作为样品相对于等离子体具有负电势。如此，等离子体中的离 子向样品表面加速运动以与表面相撞，使样品表面变为无定形或引入杂质。 从气体供应设备102供应的气体从排气口 111排出到泵103中。涡轮分子泵 103和排气口 111置于样品电极106的正下方。而且，压力调节阀104是位 于样品电极106正下方以及涡轮分子泵103正上方的升降阀。样品电极106 是几乎为正方形的基底，其中基板109放置其上，且该样品电极109通过各 侧上的支柱112或通过总共四个支柱112而固定到真空容器101。基板109置于样品电极106上之后，通过将97sccm的氦气和3sccm的 B2H6气体供应到真空容器101中同时将样品电极106的温度保持在25X:, 并通过供应1000W的射频功率到线圈108同时将真空容器101的压力保持 在0.9Pa，在真空容器101中产生等离子体，并且通过向样品电极106供应 250W的射频功率，在基板109表面附近引入硼。气体混合比率是相当于B2H6 3%比He 97%。调整等离子体掺杂时间使掺入硅基板的硼的剂量是lE14cm-2。抗蚀剂被 图案化于硅基板109表面上。硅基板表面的某些部分从抗蚀剂中的间隙被暴 露。等离子体掺杂之后，抗蚀剂表面呈现出硬化层。通过灰化去除抗蚀剂的 硬化层。其后，非硬化层16a通过湿法蚀刻去除。其后，使用尖峰RTA在 107 0 。C执行激活工艺来测量薄层电阻。此时，注入到硅基板中的硼是lE14cm-2。然而，除了硼，还注入3E14cmf2 的氢和4E15cn^的氦。认为抗蚀剂表面上的硬化层是通过等离子体掺杂氦而 形成的。如果氦气混合比率是97°/。或以上，比硼更多的氦被注入，所以抗蚀 剂表面上的硬化层更容易形成。而且，如果lE14cm^以上的硼被注入，氦随 硼的剂量的增加而增加，使得抗蚀剂表面上的硬化层更容易形成。对比来说，准备没有抗蚀剂图案的固体硅基板，通过等离子体掺杂注入 硼，使用尖峰RTA在107(TC执行激活工艺来测量薄层电阻。在这种情况下，
薄层电阻相当于通过灰化去除抗蚀剂的硬化层之后，非硬化层16a通过湿法 蚀刻去除的情况下的薄层电阻。为进一步比较，通过等离子体掺杂在具有图案化抗蚀剂的硅基板中注入 硼，且在整个抗蚀剂仅通过灰化被去除之后，使用尖峰RTA在107(TC执行 激活工艺来测量薄层电阻。在这种情况下，薄层电阻大于通过灰化去除抗蚀 剂的硬化层之后，非硬化层16a通过湿法蚀刻去除的情况下的薄层电阻。认 为对电学传导无贡献的杂质的百分比增加。尽管参照特定实施方式对本发明进行了上述详细描述，但本领域技术人 员应当理解，在不脱离由所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情 况下，可以对本发明进行形式和细节上的各种修改。本申请基于2005年3月30日提交的日本专利申请No.2005-099148，其 内容引用结合于此。工业实用性本发明的灰化设备、灰化方法和杂质掺入设备组可以有效形成电子器件 例如电容器(condenser)、变阻器、二极管、晶体管和线圈，因为其可以探测 杂质掺入后抗蚀剂的表面硬化层和内部的非硬化层之间的界面以及非硬化 层和半导体基板之间的界面，由此提高灰化产量。
权利要求
1.一种灰化设备，包括用于去除通过将不同于在固体样品表面形成的抗蚀剂材料的材料引入该抗蚀剂材料中而形成的硬化层，以及该抗蚀剂材料内部的非硬化层的装置，通过使线偏振光入射到所述固体样品上来探测从所述固体样品反射的椭圆偏振光，并且探测所述硬化层和所述非硬化层之间的界面以及所述非硬化层和所述固体样品之间的界面。
2. 如权利要求1所述的灰化设备，用于灰化形成在半导体基板上并掺有 杂质的抗蚀剂材料，包括用于等离子体灰化形成在所述抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层 的装置，通过使线偏振光入射到半导体基板上来探测从所述半导体基板反射 的椭圆偏振光，并且探测所述硬化层和所述非硬化层之间的界面以及所述非 硬化层和所述半导体基板之间的界面。
3. 如权利要求2所述的灰化设备，其中所述杂质掺入是通过等离子体掺 杂装置完成。
4. 如权利要求2所述的灰化设备，其中所述杂质掺入通过施加等离子体 使该硅基板表面变为无定形。
5. 如权利要求2所述的灰化设备，其中所述杂质掺入通过施加氦等离子 体使该硅基板表面变为无定形。
6. 如权利要求1或2所述的灰化设备，其中所述探测装置是偏振光椭圓计。
7. —种杂质掺入设备，包括用于对该基板表面执行杂质掺入的等离子体 掺杂设备以及如权利要求1至6任意一项所述的灰化设备，其中该等离子体 掺杂和作为该等离子体掺杂工艺的后处理的该灰化连续地执行。
8. —种通过使用如权利要求6或7所述的偏振光椭圆计来探测所述反射 的椭圆偏振光，由此探测所述硬化层和所述非硬化层的光学常数和厚度的灰 化方法。
9. 如权利要求1至6任意一项所述的灰化设备，包括反馈控制装置，用 于依据所探测的所述硬化层和非硬化层之间的界面以及所述非硬化层和半 导体基板之间的界面，或者通过如权利要求8所述方法探测的所述硬化层以及非硬化层的光学常数和厚度，来控制灰化工艺。
10. —种连续地执行等离子体掺杂和灰化的杂质掺入设备组，其中灰化设备旨在依据权利要求7所述执行该灰化作为等离子体掺杂工艺的后处理，用于依据所探测的所述硬化层和非硬化层之间的界面以及所述非硬化层和半导体基板之间的界面，或者通过如权利要求8所述方法探测的所述硬化层 以及非硬化层的光学常数和厚度，来控制该灰化工艺。
11. 一种用于半导体器件的制造方法，使用如权利要求1至6任意一项 所述的灰化设备，包括去除形成在所述半导体基板上的等离子体掺杂的抗蚀 剂的工艺，通过灰化去除形成在所述抗蚀剂上的该表面硬化层，以及通过湿 法蚀刻去除该内部非硬化层。
12. 如权利要求11所述的用于半导体器件的制造方法，其中所述等离体 掺杂使用包含硼的等离子体。
13. 如权利要求12所述的用于半导体器件的制造方法，其中所述等离子 体掺杂使用包含B2H6和He混合气体的等离子体。
14. 如权利要求13所述的用于半导体器件的制造方法，其中所述等离子 体掺杂使用包含B2H6和He混合气体的等离子体，其中B2H6与He的比例是 3%以下的B2Hs与97%以上的He，且掺入该硅基板的硼的剂量为lE14cm-2 以上。
全文摘要
一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
文档编号H01L21/3065GK101151715SQ200680010338
公开日2008年3月26日 申请日期2006年3月30日 优先权日2005年3月30日
发明者佐佐木雄一朗, 水野文二, 金成国 申请人:松下电器产业株式会社