专利名称：具有改进的机械性能的无Pb焊料凸点的制作方法
技术领域：
本公开一般涉及半导体制造，更特别地，涉及具有改进的机械性能的焊料凸点。
背景技术：
焊料凸点被用于使某些半导体器件与器件封装基板接合和电连接。一般地，半导体器件形成有与封装基板上的电触点对应的电触点。焊料凸点在电气上以及在机械上使半导体器件的触点与基板的触点连接。基板包含用于从电触点向可与例如电路板连接的封装引线路由信号和功率的导电路径。
发明内容
本公开在一个实施例中提供一种形成半导体器件的方法。提供具有第一触点和在其上面形成的未掺杂的电镀的无铅焊料凸点的半导体基板。提供具有第二触点和第二触点上的包含掺杂剂的掺杂无铅焊料层的器件封装基板。当掺杂剂被加入无铅焊料凸点中时， 掺杂剂降低未掺杂的无铅焊料凸点的凝固(solidification)过冷(undercooling)温度。 未掺杂的电镀无铅焊料凸点和掺杂的无铅焊料层被熔融，由此将掺杂剂加入未掺杂的无铅焊料以形成掺杂的焊料凸点。焊料凸点在第一触点和第二触点之间提供电连接。另一实施例是一种电子器件。该电子器件包含半导体基板和器件封装。半导体基板具有在其上面形成的第一金属焊盘，并且，器件封装基板具有在其上面形成的第二金属焊盘。包含Sn的无铅焊料凸点处于第一和第二金属焊盘之间并与它们接触，并且具有约 5E-4cm3或更小的体积。降低焊料凸点的凝固过冷温度的掺杂剂被加入焊料凸点中。焊料凸点包含比在Sn的熔点处Sn中掺杂剂的溶度极限大的掺杂剂的浓度。以上概述了本发明的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解以下的本发明的详细的描述。以下描述形成本发明的权利要求的主题的本发明的其它的特征。本领域技术人员应理解，他们可以很容易地使用公开的概念和特定的实施例作为用于设计或修改用于实施本发明的相同的目的的其它的结构。本领域技术人员还应理解，这些等同的构造不背离本发明的精神和范围。
现在，为了能够更彻底地理解本发明，结合附图参照以下的描述，其中，图1示出根据本公开形成的电子器件；图2示出具有高度相关结晶取向的少量晶粒的现有技术焊料凸点；图3示出根据本公开形成的具有低度相关结晶取向的大量晶粒的焊料凸点；图4示出根据本公开的方法；图5示出具有在其上面形成焊料层的封装基板的金属触点；图6示出具有在其上面形成未掺杂焊料凸点的电子器件的触点；图7A和图7B示出接合电子器件和封装基板以生成本公开的掺杂焊料凸点。
具体实施例方式这里的实施例描述包含提高其机械性能的掺杂剂的焊料凸点。可以相信，掺杂剂促进在掺杂的凸点中比在类似的未掺杂的凸点中形成更多的晶粒。掺杂的凸点中的更多的晶粒被视为向掺杂凸点赋予比未掺杂凸点更多的各向同性的机械性能，从而减少会导致电气失效的封装的半导体器件中的凸点的机械失效的比率。在没有限制的情况下给出以下的讨论中的各种理论考虑，以提供解释本公开的背景。理论的讨论限于与本当前的讨论有关的那些考虑。为了在不没有限制的情况下澄清或简化本讨论，某些因素可以被省略。铅(Pb)-锡(Sn)焊料在过去已被使用，并且在宽的温度范围上提供与操作兼容的电气和机械性能的组合。该兼容性的一个方面是形成大量的具有低度相关结晶取向的随机取向晶粒。低度的相关性在宽的温度范围上导致各向同性机械性能和韧性行为。这些性能容纳电子组件的部件之间的热应力，不向部件传递过量的应力。但是，Pb的不利的生态效果上的环境考虑导致世界各地的立法明确限制1 在电子器件中的使用。例如，由欧盟在2003年采用并在2006年开始生效的有害物质(RoHS) 指示的限制将任何均勻成分中的铅的浓度限制到0. lwt. % (IOOOppm)或更低。这里，具有 0. Iwt. %或更少的铅的焊料被称为无铅(无Pb)焊料。1 的允许浓度一般太低，而不能赋予Sn基焊料希望的晶体结构。由焊料的凝固过冷温度(这里，简称为“过冷”)部分确定焊料的晶体结构。如这里使用的那样，过冷是元素或合金金属的正常熔点和金属必须降温以导致金属凝固的熔点以下的温度之间的温度差。一般地，如下面进一步描述的那样，更小的过冷与有利于焊料的希望的机械性能的晶体性能有关。影响过冷的因素包括例如焊料样品的杂质和尺寸。如这里使用的那样，焊料是包含至少约95wt. %的Sn并可包含诸如例如铜或银的合金化金属的金属成分(composition)。如后面进一步讨论的那样，该定义不考虑一种或更多种掺杂剂的存在。示例性焊料包含例如纯Sn、Sn-Ag, Sn-Cu和Sn-Ag-Au(SAC)。掺杂的焊料包含例如为上述的成分之一的焊料，和掺杂剂。如后面进一步描述的那样，在各实施例中，掺杂剂可选自例如为Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Si的第四行过渡金属之一(由标准门捷列夫(Mendeleev)元素周期表确定)。Cu被表示为在降低过冷上无效，并且特别地从掺杂剂的列表排出。在上述的过渡金属中，某些会是优选的。例如，Mn、Fe、Ni和Si可能不易于氧化，并因此在某些器件中具有更大的可用性。如后面进一步描述的那样，由这里的实施例设想的掺杂剂的浓度为约2wt. %或更少。虽然已发现某些掺杂剂降低无1 的Sn基焊料成分的过冷，但是，形成具有在这里的实施例中公开的范围中的浓度的焊料凸点的方法仍然是难以找到的。如这里使用的那样，焊料凸点是被附接到下凸点金属化(UBM)焊盘上的，并具有约250 μ m的最大直径、约 5E-4cm3的最大体积或约3mg的最大质量的无1 的Sn基的少量焊料成分。如后面进一步描述的那样，凸点的形成包含将掺杂的焊料成分电镀到UBM焊盘上。在某些情况下，凸点可以为凸点阵列的成员。首先转向图1，示出根据本公开形成的统一表示为100的电子器件。电子器件100 包含与器件封装基板120电气和机械连接的半导体基板110。基板110可以为例如电子器件芯片。器件100在没有限制的情况下被示为包含例如用于使基板110免受环境影响的常规盖子130。在某些实施例中，替代性地或者另外通过密封剂保护基板110。由与在半导体基板110和基板120上形成的电触点(例如，在图2中表示)连接的焊料凸点140提供基板110和封装基板120之间的电连接。在基板110和基板120之间形成常规的底部填充 (underfill) 150。基板120包含被配置为使在其上面形成的触点与在没有限制的情况下被示为球状栅阵列(BGA)的封装触点160电连接的导电路径(未示出)。图2示出现有技术焊料凸点210和现有技术焊料凸点210的附近的封装100的结构元件的详细断面图。半导体基板110包含UBM焊盘220。例如，UBM焊盘220可与半导体基板110的电路电连接，或者，向其提供功率和接地连接。基板120包含可由例如铜形成的常规的接线柱230。UBM焊盘220或接线柱230可以可选地包含例如为镍的屏障金属层。 焊料屏蔽240包含使得现有技术焊料凸点210可与接线柱230进行电接触的开口。现有技术焊料凸点210由例如为Sn-Ag或Sn-Cu的常规的(未掺杂)焊料配制形成。现有技术焊料凸点210的直径与高密度凸点阵列一致，例如为约250μπι或更小。在该比例上，现有技术焊料凸点210的结晶的热机械有利于形成相对较少的晶粒250。晶粒250 可具有高度相关的结晶取向。换句话说，晶粒250会一般对准，使得与晶粒250相关的晶格轴具有相近的取向。这种取向会对现有技术焊料凸点210和/或半导体基板110的可靠性产生有害的影响。特别地，这种对准的晶粒可导致现有技术焊料凸点210的断裂失效。Tin具有体心四方单位晶胞。四方单位晶胞导致其弹性和热膨胀特性的明显的各向异性。可以认为，该各向异性随着热循环导致取向的焊料凸点中的损伤的累积，这会导致凸点的断裂以及凸点作为一部分的封装的电子器件的相关失效。并且，当Sn晶粒取向为使得<001>结晶方向大致与基板焊盘平行时，某些取向会导致剪切应变增加。相反，当晶粒取向为使得<100>或<010>方向与基板焊盘平行时，则剪切应变被认为被最小化。并且，该各向异性可导致剪切应力超过基板110中的电介质层的临界应力，从而导致电介质的粘附或粘着失效和分层。当<001>方向大致与焊料焊盘和电介质层平行时，但不是在<100>或 <010>方向类似地取向时，分层的危险被认为是特别明显的。当基板110使用诸如有机或多孔电介质的某些“低k”电介质层时，该危险是特别明显的。可以认为，可通过减小焊料凸点中的晶粒的尺寸并且减少晶粒取向的相关性减轻具有高度相关的晶粒的高度相关的锡基焊料凸点的上述的缺点。实现这种改善的特性的一种方法是降低焊料凸点的过冷温度。由于例如表面能效应和可用形核点，开始锡的凝固所需要的过冷量一般随着熔融锡样品的尺寸的减小而增加。在未掺杂的锡中，例如，晶粒被认为在随机热运动导致足够多的锡原子落入固态锡晶格的正确位置中以形成晶胚的位置上形核。随着熔融锡样品的尺寸减小，可望在熔体中存在更少的晶胚。根据合金和样品尺寸，必要的过冷可为50C或更大。 因此，用于凝固的驱动能量会变得相当大。当晶粒的形核出现时，驱动力会导致晶粒迅速生长。并且，在前进的凝固前端上由凝固锡晶粒释放的熔合的热会熔融相邻的形核晶粒。因此，在小的样品中，并且，对于高度相关的某些晶粒的取向，这些因素的组合被认为有利于仅形成少量晶粒。图3示出根据本公开形成的焊料凸点140。焊料凸点140包含晶体取向低度相关的许多小晶粒。可以认为降低熔融的锡的过冷会增加熔融的锡中的晶粒的数量，并且减少其相对未掺杂的锡的尺寸。在某些情况下，焊料球140可具有10个或更多的晶粒。当随着较低的过冷出现晶粒的形核和生长时，由生长的晶粒释放的能量更少，并且，前进的固体/ 液体界面进展更慢。其它的晶胚使晶粒形核存在更多的时间，并且，生长的晶粒不太可能通过重熔融相互消耗。以这种方式，获得凸点的改进的机械性能。掺杂剂的有益的浓度足以降低过冷，但是，足够低以使得掺杂和未掺杂的焊料的熔点的任意差值不明显，例如，低于约5C。一般地，该浓度小于掺杂剂的约2wt. %。在某些情况下，例如，小于Iwt. %的浓度是优选的，以相对于大于2wt. %的浓度的可能的负面效果确保过程余量。掺杂剂在约232C的锡的熔点处具有Sn中的溶度极限。这里，具有溶度极限处的掺杂剂的浓度的焊料凸点被称为饱和。这里，低于该极限的掺杂剂浓度被称为未饱和，并且， 大于该极限的掺杂剂浓度被称为过饱和。在某些情况下，可希望在焊料凸点中具有过饱和浓度的掺杂剂。虽然没有理论上的限制，但是，可以认为，与饱和或未饱和的焊料凸点相比， 这种浓度导致在焊料凸点内可能形成更多的形核点，从而导致更多的晶粒和晶粒的更低度的晶体取向相关性。在具有约250 μ m或更小的直径或具有约5E-4cm3或更小的体积或具有约3mg或更小的质量的焊料凸点中，该效果是特别有益的。过饱和的掺杂剂浓度与已知的具有所记载的尺寸特性的焊料凸点相反。例如，焊料凸点可以溶解UBM焊盘的一部分，由此将焊盘中的元素引入焊料凸点中。但是，这种元素的浓度是溶度限制的。M例如在232C下在Sn中具有约0. 2wt. %或更小的溶度极限。该浓度被视为一般不足以向焊料凸点的机械性能赋予足够的益处。当前的现有技术的焊料凸点形成一般使用电镀以将焊料成分沉积于器件基板的 UBM焊盘上。由于元素电负性的不同，用例如低于约2wt. %的希望的掺杂剂浓度在可控制的成分中电镀掺杂的Sn基焊料在技术上是困难的，并且当前在许多情况下是不可行的。例如，Sn的电负性为约1. 96 (Pauling单位)，而Si的电负性为约1. 65。在许多的电镀过程中，由于Sn的更高的电负性，该过程将趋于优先沉积Sn。例如，该过程偏好对于诸如浓度、 电镀电流和电镀槽混合的过程变化敏感，从而使得难以控制电镀层中的Sn和Si的相对浓度。当掺杂诸如Sn-Ag、Sn-Cu或SAC的二元或三元合金时，该困难更大。本公开反映可通过以希望的浓度间接掺杂焊料凸点140克服现有技术的电镀焊料凸点和形成焊料凸点的方法的缺点的认识。可以在接合基板110和基板120之前在在基板120上形成的焊料层中提供掺杂剂。与实际的或可行的在电镀中直接掺杂焊料凸点相比，焊料凸点140可由此在更大的控制下以更低的浓度掺杂。返回图4，示出掺杂焊料凸点的统一表示为400的方法中的步骤。同时参照示出方法的各步骤的图5、图6和图7A/图7B描述图4。图5示出具有在其上面形成的焊料层 510的基板120的断面图。图6示出具有在UBM焊盘220上形成的未掺杂的焊料凸点610 的基板110的断面图。图7A和图7B示出通过过程400的接合中的焊料层510和未掺杂的焊料凸点610的断面图。首先，在步骤410中，如图5所示，诸如例如基板120的基板设置有在其上面形成的触点230和在触点230上形成的焊料层510。焊料层510被示为重度阴影区域，以反映在接合基板110和基板120之后其中的掺杂剂的浓度比焊料凸点140中的浓度大。以下更详细地讨论该方面。
这里，设置包括从执行方法400中的其它步骤的本地制造环境外面的来源获得基板。设置还包括在本地制造环境内在基板上形成焊料层。当从本地制造环境外面的获得时， 可从第三方，或者，从执行以下的步骤的实体的商业单位获得上面形成焊料层510的基板。某些实施例中的焊料凸点140中的掺杂剂的有益的浓度的范围为约0. 35wt. % 约2. Owt. %。可以认为，当浓度太低时，掺杂剂将不提供希望的过冷的降低，和/或沉积过程将难以或者在技术上无法提供希望的控制容差。在某些情况下，例如，提供高到足以确保整个焊料凸点被掺杂到至少0. Iwt. %的掺杂剂浓度是有利的。如果不是，那么会存在具有大的过冷的局部化接合区域。在这种情况下，添加掺杂剂的益处会明显降低或者丢失。由于掺杂剂分布会是不均勻的，因此，为了在整个焊料凸点中确保浓度至少为约0. Iwt. %, 0. 35wt. %或更大的浓度会是希望的。另一考虑是过程均勻性。在某些实施例中，希望将跨基板或基板之间的掺杂剂浓度的偏差限制到其平均浓度的约20%或更小。在这些情况下， 0. 25wt. %的较低的有益的浓度被认为在许多情况下满足该目的。在太高的浓度上，掺杂剂会形成足够大以不希望地影响焊料凸点的诸如韧性的机械性能，或者会影响诸如熔点的热性能或诸如氧化稳定性的化学性能的沉淀物。该上限对于不同的掺杂剂一般是不同的，但是对于本公开的范围内的掺杂剂可望达约2. Owt. %。在某些情况下，由于存在掺杂剂不带来进一步的益处的最大浓度，或者由于诸如这些上述的效果的不希望的效果在高于最大有益浓度之后变得明显，因此，该极限将较低。该较低的最大掺杂剂浓度被认为为约0. 5wt. %。焊料层510被关注的掺杂剂过掺杂。过掺杂意味着焊料层以大于由过程400形成的焊料凸点140的浓度的浓度包含上述的掺杂剂中的一种。焊料层510可以为例如微细分割的粒子，或者是从熔融体凝固的。在某些实施例中，焊料层以比在焊料熔点处焊料层510 中的掺杂剂的溶度极限大的浓度提供掺杂剂，例如过饱和溶体。当焊料层510包含微细分割的粒子时，它可由例如焊料糊剂形成。可通过使用诸如例如丝网印刷的常规的方法施加焊料糊剂。微粒的高的表面面积提供帮助形成过饱和溶体的自由能。焊料层510中的掺杂剂的浓度可以缩放，以在焊料凸点中提供预定的浓度。例如， 焊料层510—般提供焊料凸点140的总体积的固定的预定部分。在一个解释性的实施例中， 例如，焊料层被配置为提供焊料凸点140的总体积的约25%，并且，未掺杂的焊料凸点610 被配置为提供总体积的约75 %。在这种情况下，焊料层510可包含焊料凸点140中的掺杂剂的希望的预定浓度的约4倍。例如，如果焊料凸点140中的掺杂剂浓度可为约0. 35wt. V0 约2wt. %的范围，那么焊料层510中的掺杂剂浓度可为约% 约8wt. %的范围。在焊料层510提供不同的比例的焊料凸点140体积的情况下，焊料层中的掺杂剂的浓度可根据需要缩放，以在焊料凸点140中导致希望的掺杂剂浓度。焊料层510可具有与未掺杂的焊料凸点610相同或不同的非掺杂剂元素的浓度。 例如，焊料层510可以以与存在于未掺杂的焊料凸点610中的浓度相同的浓度包含Cu或 Ag。在其它的情况下，焊料层510是不同的焊料成分。例如，焊料层610可基本上仅包含 Sn,并且，除了导致诸如例如SAC的希望的焊料允许物的掺杂剂以外，焊料层510可包含Cu 和/或Ag。参照图4，同时继续参照图6，在步骤420中，电子器件基板110设置有在UBM焊盘 220上形成的未掺杂的焊料凸点610。未掺杂的焊料凸点610由电镀形成，并且可以为诸如例如Sn-Cu、Sn-Ag或SAC的Sn的任何无铅合金。未掺杂的焊料凸点610在未掺杂的焊料凸点610呈现球形形状的可选的回流过程之后被示出。在其它的情况下，回流过程可被省略，在这种情况下，未掺杂的焊料凸点610将一般不是球形的。参照图4、图7A和图7B，在步骤430中，未掺杂的焊料凸点610和焊料层510如图 7A所示的那样物理接触。未掺杂焊料凸点610和焊料层510的温度升高到足以使两者熔融的温度，例如，升高到约232C。在液相中，由未掺杂的焊料凸点610和焊料层510提供的元素迅速地互扩散以产生具有带有希望的掺杂剂浓度的熔融焊料凸点140的组件710。组件710的温度然后下降到熔点以下。在某些实施例中，熔融的焊料凸点140保持高于熔融温度少于约10秒，以减少会消耗掺杂剂的熔融的固态沉淀物的数量或尺寸。随着焊料凸点 140冷却，掺杂剂的存在促进具有上述的特性、例如具有更加各向同性的机械性能的大量的晶粒的形核。可执行诸如例如底部填充150和盖子130的附加的常规的封装步骤，以完成电子器件100。在某些实施例中，焊料层510以确保掺杂剂将以大于在焊料熔点处掺杂剂在焊料凸点140中的掺杂剂的溶度极限的浓度存在于焊料凸点140中的浓度提供掺杂剂，例如，掺杂剂过饱和。可以认为，当焊料凸点140过饱和时，随着熔融的焊料冷却，掺杂剂会形成大量的纳米沉淀物。这些沉淀物然后可如之前描述的那样用作锡晶粒的形核点，从而相对于未掺杂的锡导致观察的减少的过冷。在某些情况下，掺杂剂粒子不会完全溶解于熔融的焊料中，并且，在进一步沉淀或不沉淀掺杂剂的情况下，会用作为形核点。在某些实施例中，焊料糊剂会在接合基板110和基板120之前部分或完全回流。在上述的方法中，未掺杂的焊料球610和掺杂的焊料层510协作以形成焊料凸点 140。由于焊料层510由机械混合物形成，因此其中的成分不被诸如限制电镀层的成分的效果的那些效果限制。因此，与常规的焊料凸点形成方法相比，该方法提供更大的掺杂剂选择自由度和更大的浓度范围。并且，焊料凸点中的掺杂剂浓度的控制在常规的过程上得到改进。由所述的方法形成的焊料凸点可望具有优于常规的焊料凸点的机械性能，并且具有更大的性能均勻性。虽然已详细描述了本发明，但是，本领域技术人员应当理解，在不在其最宽的形式中背离本发明的精神和范围的情况下，他们可在这里提出各种变化、替代和修改。
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权利要求
1.一种形成半导体器件的方法，包括提供具有第一触点和在所述第一触点上形成的未掺杂的电镀的无铅焊料凸点的半导体基板；提供具有第二触点和所述第二触点上的包含当被加入所述无铅焊料凸点中时降低所述未掺杂的无铅焊料凸点的凝固过冷温度的掺杂剂的掺杂的无铅焊料层的器件封装基板; 和熔融所述未掺杂的电镀的无铅焊料凸点，并且所述掺杂的无铅焊料层由此接合所述半导体基板与所述器件封装基板，并且将所述掺杂剂加入所述未掺杂的无铅焊料中以形成掺杂的焊料凸点，并且在所述第一触点和所述第二触点之间提供电连接。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的焊料凸点中的所述掺杂剂的浓度超过在Sn的熔点处Sn中的所述掺杂剂的溶度极限。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的焊料凸点包含至少10个晶粒。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的焊料凸点包含约0.35wt. % 约2wt. % 的所述掺杂剂。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的焊料凸点包含约0.35wt.% 约 0. 5wt. %的所述掺杂剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包含Si。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包含M。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包含狗。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包含Mn。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述焊料层为焊料糊剂。
11.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的焊料凸点具有约5E-4cm3或更小的体积。
12.如权利要求1所述的方法，其中，所述焊料层具有为所述焊料凸点中的所述掺杂剂的浓度的大约四倍的所述掺杂剂的浓度。
13.一种电子器件，包括具有在其上面形成的第一金属焊盘的半导体基板； 具有在其上面形成的第二金属焊盘的器件封装基板；具有约5E-4cm3或更小的体积的处于所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘之间并与它们接触的包含Sn的无铅焊料凸点；和加入所述焊料凸点中的降低所述焊料凸点的凝固过冷温度的掺杂剂，其中，所述焊料凸点包含比在Sn的熔点处Sn中的所述掺杂剂的溶度极限大的所述掺杂剂的浓度。
14.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述掺杂剂包含Si。
15.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述掺杂剂包含狗。
16.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述掺杂剂包含M。
17.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述掺杂剂包含Mn。
18.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述浓度为所述焊料凸点的约 0. 35wt. %或更大。
19.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述焊料凸点包含少于约2wt.%的所述掺杂剂。
20.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述焊料凸点包含少于约0.5wt. %的所述掺杂剂。
21.如权利要求13所述的电子器件封装，其中，所述焊料凸点包含至少10个晶粒。
全文摘要
公开了形成半导体器件的方法。提供具有第一触点和在其上面形成的未掺杂的电镀的无铅焊料凸点(610)的半导体基板。提供具有第二触点和第二触点上的包含掺杂剂的掺杂无铅焊料层(510)的器件封装基板。掺杂剂当被加入无铅焊料凸点中时降低未掺杂的无铅焊料凸点的凝固过冷温度。未掺杂的电镀的无铅焊料凸点和掺杂的无铅焊料层被熔融，由此将掺杂剂加入未掺杂的无铅焊料以形成掺杂的焊料凸点(140)。焊料凸点在第一触点和第二触点之间提供电连接。
文档编号H01L23/485GK102197477SQ200880131666
公开日2011年9月21日 申请日期2008年9月16日 优先权日2008年9月16日
发明者J·W·奥森巴赫, M·巴奇曼 申请人:艾格瑞系统有限公司