向微细空间填充金属的方法

专利名称：向微细空间填充金属的方法
技术领域：
本发明涉及向存在于处理对象物中的微细空间填充熔融金属并使该熔融金属固
化的方法。 例如，在以半导体设备为代表的电子设备或微型机械等中，有时必须在内部形成 具有高纵横比的微细的导体填充结构、接合结构或功能结构。此时，已知通过在微细空间内 填充预先选择的填充材料来实现导体填充结构、接合结构以及功能结构等的技术。但是，在 具有高纵横比的微细空间中，在不产生空隙或固化后变形等的情况下将填充材料充分填充 至微细空间的底部极为困难。 例如，以处理用于制造半导体设备的晶片的情况为例，在晶片上设置有用于形成 电极等的大量微细空间(孔)，该微细空间的孔径例如为数十微米以下，非常小。并且，对于 上述孔径微小的微细空间而言，晶片的厚度相当厚，微细空间的纵横比也大多为5以上。为 了形成电极，必须在上述微小、高纵横比的微细空间中确实地填充导电材料直至达到其底 部，因此显然要求高水平的填充技术。 作为形成电极的技术，已知有使用将导电金属成分和有机粘合剂混合而得到的 导电性浆料的技术，但是使用导电性优异、损耗低、且高频特性优异的熔融金属材料的冶 金技术逐渐受到关注。这样的技术已经在例如日本特开2002-237468号公报和日本特开 2002-368082号公报中公开。 首先，专利文献l公开了通过熔融金属回填法在微细空间(贯穿孔)内填充金属 的技术。所谓的熔融金属回填法是下述方法将放置有对象物(晶片)的气氛进行减压，然 后保持减压状态，将所述对象物插入熔融金属中，然后，增加所述熔融金属的气氛气压，通 过插入金属前后的气氛气压差而向所述空间中填充熔融金属，然后，从熔融金属槽中取出 对象物，在大气中冷却。 但是，该熔融金属回填法存在下述问题。 (a)从熔融金属槽中取出对象物进行冷却时，金属表面凹陷成直至比对象物的表 面低的位置的凹面状。因此，有时与外部之间的电导通不完全。 (b)为了解决上述问题，为了填埋凹面，必须再次供给熔融金属。并且，为了填埋凹 面，必须使被供给的金属表面高于对象物的表面地突出，所以需要使金属表面与对象物表 面一致的工序，例如CMP(ChemicalMechanical Polishing,化学机械研磨)工序。这些工序
导致工序复杂化、伴随该工序的成品率降低等。 (c)更大的问题不仅在于需要上述复杂的工序，还在于在微细空间的、特别是底部 产生熔融金属填充不充分的空隙等。 其次，日本特开2002-368082号公报公开了压差填充方式。在该压差填充方式中， 将形成有微细空间的对象物和金属片配置在真空腔内后，对真空腔内进行减压，通过加热 装置使金属片熔融，然后，用不活泼性气体将真空腔内加压至大气压以上。由此，熔融的金
背景技术：
属被真空吸入到微细空间内。然后，释放真空腔，除去残留在样品表面的熔融状态的金属， 然后，在大气中在室温下冷却。根据日本特开2002-368082号公报的记载，与熔融金属回填法(日本特开
2002-237468号公报)相比，由于熔融金属的热容少，所以具有下述效果在样品中不产生
弯曲或裂缝，能将剩余金属限制在最小限度，从而能实现降低成本等效果。 但是，在记载在日本特开2002-368082号公报中的压差填充方式中，熔融金属没
有完全填充至微细空间的底部，在内部产生空隙。 此外，由于除去残留在样品表面的熔融状态的金属，所以在该工序中，也削去了填
充在微小间隙中的熔融金属的一部分(上端侧)。因此，仍然存在凹面的问题。 实际上，通过压差填充方式制造的晶片和使用该晶片的设备仍未投入市场正是上
述问题无法解决的证明。 向微细空间中充分填充熔融金属时产生的技术困难性并不限于处理半导体设备 用晶片时的问题。在其它电子设备或微型机械等中也有同样的问题。

发明内容
本发明的课题在于提供在不产生凹面化、空隙、孔穴等的情况下用金属填充材料 充满微细空间的方法。 本发明的另一个课题在于提供无需在冷却后再供给熔融金属及CMP工序等、有利 于简化工序、提高成品率等的方法。 为了解决上述课题中的至少一个课题，本发明包含下述工序在向存在于作为处 理对象的对象物中的微细空间填充熔融金属并使该熔融金属固化时，在对所述微细空间内 的所述熔融金属施加强制外力的状态下，使所述熔融金属冷却而固化。 如上所述，本发明的方法包含在对微细空间内的熔融金属施加强制外力的状态下 使熔融金属冷却而固化的工序，因此通过从外部施加的强制外力，能使熔融金属充分填充 至微细空间的底部，同时能抑制由热收縮导致的金属变形。因此，能在不产生空隙或孔穴等 的情况下用金属体填满微细空间。 基于相同的原因，也能避免在微细间隙中冷却时产生的熔融金属的凹面化。因此， 能确实地确保与外部的电导通。 进而，由于能避免金属体的凹面化，所以不需要在冷却后再供给熔融金属以及CMP 工序等，能有利于简化工序、提高成品率等。 本发明中，所谓的强制外力意思是不包含自然放置时施加的压力、典型地例如大 气压。该强制外力由选自压力、磁力或离心力中的至少一种方式而给予。所述压力可以以 正压给予，也可以以负压给予。在负压的情况下，成为吸引力。具体而言，所述压力由压力 机压或气压给予。 作为强制外力的其它形态，也有利用通过喷射器得到的喷射压力的形态。此时，通 过喷射器向对象物的开口面上供给熔融金属，在施加由该喷射压力形成的强制外力的状态 下，使所述熔融金属冷却而固化。 施加强制外力时，在固化工序的初始阶段，优选不仅利用静压，也积极地利用动 压，进行利用动压得到的动态的压入动作。根据该方法，能使熔融金属确实地到达微细空间的底部，进一步确实地避免在底部产生未填充区域。 本发明中，工序的至少一部分在真空腔内的减压气氛下实行。原因在于通过真空 腔内的减压气氛，可以将熔融金属真空抽吸到微细空间内。所谓的减压气氛是指以大气压 为基准，低于该大气压的压力的气氛。 优选以在开口面上产生熔融金属的金属薄膜的方式供给熔融金属。由此，通过金
属薄膜所受到的强制外力，可以将熔融金属确实地压入微细空间的内部。 以在开口面上产生熔融金属的金属薄膜的方式供给熔融金属时，可以采取下述工
序使熔融金属固化后，使开口面上的金属薄膜再熔融，擦除再熔融的金属薄膜。再熔融时
的热也施加在微细间隙内部的固化金属体上，但固化金属体所具有的热容明显大于金属薄
膜的热容，所以即使金属薄膜再熔融，也不会发展到固化金属体再熔融。因此，可以仅擦除
金属薄膜，形成不具有凹面部的平坦面。 通过下述附图更详细地阐明本发明的其它主题、构成和优点。但这些附图仅表示 说明性的例子。


图1是表示本发明方法的流程图。 图2是在图1所示的工序中省略固化工序(加压冷却)而得到的半导体晶片(硅 晶片)的截面SEM照片。 图3是由具有固化工序(加压冷却)的本发明方法得到的半导体晶片(硅晶片) 的截面SEM照片。 图4是表示本发明方法的其它适用例的图。
图5是表示本发明方法的又一其它适用例的图。
图6是表示本发明方法的又一其它适用例的图。
具体实施例方式
参照图1，该实施方式所示的方法包含准备工序、流入工序、固化工序及后工序。但 是，这些工序的区别只不过是便于说明上的区别。以下，按工序顺序进行说明。
(A)准备工序 首先，在设置于真空腔1内部的支撑器3上设置成为处理对象的对象物2。对象 物2具有微细空间21。微细空间21必须在对象物2的外表面开口，但其开口形状、路径与 数量等是任意的。不必是图示的贯穿孔，也可以是非贯穿孔。或者，不仅可以是在图示的纵 向，也可以是与其在垂直的横向上相连的复杂形状。微细空间21不限于特意形成的微细空 间。也可以是无意产生的微细空间。 对象物2的代表例是半导体设备用晶片，但并不限定于此。本发明在必须在存在 于对象物2中的微细空间21内填充熔融金属并使熔融金属固化时，能广泛适用，所以在例 如其它电子设备、微型机械等中，在内部形成微细的导体填充结构、接合结构或功能部分 时，可以广泛适用。有时也可以适用于电子设备或微型机械以外的具有通常大小的设备中。
此外，对象物2只要对从熔融金属释放的热具有耐热性即可，不管是金属、合金、 金属氧化物、陶瓷、玻璃、塑料或它们的复合材料、或者它们的层叠体，均能无差别地广泛使用。并且对象物2的外形形状不限于平板状，能采取任意形状。图示的平板状只不过是为 了便于说明而选择的一例。 选择晶片作为对象物2时，其物性、结构等根据作为对象的设备的种类而不 同。例如，在半导体设备的情况下，可以使用Si晶片、SiC晶片或SOI晶片等。在无 源电路设备的情况下，有时可以采取电介质、磁性体或它们的复合体的形态。在制造 M廳(Magnetoresistive Random AccessMemory,磁性随机记忆体)、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)或光设备等中，也可以使用具有满足其要求的物性及结 构的晶片。晶片中，微细空间21通常被称为贯穿孔、非贯穿孔(盲孔)或导通孔(viahole)。 该微细空间21例如孔径为60ym以下。晶片自身的厚度通常为数十微米。因此，微细空间 21具有相当高的纵横比。这是导致熔融金属4填充到微细空间21中时产生问题的较大的 原因。 然后，对真空腔1实行真空抽吸，将真空腔1的内压减压至例如真空度为10—3Pa左 右。但是，该真空度是一个例子，并不限定于此。
(B)流入工序 下面，在流入工序中，从微细空间21的开口的开口面向微细空间21内流入熔融金 属4。该流入工序以在真空腔l内部的减压气氛内实行为基本。由此，熔融金属4被真空吸 入到微细空间21内，在微细空间21的内部产生填充熔融金属41。 构成熔融金属4的金属材料根据对象物2的种类及其目的而选择其组成成分。熔 融金属4通常不是由单一金属元素构成，而是含有以合金化为前提的多种金属元素。例如， 如果对象物2为半导体晶片，目的在于在微细空间21的内部形成导体，则可以使用含有选 自Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Ir、Al、Ni、Sn、In、Bi、Zn的组中的至少一种金属元素的金属成分。欲 得到接合结构时，选择考虑到了与被接合的对象物之间的接合性的金属成分。
上述金属成分优选具有纳米复合结构。此处，所谓的纳米复合结构是指粒径优选 为500nm以下的多晶体。使用具有纳米复合结构的金属成分的优点在于能降低熔融金属4 整体的熔点。 降低熔点的另外一个方法是组合高熔点金属成分(Ag、Cu、Au、Pt、Pd、 Ir、Al、Ni) 与低熔点金属成分(Sn、 In、 Bi)。 熔融金属材料中优选含有铋(Bi)。含有铋(Bi)的优点在于利用铋(Bi)冷却时体 积膨胀的特性，能有助于形成在微细空间21内没有空隙和孔穴的金属导体。
进而，微细空间21的底部被导体封闭时，采取下述工序也是有效的，即在流入上 述熔融金属4之前，预先向微细空间21内供给贵金属纳米粒子，然后流入熔融金属4。经由 该工序，通过贵金属纳米粒子所具有的催化剂作用而将有时形成在导体上的氧化膜还原， 能在熔融金属4与导体之间形成低电阻的接合。贵金属包括金(Au)、银(Ag)、钼(Pt)、钯 (Pd)、铑(Rh)、铱(Ir)、铷(Ru)及锇(0s)。上述元素中，优选含有选自金(Au)、钼(Pt)、钯 (Pd)中的至少一种。 在流入熔融金属4时，将上述金属材料预先在真空腔1的外部熔融，供给到真空腔 1的内部的对象物2中，或者预先在设置于真空腔1内部的支撑器3上架设加热机构，在真 空腔l内熔解金属材料。用于熔解的温度作为一例，可以设定在200 30(TC的范围。如上 所述，熔解温度可以根据金属成分组合的选择及纳米化来调整或降低。
金属材料可以以粉体的形态进行供给，或者也可以使用上述金属材料来预先准备 与对象物2的外形形状对应的金属薄板，将该金属薄板重合在对象物2的一个表面上，使该 金属薄板熔解。 也可以采用与上述流入方法不同的下述工序在减压气氛中将对象物2浸渍在熔 融金属槽中，然后取出。 流入工序可以包含将熔融金属4加压的工序。该工序中，对于熔融金属，优选不仅 给予静压，而且给予动压。原因在于通过动压的动态压入作用，可以使熔融金属4强制地流 入到微细空间21中。加压可以以使用机械冲压手段的压力机压的形式来给予，也可以以使 用孔版(也叫誊写版)及刮板(squeegee)的压入力的形式来给予，还可以通过将真空腔1 内的气氛气压从减压状态增压来给予。通过从减压状态的增压量来实行所谓的压差填充。
在增加真空腔1内部的气压时，优选向真空腔1内供给N2气等不活泼性气体，防 止熔融金属材料的氧化，同时增加其气压。真空腔l内的气压作为一例，可以设定在0.6 lkgf/cm2的范围。通过控制达到该气压为止的升压_时间特性，能产生适当的动压。
进而，流入工序也可以包含通过设置在真空腔1外部的喷射器喷射熔融金属4来 填充到微细空间21中的工序。该工序中，可以与上述加压手段组合，或者也可以作为与其 独立的手段。 在流入工序中，优选以在对象物2的微细空间21开口的开口面上产生金属薄膜42 的方式供给熔融金属4。 S卩，以多于微细空间21的总容积的方式供给熔融金属4。经由上 述工序，利用施加在金属薄膜42上的动压，能确实地产生压入动作。 进而，在流入工序中，也可以进行利用超声波振动的填充、利用磁力的填充以及利 用离心力的填充。在超声波振动填充中，考虑向对象物2给予超声波振动或向冲压手段供 给超声波振动、或者向孔版及刮板给予超声波振动。但是，从提高振动效率及避免对象物2 的共振作用导致熔融金属4溢流的观点考虑，必须适当选择振动频率。
在磁力填充中，可以预先使熔融金属4含有磁性成分，从外部施加磁场，利用作用 于磁性成分的磁力，使熔融金属4吸入微细空间21的内部。在离心力填充中，可以利用使 对象物2旋转时产生的离心力。
(C)固化工序 接着，进行到固化工序。该固化工序中的处理内容是本发明的一大特征。在固化 工序中，通过上述流入工序向微细空间21内填充熔融金属4后，在施加超过大气压的强制 外力Fl的状态下，使微细空间21内的填充熔融金属41冷却而固化。持续施加强制外力Fl 直至固化结束。冷却基本是在室温中的慢慢冷却，但可以设定比室温低的温度条件，也可以 根据情况设定比室温高的温度条件。进而，随着时间经过，可以采取连续或阶段地降低温度 的冷却方法。 考虑对象物2的机械强度及微细空间21的纵横比等来确定强制外力Fl的大小。 作为一例，在对象物2为硅晶片时，强制外力Fl优选设定为超过大气压至2kgf/cm2以下的 范围。对象物2的机械强度及微细空间21的纵横比较大时，可以施加更高的压力。
在固化工序中施加的强制外力F1可以由选自压力机压、喷射压、气压或碾压中的 至少一种方式来给予。利用上述压力时，在固化工序的初始阶段，不仅可以利用静压，也可 以积极地利用动压，进行由动压产生的动态压入动作。由此，能以更确实地抑制空隙或孔穴的产生、且填充熔融金属41可以更确实地到达微细空间21的底部的方式进行操作。在施 加压力机压、喷射压、气压或碾压来作为强制外力的背景下的原本的意图是使熔融金属不 与大气或气氛接触，在封闭的状态(例如盖上盖子的状态)下冷却、固化。在熔融金属的冷 却、固化工序中，从防止金属氧化的观点来看这一点是极为重要的。 压力机压可以通过使用空气压的冲压手段、使用油压的冲压手段或机械的冲压手 段来施加。此种冲压手段具有接近对象物2而直接施加压力的滑块(按压板)，通过该滑 块，使熔融金属不与大气或气氛接触，在封闭的状态下冷却、固化。 喷射压可以通过喷射器来施加。利用喷射器时，根据其本质的作用，可以使熔融金 属不与大气或气氛接触，在封闭的状态下冷却、固化。 可以在将对象物2保持在真空腔1或与真空腔1分别准备的处理腔内的状态下升 高其气氛气压来施加气压。施加气压时，准备受到气压而直接对对象物施加压力的受压按 压板，通过该受压按压板，可以使熔融金属不与大气或气氛接触，在封闭的状态下冷却、固 化。在气压中，也可以通过控制其时间上的压力上升特性，在固化工序的初始阶段积极地利 用动压，进行由动压得到的动态的压入动作。在固化工序中，也可以利用超声波振动填充、 磁力填充及离心力填充。 固化工序中利用强制外力进行的加压可以从流入工序中的加压工序独立出来实 行，也可以以连续的关系来实行。在以连续的关系实行时，两个加压工序被吸收成一个加压 工序。其典型例为下述情况将真空腔1内的气压升高至超过大气压的程度的情况；以及通 过喷射器向对象物2的开口面上供给熔融金属4，在施加由该喷射压力形成的强制外力的 状态下，使熔融金属冷却而固化的情况。但是，作为一个加压工序，在一体化的情况下也优 选调整施加压力。 如上所述，由于本发明包含在对微细空间21内的熔融金属4施加强制外力Fl的 状态下使微细空间21内的填充熔融金属41冷却而固化的固化工序，所以可以在微细空间 21内确实地对填充熔融金属41进行填充，同时填充熔融金属41在冷却过程中发生热收縮 时，可以通过施加的强制外力Fl抑制由热收縮导致的金属变形。因此，可以不产生空隙或 孔穴等，通过固化金属体40充满微细空间21直至其底部。基于相同的原因，也能避免固化 金属体40在微细空间21内冷却时所产生的凹面化。 进而，由于能避免微细空间21内的固化金属体40的凹面化，所以不需要在冷却后
再供给熔融金属和CMP工序等，可以有利于简化工序或提高成品率等。 特别是在流入工序中，以在对象物2的外表面上产生金属薄膜42的方式供给熔融
金属4时，由于该金属薄膜42受到压力而发生膜厚根据填充在微细空间21中的填充熔融
金属41的形态而改变等的变化，所以能确实地抑制填充在微细空间21中并固化了的固化
金属体40的由热收縮导致的变形以及凹面化。
(D)后工序 接着，使对象物2外表面上的金属薄膜42再熔融，通过例如刮板5等擦除再熔融 的金属薄膜42。根据该后工序，能使对象物2的外表面平坦化。并且，通过擦除的简单操作 就能完成，与现有技术不同，无需在熔融金属冷却后再供给熔融金属4或CMP工序等，所以 可以利于简化工序、提高成品率等。如果需要，也可以实行下述工序基于固化工序进一步 进行再加压力F2，然后冷却。但是，该后工序是为了除去金属薄膜42，使对象物2的一个表面平坦化而进行的，所以无需平坦化时，也可以省略。 再熔融时的热也施加到在微细间隙21的内部固化的固化金属体40中，但固化金 属体40所具有的热容明显大于金属薄膜42的热容，所以即使金属薄膜42再熔融，也不会 发展到固化金属体40再熔融。因此，可以仅擦除金属薄膜42。 经由上述一系列工序，可以得到在微细空间21中填充了固化金属体40的对象物 2。另外，上述各工序的所有工序无需在真空腔l内实行。固化工序、后工序也包括可以在 真空腔1的外部实行的工序。 下面，通过SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)照片证实本
发明的效果。图2是在图l所示的工序中省略固化工序(加压冷却)而得到的半导体晶片
(硅晶片)的截面SEM照片，图3是由具有固化工序(加压冷却)的本发明的方法得到的半
导体晶片(硅晶片)的截面SEM照片。除有无固化工序(加压冷却)之外，两张SEM照片
均表示在相同工序条件下得到的半导体晶片的截面。工序条件如以下所示。 (A)准备工序 真空腔内真空度10—3(Pa) 对象物具有玻璃保护膜的300mm X 50 y m的硅晶片
微细空间开口直径为15iim，底部孔径为10iim
(B)流入工序 (1)在上述硅晶片上配置相同形状的金属薄板，使其熔解。
金属薄板的组成成分Sn、 In、 Cu、 Bi
熔解温度25(TC (2)然后，向真空腔内导入N2气体，将气压设定为0. 6kgf/cm2(加压)。
(C)固化工序(仅本发明的情况) 通过压力机对熔融金属施加2. 0kgf/cm2的压力，在该状态下慢慢冷却。
(D)后工序 用于再熔融的熔解温度25(TC 用刮板擦除 再加压通过压力机施加2. 0kgf/cm2的压力。 首先，观察图2的SEM照片，在填充于作为对象物的晶片2的微细空间21内部的 固化金属体40的上端侧产生凹面部P1，并且在其底部也产生未填充固化金属体40的空隙 部P2。确认在固化金属体40的周围和微细空间21的内侧面之间也存在空隙。
相对于此，观察适用本发明的图3的SEM照片，填充在晶片2的微细空间21的内 部的固化金属体40的上端面形成与晶片2的上表面连续相连的平坦面，未确认凹面部。固 化金属体40的下端面与微细空间21的底部密接，未见底部空隙。并且，固化金属体40的 外周面与微细空间21的内侧面密接，未确认存在空隙。 图4表示本发明的方法的其它适用例。该例表示本发明不仅可以适用直线状的简 单结构的微细空间，也可以适用具有曲路的微细空间。参照图4(A)，对象物2具有在彼此不 同的位置向纵向延伸的2个微细空间211、213，上述微细空间211、213经由沿横向延伸的微 细空间212连续。 即使是图4(A)所示的微细空间结构，也可以通过适用参照图l说明的本发明的方法，形成如图4(B)所示的连通微细空间211、212、213的连续的固化金属体40。虽然省略图 示，但是即使是具有更复杂形状的微细空间，通过适用本发明也可以形成固化金属体40。
在图4中，对象物2可以采取金属、合金、金属氧化物、陶瓷、玻璃、塑料或它们的复 合材料或它们的层叠体的形态。进而，对象物2的外形形状不限于平板状，可以采取任意形 状。图示的形状只不过是为了便于说明而选择的一例。 图5表示本发明方法的又一其它适用例。该例表示将本发明适用于接合技术领域 的情况。参见附图，在第1部件201与第2部件202之间产生的微细空间21被固化金属体 40填埋。固化金属体40是根据参见图1说明的方法填充、固化而得到的固化金属体。熔 融金属25的流入方向可以为与纸面垂直的方向、或与纸面平行的方向中的任一个方向。第 1部件201及第2部材202的形状是任意的，附图不过是给出简单的一例。此外，第1部件 201及第2部件202可以为相同种类的金属材料，也可以为不同种类的金属材料。
第1部件201与第2部件202为无法分离的关系时，即使在无法适用通常的钎焊 等焊接技术的情况下，也可以通过适用本发明来焊接。 图6表示本发明方法的又一其它适用例。该适用例中，在配置成同心筒状的2个
筒体201、202之间产生的微细空间21中填充固化金属体40。在上述适用情况下，不仅在电
子设备或微型机械所属的技术领域有效，在处理比上述设备大的机构部件的技术领域中也
有效。即，本发明的适用范围并不限定于微小电子设备或微型机械的制造工艺。虽然没有
图示，但本发明也具有作为填埋在物体中产生的龟裂或间隙的手段的适用可能性。 虽然已经通过上述优选的实施方式详细地描述了本发明，但是，本领域技术人员
显然能够基于此处公开的基于本发明的技术观点以及教导而容易地想到本发明的各种变
更方案。
权利要求
一种向存在于对象物中的微细空间填充熔融金属并使该熔融金属固化的方法，该方法包含下述工序在对设置于支撑体上的所述对象物及所述微细空间内的所述熔融金属施加用于加压的外力的状态下，使所述熔融金属冷却而固化。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述外力由选自压力机压、喷射压、碾压或气压 中的至少一种方式而给予。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述外力超过大气压。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，在封闭所述微细空间的另一端侧的状态下，从所 述微细空间的开口的开口面侧向所述熔融金属施加所述外力。
5. 根据权利要求l所述的方法，其中，所述方法包含下述步骤在使所述熔融金属冷却 而固化之前，在所述微细空间的开口的开口面上配置金属薄板，在真空腔内的减压后的气 氛内使所述金属薄板熔解而生成所述熔融金属。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包含下述步骤在使所述熔融金属冷却 而固化之前，将存在有所述对象物的真空腔内的气氛从减压状态开始增压，使所述熔融金 属流入所述微细空间。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包含下述步骤在使所述熔融金属冷却 而固化之前，将存在有所述对象物的真空腔内的气氛从减压状态开始增压；所述外力由所 述增压后的气压给予。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包含下述步骤通过喷射器向所述对 象物供给所述熔融金属，在对所述熔融金属及所述对象物施加由该喷射形成的压力的状态 下，使所述熔融金属冷却而固化。
9. 根据权利要求1 8中任一项所述的方法，其中，所述方法包含将存在于所述对象物 的外表面上的固化金属薄膜除去的工序。
10. —种向存在于对象物中的微细空间填充熔融金属并使该熔融金属固化的方法，该 方法包含下述工序使所述微细空间内的所述熔融金属在不与大气接触的封闭状态下冷却 而固化。
全文摘要
本发明涉及一种向微细空间填充金属的方法，该方法包含下述工序在对设置于支撑体上的对象物及在对象物内部存在的微细空间内的熔融金属施加用于加压的外力的状态下，使所述熔融金属冷却而固化。所述外力由选自压力机压、喷射压、碾压或气压中的至少一种方式而给予。
文档编号H01L21/48GK101740425SQ20091014180
公开日2010年6月16日 申请日期2009年5月22日 优先权日2008年11月26日
发明者关根由莉奈, 关根重信, 木村龙司 申请人:纳普拉有限公司