专利名称：一种改进的半导体芯片载体的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制冷器的技术领域，尤其是涉及一种用于固态加热制冷器件。
技术背景 半导体芯片载体主要用于关键电子部件、光学系统、医疗仪器及其他装置的精密 温度控制，见附图1所示它由绝缘膜01和固定在绝缘膜01上的铜极片02构成。见附图 2所示现有的半导体芯片载体其铜极片02侧面021以圆弧状与绝缘膜01表面过渡，相邻 的两块铜极片02之间过于靠近，容易出现短路现象
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术存在的不足之处而提供一种改进的半导体 芯片载体，它不容易出现短路现象，工作更为稳定可靠。 为实现上述目的，本实用新型的改进的半导体芯片载体包括有绝缘膜和固定在绝
缘膜上的多块铜极片，其中，所述铜极片侧面整体以直角状与绝缘膜过渡。 本实用新型的有益效果在于由于铜极片侧面与绝缘膜表面整体以直角状过渡，
增大了相邻两块铜极片之间的距离，相邻的铜极片不容易因接触而短路，使得半导体芯片
载体的工作更为稳定可靠。
以下结合附图对本实用新型做进一步的说明 附图1为现有的半导体芯片载体的整体结构示意图； 附图2为附图1的侧视图； 附图3为本实用新型的侧视图。
具体实施方式
以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本实用新型的保护范围。 见附图3所示本实用新型的改进的半导体芯片载体包括有薄片状的绝缘膜10和 固定在绝缘膜10上的多块铜极片20，铜极片20侧面21整体以直角状与绝缘膜10过渡，增 大了相邻两块铜极片20的实际距离，铜极片20不容易因接触而出现短路现象，使半导体芯 片载体的工作更为稳定可靠。
权利要求一种改进的半导体芯片载体，它包括有绝缘膜(10)和固定在绝缘膜(10)上的多块铜极片(20)，其特征在于所述铜极片(20)侧面(21)整体以直角状与绝缘膜(10)表面过渡。
专利摘要本实用新型公开了一种改进的半导体芯片载体，它包括有绝缘膜和固定在绝缘膜上的多块铜极片，其中，所述铜极片侧面整体以直角状与绝缘膜过渡。由于铜极片侧面与绝缘膜表面整体以直角状过渡，增大了相邻两块铜极片之间的距离，相邻的铜极片不容易因接触而短路，使得半导体芯片载体的工作更为稳定可靠。
文档编号H01L23/13GK201549497SQ20092021693
公开日2010年8月11日 申请日期2009年9月25日 优先权日2009年9月25日
发明者沈幕禹 申请人:绍兴华立电子有限公司