专利名称：一种n型背接触电池的制作方法
技术领域：
本发明涉及硅晶体太阳能电池技术领域，尤其是一种N型背接触电池。
背景技术：
硅晶体太阳能电池有P型电池、N型电池，相对于P型电池，N型硅电池具有光照衰 减的效率损失小的优点，而且更耐金属杂质的污染。现有的高效背接触电池基本都是采用 N型衬底。但是现有的N型背接触电池的电池效率较低，制作工艺较复杂，生产成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种N型背接触电池，其 电池效率较高，制作工艺简单，生产成本较低。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种N型背接触电池，所述的电池 为N型硅晶体太阳能电池，所述的电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极， Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中 心间距为1.6 2. 5mm，每条Ag细栅线的宽度为40 120um，Al电极由一条以上纵向Al主 栅线、两条以上横向Al细栅线组成，各条Al细栅线之间的中心间距为1. 6 2. 5mm,每条 Al细栅线的宽度为1. 3 2. 3mm。进一步地，所述的电池正面具有70 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的正面SiNx 层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为50 900hm/sq的正面N+层，所述的电池背面 具有扩散方块电阻为50 900hm/sq的背面N+层以及50 IOOOnm厚的热氧化SiO2层， 热氧化SiO2层下方为50 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的背面SiNx层。制作上述N型 背接触电池的制作工艺为1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、热氧化处理生成热氧化 硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、双面POCl3扩散， 正背面扩散方块电阻为50 900hm/sq ；6、去除PSG层；7、印刷Al浆并烘干；8、印刷Ag浆 并烘干；9、烧结。进一步地，所述的电池正面具有70 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的正面SiNx 层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为80 1200hm/sq的正面N+层，所述的电池背面 具有扩散方块电阻为50 900hm/sq的背面N+层以及50 IOOOnm厚的热氧化SiO2层， 热氧化SiO2层下方为50 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的背面SiNx层。制作上述N型 背接触电池的制作工艺为1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、热氧化处理生成热氧化 硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、双面POCl3扩散， 正背面扩散方块电阻为50 900hm/sq ；6、去除PSG层；7、正面刻蚀成扩散方块电阻为80 1200hm/sq ；8、印刷Al浆并烘干；9、印刷Ag浆并烘干；10、烧结。本发明的有益效果是本发明采用新型的电池背面电极印刷图案，采用Al、Ag作 为背面正、负电极，具有新型的结构，使得本发明的电池效率较高，可达到17 %，并且制作工 艺简单，生产成本也较低。
下面结合附图对本发明进一步说明。图1是本发明的实施例一的背面电极示意图；图2是本发明的实施例二的背面电极示意图；图3是本发明的实施例二的截面剖视图。其中1. Ag主栅线，2. Ag细栅线，3. Al主栅线，4. Al细栅线，5.正面SiNx层，6.正 面N+层，7.背面N+层，8.热氧化SiO2层，9.背面SiNx层。
具体实施例方式实施例一如图1所示的一种N型背接触电池，规格为普通的八边125硅单晶电 池，采用如下工艺步骤制作1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、100(TC热氧化处理生 成热氧化硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、840°C双 面POCl3扩散20min，生成扩散方块电阻为600hm/sq的正背表面扩散层；6、去除PSG层后， 正面SiNx层、背面SiNx层均为SOnm厚；7、印刷Al浆并烘干；8、印刷Ag浆并烘干；9、760°C 烧结。制作出的电池正面具有80nm厚的正面SiNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻 为600hm/sq的正面N+层，电池背面具有扩散方块电阻为600hm/sq的背面N+层以及50 IOOOnm厚的热氧化SiO2层，热氧化SiO2层下方为80nm厚的背面SiNx层。电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由两条纵向Ag主 栅线、多条横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1. 6 2. 5mm,每条Ag细 栅线的宽度为40 120um，Al电极由三条纵向Al主栅线、多条横向Al细栅线组成，各条Al 细栅线之间的中心间距为1. 6 2. 5mm，每条Al细栅线的宽度为1. 3 2. 3mm。电池背面印刷的电极图案结构特殊，采用Al、Ag作为背面正、负电极，具有新型的 结构，电池效率达到17. 1%。实施例二 如图2图3所示的一种N型背接触电池，规格为方形硅单晶电池，采用 如下工艺步骤制作1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、IOOiTC热氧化处理生成热氧化 硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、840°C双面POCl3 扩散20min，生成扩散方块电阻为600hm/sq的正背表面扩散层；6、去除PSG层后，正面SiNx 层、背面SiNx层均为SOnm厚；7、正面刻蚀成扩散方块电阻为80 1200hm/sq ；8、印刷Al 浆并烘干；9、印刷Ag浆并烘干；10、760°C烧结。制作出的N型背接触电池，如图3所示，电 池正面具有80nm厚的正面SiNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为80 1200hm/ sq的正面N+层，电池背面具有扩散方块电阻为600hm/sq的背面N+层以及50 IOOOnm厚 的热氧化SiO2层，热氧化SiO2层下方为80nm厚的背面SiNx层。电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由两条纵向Ag主 栅线、多条横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1. 6 2. 5mm,每条Ag细 栅线的宽度为40 120um，Al电极由三条纵向Al主栅线、多条横向Al细栅线组成，各条Al 细栅线之间的中心间距为1.6 2. 5mm，每条Al细栅线的宽度为1. 3 2. 3mm。电池背面 印刷的电极图案结构特殊，采用Al、Ag作为背面正、负电极，具有新型的结构，电池效率达 到 17%。
权利要求
一种N型背接触电池，所述的电池为N型硅晶体太阳能电池，其特征在于所述的电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40～120um，Al电极由一条以上纵向Al主栅线、两条以上横向Al细栅线组成，各条Al细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Al细栅线的宽度为1.3～2.3mm。
2.根据权利要求1所述的一种N型背接触电池，其特征在于所述的电池正面具有 70 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的正面S iNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻 为50 900hm/sq的正面N+层，所述的电池背面具有扩散方块电阻为50 900hm/sq的背 面N+层以及50 IOOOnm厚的热氧化SiO2层，热氧化SiO2层下方为50 90nm厚、折射率 为1.6 2. 6的背面SiNx层。
3.根据权利要求1所述的一种N型背接触电池，其特征在于所述的电池正面具有 70 90nm厚、折射率为1. 6 2. 6的正面S iNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻 为80 1200hm/sq的正面N+层，所述的电池背面具有扩散方块电阻为50 900hm/sq的 背面N+层以及50 IOOOnm厚的热氧化SiO2层，热氧化SiO2层下方为50 90nm厚、折射 率为1. 6 2. 6的背面SiNx层。
全文摘要
本发明涉及一种N型背接触电池，电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40～120um，Al电极由一条以上纵向Al主栅线、两条以上横向Al细栅线组成，各条Al细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条A1细栅线的宽度为1.3～2.3mm。本发明采用新型的电池背面电极印刷图案，采用Al、Ag作为背面正、负电极，具有新型的结构，使得本发明的电池效率较高，可达到17％，并且制作工艺简单，生产成本也较低。
文档编号H01L31/042GK101976692SQ20101023827
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者冯纪伟, 金浩 申请人:常州天合光能有限公司