专利名称：发光二极管芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片，特别是指一种发光二极管芯片。
背景技术：
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。发光二极管芯片作为发光二极管中最为核心的部分，其发光效率的高低直接决定了发光二极管输出光通量的大小。然而，现有的发光二极管芯片在设计上仍存在诸多问题， 严重影响到整个发光二极管的输出亮度。特别地，由于发光机制的原因，直接自发光二极管芯片输出的光基本都呈无序的放射状，光线不能有效地被聚集，从而导致发光二极管芯片的亮度受到限制。
发明内容
本发明旨在提供一种可提升发光效率的发光二极管芯片。一种发光二极管芯片，包括一第一半导体层、一第二半导体层及一位于第一半导体层及第二半导体层之间的半导体激发层，还包括一与半导体激发层通过间隙隔开的反射层，该反射层相对半导体激发层倾斜设置而将半导体激发层侧向发出的光线会聚。与现有技术相比，本发明的发光二极管芯片在制造过程中将原来做为切割平台的区域形成反射区域以减少发光二极管芯片侧向光线的流失，同时提升发光二极管芯片的出光亮度。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1示出了本发明第一实施例的发光二极管芯片的剖面图。图2示出了图1的发光二极管芯片的俯视图。图3示出了图1中的发光二极管芯片的光路图。
图4示出了本发明第二实施例的发光二极管芯片的剖面图。图5示出了图4中的发光二极管芯片的俯视图。图6示出了图4中的发光二极管芯片的光路图。图7示出了本发明第三实施例的发光二极管芯片的剖面图。图8示出了制造本发明发光二极管芯片的流程。主要元件符号说明
基板10、IOa第一半导体层20,20a
权利要求
1.一种发光二极管芯片，其包括一基板及依次堆叠于基板上的一第一半导体层、一半导体激发层及一第二半导体层，其特征在于该发光二极管芯片还包括一通过间隙与半导体激发层隔开的反射层，该反射层相对半导体激发层倾斜设置而将半导体激发层侧向发出的光线进行会聚。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于该反射层自下至上向外倾斜。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于该反射层通过一绝缘层设于间隙内侧面。
4.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于该反射层环绕半导体激发层。
5.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于还包括一贯穿第二半导体层及半导体激发层并深入到第一半导体层内部的凹槽，该凹槽被反射层所环绕。
6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于第二半导体层顶面形成一环状或是均勻分布于四周的第二电极。
7.如权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于第二电极通过一电流扩散层与第二半导体层连接。
8.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于凹槽的底面形成有一第一电极， 该第一电极直接与第一半导体层连接。
9.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于基板由导电材料所制成。
10.如权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于第二半导体层表面形成有一第二电极。
全文摘要
一种发光二极管芯片，包括一第一半导体层、一第二半导体层及一位于第一半导体层及第二半导体层之间的半导体激发层，还包括一与半导体激发层隔开的反射层，该反射层相对半导体激发层倾斜设置而将半导体激发层发出的光线会聚。本发明的发光二极管芯片所发出的光线集中，具有较高的亮度。
文档编号H01L33/46GK102339923SQ20101023823
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者沈佳辉, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司