专利名称：背钝化电池的制造方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种背钝化电池的制造方法。
背景技术：
光伏发电是太阳能利用中很重要的一个领域，寻求新技术，新材料，新工艺，提高 电池转换效率，降低成本是当前很迫切的一个任务。转换效率与太阳能电池在各个波段的反射率和光电响应密切相关。现有的量产电 池在可见光波段的光电响应都已经比较优越，但是对长波段光子的利用却非常有限。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了解决对长波段光子利用有限而导致太阳能转换 效率的技术问题，本发明提供一种能有效利用长波段光子的背钝化电池的制造方法。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种背钝化电池的制造方法，其工 艺步骤为a.将电阻率为0. 2 10 Ω cm的P型单晶硅片，经过常规清洗后进行酸制绒或碱制 绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，B扩散的870°C 970°C，方阻为40 100 Ω ；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的3丨02膜厚度为50 200nm，氧化温度为850°C IOOO0C ；d.用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀5 30分钟，刻蚀掉SiO2及B扩散结部分 的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，P扩散的温度为800°C 900°C，方阻为40 70 Ω ；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为2% 15%的HF清洗1 10分钟，去除正面PSG及背面SiO2部分；h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为5 20nm，氧化温度为700 820 0C ；i.硅片正面沉积氮化硅进行叠层钝化，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝进行叠 层钝化；j.电极印刷，烧结。所述的刻蚀性浆料主要成分为NH4HF,约占5 % 35 %。本发明的有益效果是，本发明背钝化电池的制造方法，同时采用了正背面叠层钝 化，同时背面采用B扩散，具备了优越的正面钝化及背面钝化性能，使电池在长波段具有很 好的光电响应，而且背面叠层钝化具有很好的反射作用，能使到达背面的光子再次反射回 电池片更充分的利用。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。图1是现有生产工艺的流程框图。图2是本发明的生产工艺的流程框图。
具体实施例方式现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以 示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。实施例1操作步骤如下a.选择P型单晶硅片，晶面(100)，掺杂浓度0.5 Ω cm，切片后进行常规清洗，表面 制绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，扩散的温度为900°C，扩散方阻为 70 Ω ；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的SiO2膜厚度为80nm，氧化温度为900°C ；d.用主要成分为NH4HF的刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀15分钟，刻蚀掉SiO2及 B扩散结部分的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，扩散的温度为830°C，扩散方阻为60 Ω ；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为10%的HF清洗3分钟，洗净正面PSG及背面SiO2部分；h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为lOnm，氧化温度为750°C ；i.硅片正面PECVD沉积氮化硅进行叠层钝化，厚度为80nm，背面PECVD沉积氮化 硅进行叠层钝化，厚度为60nm ；j.进行电极印刷，烧结等电池工艺。经测试，对大于IOOOnm长波段的光谱响应提高了 7%，电池转换效率提高了
2. 7 % ο实施例2操作步骤如下a.选择P型单晶硅片，晶面(100)，掺杂浓度2. 5 Ω cm，切片后进行常规清洗，表面 制绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，扩散的温度为950°C，扩散方阻为 40 Ω ；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的SiO2膜厚度为120nm，氧化温度为950°C ；d.用主要成分为NH4HF的刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀25分钟，刻蚀掉Si02 及B扩散结部分的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，扩散的温度为850°C，扩散方阻为70 Ω ；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为10%的HF清洗6分钟，洗净正面PSG及背面SiO2部分；
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h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为20nm，氧化温度为800°C ；i.硅片正面PECVD沉积氮化硅进行叠层钝化，厚度为80nm，背面PECVD沉积氮化 硅进行叠层钝化，厚度为55nm ；j.进行电极印刷，烧结等电池工艺。经测试，对大于IOOOnm长波段的光谱响应提高了 8%，电池转换效率提高了 3%。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
一种背钝化电池的制造方法，其特征是工艺步骤为a.将电阻率为0.2～10Ωcm的P型单晶硅片，经过常规清洗后进行酸制绒或碱制绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，B扩散的温度为870℃～970℃，方阻为40～100Ω；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的SiO2膜厚度为50～200nm，氧化温度为850℃～1000℃；d.用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀5～30分钟，刻蚀掉SiO2及B扩散结部分的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，P扩散的温度为800℃～900℃，方阻为40～70Ω；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为2％～15％的HF清洗1～10分钟，去除正面PSG及背面SiO2部分；h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为5～20nm，氧化温度为700～820℃；i.硅片正面沉积氮化硅进行叠层钝化，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝进行叠层钝化；j.电极印刷，烧结。
2.如权利要求1中所述的背钝化电池的制造方法，其特征在于所述的刻蚀性浆料主 要成分为NH4HF, NH4HF含量为5 % 35 %。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种背钝化电池的制造方法。其工艺步骤为先将P型单晶硅片清洗制绒；再进行B扩散；然后放入氧化炉中生长湿氧；再用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀，然后用离子水加超声清洗硅片；对硅片进行P扩散；等离子边缘刻蚀；用HF溶液清洗；再放入氧化炉生长薄干氧；再对硅片正面沉积氮化硅，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝；最后电极印刷，烧结。本发明同时采用了正背面叠层钝化，同时背面采用B扩散，具备了优越的正面钝化及背面钝化性能，使电池在长波段具有很好的光电响应，而且背面叠层钝化具有很好的反射作用，能使到达背面的光子再次反射回电池片更充分的利用。
文档编号H01L31/18GK101976701SQ20101023824
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者刘亚锋 申请人:常州天合光能有限公司