专利名称：正面钝化的rie制绒晶体硅电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池。
背景技术：
当前晶体硅太阳能电池生产中，一般采用PECVD方法生长单层SiNx薄膜作为正面钝化层及减反膜，具有降低表面反射以及表面钝化、体钝化作用。一方面钝化硅晶体表面， 减少表面复合中心；另一方面由于SiNx薄膜中含有大量的以N-H键和Si-H键存在的氢，烧结过程中氢从N-H键、Si-H键中释放出来，然后扩散进入电池内，起到体钝化的作用。但SiNx沉积在硅片表面后，界面缺陷密度较高，相对于S^2表面钝化效果较差。 同时，利用RIE方法制备的绒面其表面损伤严重，表面复合速率大，因此单层SiNx薄膜作为正面钝化层应用于RIE绒面效果不够理想。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池， 克服单层SiNx薄膜作为正面钝化层应用于RIE绒面效果不够理想的问题。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SW2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层在SiNx层的下方。SiO2层的厚度为5 20nm，所述的SW2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70 90nm。本实用新型的有益效果是与单层SiNx薄膜相比，将Si02/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点1. SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键，降低其与硅片的界面态密度。2. SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度，在硅片表面形成内建电场，降低表面的电子或空穴浓度，从而降低载流子复合速率。在两者的综合作用下，能够有效钝化RIE制绒晶体硅电池，使电池的开路电压提升3-5mV，转换效率提升0. 1 % -0. 3 %。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明；
图1是本实用新型的结构示意图；图中，1.电池片；2.焊带；3.测温元件；4.加热工具；5.防焊材料。
具体实施方式
一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和 SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SW2层1在SiNx层2的下方。 SiO2层1的厚度为5 20nm, SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70 90nm。[0013] 将SiA和SiNx的叠层薄膜作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，兼具了 SiA薄膜降低表面缺陷密度的作用以及SiNj^膜得益于其较高的正电荷密度而产生的良好的场效应钝化效果。RIE制绒晶体硅电池经正常的扩散及去PSG工艺后，首先用干氧氧化的方法在洁净的硅片绒面生长一层厚度为5 20nm的SW2层，氧气流量为0. 5 8slm，氧化时间为5 20min，接着采用PECVD的方法沉积一层富硅的SiNx薄膜，其中硅烷、氨气流量比为1 3，沉积温度为350 450°C，射频功率为3000W，反应压强为3 X IO^2Pa,使得SW2和 SiNx的叠层薄膜的总厚度为70 90nm。
权利要求1.一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，其特征是在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层(1)在SiNx层 O)的下方。
2.根据权利要求1所述的正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，其特征是所述的SW2层 (1)的厚度为5 20nm，所述的SW2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70 90nm。
专利摘要本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层在SiNx层的下方。SiO2层的厚度为5～20nm，所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。与单层SiNx薄膜相比，将SiO2/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点1.SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键，降低其与硅片的界面态密度。2.SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度，在硅片表面形成内建电场，降低表面的电子或空穴浓度，从而降低载流子复合速率。
文档编号H01L31/04GK202004005SQ20112005626
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月5日 优先权日2011年3月5日
发明者蔡文浩 申请人:常州天合光能有限公司