专利名称：一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶体硅太阳能电池生产工艺，尤其是涉及一种晶体硅RIE制绒的表面 损伤层清洗工艺。
背景技术：
现在晶体硅太阳能电池产业化生产中一般会采用强碱性化学品(NaOH、KOH等)， 或者强酸性化学品(HF+HNO3)的水溶液对硅片表面的损伤层进行清洗。一般应用在电池表 面绒面制备中的表面处理过程，目的为消除硅片表面的切割损伤层，硅片减薄一般在5 15 μ m。在采用RIE(反应离子刻蚀)的晶体硅表面绒面制备过程中，会引入一定的表面损 伤层，但此种表面的损伤层厚度在0. 1-0. 4 μ m，使用常规去损伤工艺会出现过度刻蚀，影响 到表面的陷光效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种晶体硅RIE制绒的 表面损伤层清洗工艺，使得在RIE精细化的绒面上去除损伤层的同时能够降低对表面绒面 结构的影响。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层 清洗工艺，首先对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用 HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比HF HNO3 缓冲腐蚀剂=1 50 100的混合溶液进 行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN40H、H2O2与H2O按体积比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的混合溶液在60°C 75°C进行二次清洗刻蚀，二次清洗 时间控制在5 15分钟的范围；完成后用0. 5%浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水 进行清洗。进一步地，所述的缓冲腐蚀剂为水或醋酸。本发明的有益效果是本发明为了尽可能在去除损伤的情况下不对正常绒面产生 影响，采用两次清洗去损伤刻蚀工艺，以降低刻蚀过程中对硅片本身的RIE绒面产生的影 响，同时，在第一次去损伤清洗中加入缓冲腐蚀剂，因此，清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较 慢，在未完全去除损伤层的情况下即停止第一次去损伤清洗，区别于正常去损伤工艺。本 发明的刻蚀过程采用二次刻蚀，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影 响。本发明对损伤层的刻蚀速率较慢，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤 过程。
具体实施例方式一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，具体工艺步骤如下(1)对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；
(2)利用HF、HN03与水或醋酸按体积比HF HNO3 水或醋酸=1 50 100的
混合溶液进行第一次去损伤清洗；(3)再次进行去离子水清洗；(4)采用而40!1、!1202 与!120 按体积比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5 的混合溶液 在60°C 75°C进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5 15分钟的范围；(5)用0. 5%浓度的HF溶液进行沾洗；(6)最后用去离子水进行清洗。本发明的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表 面结构的去损伤过程，本发明区别于正常去损伤工艺，本发明的刻蚀过程采用二次刻蚀，更 好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。
权利要求
1.一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于首先对反应离子刻蚀后 的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比 HF HNO3 缓冲腐蚀剂=1 50 100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进 行去离子水清洗；然后采用而40!1、!1202与!120按体积比HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的 混合溶液在60°C 75°C进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5 15分钟的范围；完成 后用0. 5%浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于所述 的缓冲腐蚀剂为水或醋酸。 v
全文摘要
本发明涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。本发明适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。
文档编号H01L31/18GK102097526SQ20101029888
公开日2011年6月15日 申请日期2010年10月8日 优先权日2010年10月8日
发明者盛健 申请人:常州天合光能有限公司