专利名称：封装芯片的承载座的制作方法
技术领域：
本发明有关一种承载座，特别是有关一种封装芯片的承载座。
背景技术：
中央处理器(CPU)或其它数字IC元件，于高速或高频下工作，容易形成热点。热点的存在，容易劣化元件运转的工作效率，甚至对元件本身造成损害。因此，如中央处理器 (CPU)等数字IC元件，通常会配置散热或冷却系统，以快速发散工作中所产生的热，散热或冷却系统的设置对其散热/冷却效率有重要的影响。以现今的CPU而言，如图1所示，一封装芯片10’，包括一上表面101、一下表而 103、一连接上表面101及下表面103的侧壁105、以及多个设于下表面103的金属接点107。 一般而言，封装芯片10’内包括一芯片102、一承载基板104以及一封胶材料106。芯片102 设置于承载基板104上，金属接点107由承载基板104延伸并设于封胶材料106，封胶材料 106则包覆芯片102、承载基板104以及金属接点107的一部分，并构成上表面101、下表面 103以及侧壁105。再者，承载基板104用以承载以及信号连接芯片102，藉以将芯片102上的接点(图未绘)扩散(fan out)，形成金属接点107。此外，为散热考虑，于封胶材料106 的上表面101上可设置散热片108作为一加速接触传导手段，藉以接触设置于上表面101 的散热装置12，例如散热鳍片、风扇、冷却系统、或是上述的组合等等，达到释放工作中封装芯片10’产生的热。上述散热装置的安装位置的选择有限，以目前大多安装于封装芯片的上表面而言，散热装置的安装增加了元件的整体高度，对于现在电子产品设计符合轻薄短小的要求而言，是设计上的缺点。其次，上述的封装芯片10’ 一般藉由CPU插座固定于一系统板(图未绘)，例如一印刷电路板上。透过设置于CPU插座中的导电端子以及系统板，封装芯片10’可与系统板上的其它电路或元件，例如绘图芯片等，产生信号连接。因此，另一种散热方式是将散热装置设置于系统板上，达到散热的目的。然而，上述方式将散热装置设置于系统板上，由于热源在于封装芯片的内部芯片， 热必须经过CPU插座才能到达系统板，此散热路径较长，且CPU插座的热导系数未必高于封装芯片，此种情形下，热透过缓慢的扩散才能到达系统板，无法加速散热，达到快速散热的目的。此外，目前的封装芯片10’组装于CPU插座时，封装芯片10’下方的位置没有被利用，对于现在电子产品设计需符合轻薄短小的要求而言，如何利用此未被利用的区域亦是设计考虑的重点之一。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是，针对现有技术存在的上述不足，提供一种承载座， 应用于封装芯片。于封装芯片的内部芯片工作时，此承载座除了提供现今插座的功能外，还提供另一接触传导路径，提高传导封装芯片的物理信号的效率。本发明要解决的另一技术问题是，针对现有技术存在的上述不足，提供一种承载座，应用于封装芯片。藉由选择高接触传导系数材料制作该承载座，可加速封装芯片与系统板的运行，且使元件设计更具弹性。本发明要解决的另一技术问题是，针对现有技术存在的上述不足，提供一种承载座，应用于封装芯片之下。将接触传导手段设计于承载座中，亦可将部分电路及元件置于此承载座的表面或内部，可以减少系统板的层数，降低系统板的制作成本。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种承载座，用以承载一封装芯片，该封装芯片包括上表面、下表面、以及设于该下表面的多个金属接点。用以收容该些金属接点的该承载座至少包括提供接触传导手段的上座，以及信号连接于该些金属接点的多个金属导件。其中，当该封装芯片工作时，除该些金属导件用以提供该封装芯片的第一运行路径之外，该上座的该接触传导手段用以形成第二运行路径于该承载座中，藉以引导由该封装芯片所产生的物理信号至该封装芯片的外界。该接触传导手段接触该封装芯片的该下表面，或是该上表面及该下表面之间的一侧壁，或是该封装芯片的该些金属接点中的至少一金属接点。该接触传导手段包括铝质基板、金属层、金属导热环、金属抓勾、金属驱动构造或金属卡扣结构或是包括具有至少一金属层的层板(laminate)。所述承载座还包括设置于该层板中或该层板表面的金属线、金属垫、金属孔、金属端子、金属结合结构、金属卡扣结构、金属驱动结构或锡球。该金属线、该金属垫、该金属孔、 该金属端子、该金属结合结构、该金属卡扣结构、该金属驱动结构或该锡球信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点。该接触传导手段为导热手段或是导电手段。其中，该导热手段至少包括第一导热手段与第二导热手段，该导电手段至少包括第导电手段与第二导电手段，其中该第一导热手段或是该第一导电手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导热手段或是该第二导电手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。该第二导热手段与该第一导热手段间具有第一导热路径，及/或该第二导热手段与一外部散热手段间具有第二导热路径。所述承载座还包括信号连接于该导电手段的至少一信号处理元件或信号处理电路。其中，该至少一信号处理元件或信号处理电路为电容元件或是电容结构、电感元件或是电感结构、光学元件或是光学结构、电磁干扰(EMI)保护元件或是静电放电(ESD)保护元件、或是主/被动信号处理元件或是主/被动信号处理结构。该封装芯片为CPU封装芯片，或其它需高速运转的单一封装芯片。该封装芯片内部于接近该接触传导手段的该下表面，设有加速接触传导手段。该加速接触传导手段为加速导热或导电的金属传导结构。所述承载座还包括收容该些金属导件的下座，且该上座与该下座可相对移动。该上座与该下座中的至少任一包括金属件或是具有至少一金属层的层板(laminate)。此时， 该金属件或是该金属层信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点ο所述承载座还包括信号连接于该承载座的系统板。该系统板设置于该承载座下方，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。或者，该承载座设置于该系统板中，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。或者，该承载座中的至少部分结构属于该系统板的一部分，且该系统板与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。本发明还提供一种承载座，用以承载一封装芯片，该封装芯片包括上表面、下表面、以及设于该下表面的多个金属接点。用以收容该些金属接点的该承载座至少包括导热手段以及信号连接该些金属接点与一系统板(system board)的导电手段。当该封装芯片工作时，该导热手段导出该封装芯片产生的热至该封装芯片的外界。该导热手段或是该导电手段包括铝质基板、金属层、金属环、金属抓勾、金属驱动构造或金属卡扣结构或是包括具有至少一金属层的层板(laminate)。该铝质基板、该金属层、该金属环、该金属抓勾、该金属驱动构造、该金属卡扣结构或是该金属层信号连接该系统板。所述承载座还包括设置于该层板中或该层板表面的金属线、金属垫、金属孔、金属端子、金属结合结构、金属卡扣结构或金属驱动结构。该金属线、该金属垫、该金属孔、该金属端子、该金属结合结构、该金属卡扣结构或该金属驱动结构信号连接该系统板。该承载座包括第一部分以及第二部分，且该第一部分与该第二部分可相对移动。 该第一部分较该第二部分邻近该下表面，且该导热手段至少位于该第一部分。该导电手段至少位于该第一部分以及该第二部分的至少任。该导热手段至少包括第一导热手段与第二导热手段，其中该第一导热手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导热手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。该导电手段包括信号连接该些金属接点的多个金属导件，且该些金属导件收容于该第二部分。该第二导热手段与该第一导热手段间具有第一导热路径，及/或该第二导热手段与一外部散热手段间具有第二导热路径。该外部散热手段为设置于该封装芯片的该上表面处，或未接触于该封装芯片的承载座处。该导电手段至少包括第一导电手段与第二导电手段，其中该第一导电手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导电手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。该第二导电手段包括信号连接该些金属接点的多个金属导件，且该些金属导件收容于该第二部分。该第一导电手段包括金属端子、金属槽孔、或为其它金属元件或金属结构，该金属端子、金属槽孔或其它金属元件或金属结构信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点。所述承载座还包括信号连接于该导电手段的至少一信号处理元件或信号处理电路。其中，该至少一信号处理元件或信号处理电路为电容元件或是电容结构、电感元件或是电感结构、光学元件或是光学结构、电磁干扰(EMI)保护元件或是静电放电(ESD)保护元件、或是主/被动信号处理元件或是主/被动信号处理结构。该系统板设置于该承载座的下方，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。或者，该承载座中的至少部分结构属于该系统板的一部分，且该系统板与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
本发明封装芯片的承载座于封装芯片的内部芯片工作时不仅可提供现有插座的功能，还可提供另一接触传导路径，从而提高传导封装芯片的物理信号的效率；且本发明选择高接触传导系数材料制作，可加速封装芯片与系统板的运行，且使元件设计更具弹性；此夕卜，本发明还将接触传导手段设计于承载座中，亦可将部分电路及元件置于此承载座的表面或内部，因此，可以减少系统板的层数，降低系统板的制作成本。
图1为现有的一封装芯片的剖面示意图。图2为本发明一实施例的承载座与封装芯片的剖面示意图。图3为本发明第一实施例的承载座、封装芯片与系统板的剖面示意图。图4为本发明第一实施例的承载座、封装芯片与系统板的剖面示意图。图5为本发明第一实施例的承载座、封装芯片与系统板的剖面示意图。图6为本发明承载座另一实施例的立体示意图。图7为图6中的承载座的分解示意图。图8为图6中的承载座的剖面示意图。图9为本发明承载座另一实施例的分解示意图。
具体实施例方式本发明的目的之一，在于提供类似图1的封装芯片10的其它运行路径，藉由原本承载上述封装芯片10的承载座提供一接触传导手段。如图2所示，承载座11承载上述封装芯片10，其包括一接触传导手段13与信号连接于金属接点107的多个金属导件15。其中，当封装芯片10的内部芯片102工作时，除该些金属导件15，例如金属端子、一金属槽孔、 抑或为其它金属元件或金属结构，用以提供封装芯片10的一第一运行路径151之外，接触传导手段13更用以形成一第二运行路径131于承载座11中，藉以引导由封装芯片10所产生的一物理信号至封装芯片10的外界。此处的接触传导手段13，并非藉由封装芯片10的上表面101作为运行路径的始点，而是藉由上表面101以外的封装面，于承载座11中建立一运行路径，藉以引导由封装芯片10所产生的一物理信号至封装芯片10的外界。本发明所提供的承载座，其接触传导手段所建立的运行路径，亦可进一步与以封装芯片10的上表面101为运行路径始点的运行路径连结，提供另一运行路径以引导封装芯片10的物理信号。再者，包括上述接触传导手段的承载座不限于应用在上述的封装芯片10类型，封装芯片10中包括多个内部芯片，或并列，或堆栈等态样，皆不脱本发明的应用范围。再者， 亦可于封装芯片10与承载座11接触处设置加速接触传导手段109以加速传递物理信号。 其次，上述封装芯片10的金属接点107用以使芯片102与封装芯片10的外界沟通，但本发明的接触传导手段不限于应用在上述的金属接点107类型，其它例如金属接垫、金属球等形式的金属接点，皆不脱本发明的承载座的应用范围。又，此处所谓的物理信号，可以包括光、电、热或磁信号等等，此时本发明中的传导手段则分别为导光手段、导电手段、导热手段或导磁手段，上述传导手段可单独或组合存在于承载座中，此时承载座还包括连接于导磁手段的磁/电转换手段信号或是连接于导光手段的光/电转换手段信号。于一实施例中，当上述的物理信号为热时，本发明即提供上述封装芯片10的其它散热手段于承载座中，此处的其它散热手段，即非直接藉由封装芯片10的上表面101发散工作中封装芯片10产生的热。以下，将以引导热信号的散热手段作说明， 但可以理解地，本发明可应用于其它的物理信号，而不限于实施例所列。如图3所示，一承载座20，具有一承载封装芯片10的承载部22，并且包括一导热手段，当封装芯片10的内部芯片102工作时，该导热手段形成导热路径于承载座20中，藉以引导封装芯片10所产生的热至封装芯片10的外界。其次，系统板30设置于承载座20的下方，以与设置于承载座20上方的封装芯片10进行信号连接。另一选择是，承载座20设置于系统板30中，以与设置于承载座20上方的封装芯片10进行信号连接。要说明的是， 此处所谓的系统板(system board)，即用以使封装芯片与其它芯片信号连接的桥梁之一， 亦有以母板(mother board)、主板(main board)等称之。于此第一实施例中，金属件，以一金属板201a为例，例如一铝质基板，接触封装芯片10的下表面103。此时，封装芯片10的下表面103内侧亦可设置热导系数高于封胶材料 106的元件作为加速散热的手段。类似的方式可运用于侧壁105，如金属部件201b承靠侧壁105 ；或是金属板201c与部分金属接点107接触。要说明的是，金属板201c与金属接点 107的至少一个或多个接地接点107a信号连接，且与其它的金属接点107例如工作接点电性绝缘，或是与金属接点107无信号连接。上述电性绝缘的方式，可利用氧化铝质基板来达至IJ。可以理解地，金属板201c亦可仅与金属接点的一个或多个电源接点电性绝缘。其次， 此处所谓的金属，泛包括单一元素的金属或是混合多元素或晶格结构的合金。当封装芯片10的内部芯片工作时，热源来自工作中的芯片102。根据上述，因为金属件接触下表面或是金属接点中的接地接点或电源接点，藉由金属件的热导系数高的性质，可以形成一导热路径于承载座20中，直接从封装芯片10将热从封装芯片10引导至封装芯片10的外界，此与封装芯片10直接接触可谓第一导热手段。再者，金属件亦可如一导热环201d设置于承载座20的周围，此未与封装芯片10直接接触可谓第二导热手段。此实施例中，第一导热路径自封装芯片10至金属板201a，延伸至导热环201d，以加速散出封装芯片10的热。再者，亦可使导热环201d与封装芯片10上方的散热装置12接触，形成第二导热路径；金属环201f与系统板30接触，亦可形成第二导热路径。此外，亦可利用一金属结构201e设置于承载座20中，且金属板201a/201c与金属结构201e，例如结合件接触，形成一第一导热路径，再藉由金属结构201e与外部散热手段，例如系统板30接触，亦可形成第二导热路径，达到加速散热的目的。又，封装芯片10产生的热，亦能经过第一导热手段直接到达系统板30后，由系统板30传导到与系统板30接触的金属结构201e，如此亦可达到本发明提供散热的目的。要说明的是，上述金属板201a、金属部件201b、金属板201c、导热环201d、金属环 201f或是金属结构201e可单独或是彼此组合部分结构而构成本发明承载座的导热手段。 例如以金属板201a以及导热环201d组合构成本发明承载座的导热手段，一方面封装芯片 10直接与金属件接触，以形成第一导热手段；另一方面，金属件未接触于该封装芯片的承载座处形成一第二导热手段，第二导热手段与第一导热手段间具有一第一导热路径，及/ 或第二导热手段与一外部散热手段间具有第二导热路径。其次，承载部22可承载的其它元件，亦可为导热手段的一部分，若导热手段的强度够的情形下，亦可忽略该些其它元件的导热作用。图3所示的上述所有金属件/板/结构类型，仅用以说明，其它类型的金属件，例如铝质基板、金属层、金属导热环、金属抓勾、金属驱动构造或是金属卡扣结构等，皆可应用于本发明的金属件。其次，上述金属件可利用适当的方式，例如抓扣、包覆、贴附等方式与封装芯片的金属接点接触/固定，但本发明不限于上述。再者，上述所有金属板/结构，仅用以说明该些金属件与承载座/封装芯片的位置关系，非用以限制承载座中导热手段的形式。其次，上述金属件/板/结构，在组合成为承载座的导热手段时，必要时可以设置绝缘层于其间、或是保留空隙或空间于其间。如图4所示，承载座40包括一具有金属层44的层板42 (laminate)。一般而言，层板42可包括一或多层金属层44，金属层44之间或是与外界之间具有一介电层46或是绝缘层，例如一般的印刷电路板，利用压合的方式将金属层与介电层压合形成层板。其次，金属层44可作为线路层、接地层或是电源层，于本发明中，金属层44可表示线路层、接地层或是电源层。再者，一般金属层44除了可导电外，亦有高于一般其它材料的热导系数可作为一种导热手段。因此，以下对于层板42的说明，虽以作为导电手段为例，但可以理解地，在对于封装芯片20的金属接点107进行必要的绝缘以防止短路的情形下，层板42亦可作为导热手段，其位置以及形成接触传导路径的方式与图3相同，于此不再赘述。其次，于此实施例中，层板42为一电路板，故一般电路板可设置通/盲/埋孔于电路板中的设计，亦可应用于本发明承载座中的导电手段。例如层板42中设置金属结构，例如金属通孔、绝缘通孔、金属盲/埋孔、或是绝缘盲/埋孔或是上述不同形式的孔的组合，可用以作为信号连接或收容金属接点107、金属抓勾或金属端子之用。根据封装芯片10的金属接点107的不同需求，例如接地接点信号连接至接地层，电源接点应信号连接至电源层， 工作信号需部分内连接、或是信号连接至系统板30等等的需求，承载座40的层板42提供一导电路径，藉由透过金属通孔、绝缘通孔、金属盲/埋孔、或是绝缘盲/埋孔等，连接或收容金属接点107、金属抓勾或金属端子等，使封装芯片10与承载座40本身或/及系统板30 进行信号连接，或是使承载座40与系统板30进行信号连接。此外，系统板30的信号，亦可藉由承载座40提供的导电手段，与层板42中的线路或金属层进行沟通。根据上述，层板42中的金属层44可作为接地层/电源层，因此可将原本设计于系统板30的接地层/电源层移至本发明承载座中，进而减少系统板30的层数，降低系统板30的制作成本。故，本发明的承载座中的至少部分结构属于该系统板的一部分， 且该系统板与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。根据上述，电路板的层板42提供导电手段以形成多个导电运行路径，因此，层板 42可收容其它的信号处理元件或信号处理电路、主/被动信号处理元件、保护元件、保护电路或是保护结构。于此实施例中，一主/被动信号处理元件，例如一电容元件49、电感元件 48或电阻元件50等收容于层板42中或表面，透过层板42提供的导电手段，可以使封装芯片10及/或系统板30信号连接至电容元件49以及电感元件48。其次，保护元件/电路/ 结构，例如电磁干扰(EMI)保护元件或是一静电放电(ESD)保护元件/电路/结构等亦可被收容于层板42中或表面，藉由层板42提供的导电手段，实现保护元件/电路/结构的保护功能。再者，由于层板42可设置线路层，因此配合金属层44以及金属通孔、绝缘通孔、金属盲/埋孔、金属接点107、金属抓勾或金属端子等，可以实现信号处理元件或信号处理电
1路或是主/被动信号处理电路形成于承载座40中，特别是形成于封装芯片10正下方的位置或是封装芯片10下方的周遭区域。要说明的是，封装芯片10，例如一 CPU芯片等数字IC元件的封装，于工作时可能有瞬间电源的需求，一般会利用旁路(by pass)电容来提供数字IC元件瞬间电源的需求。根据上述，于本发明中，可将旁路(by pass)电容设置于承载座中或是承载座的表面位置，再加以一平整层51覆盖，使旁路(by pass)电容尽量接近封装芯片10。故，藉由层板42提供导电运行路径，使封装芯片10藉由导电手段与承载座40的信号处理元件或信号处理电路或是主/被动信号处理元件进行信号连接。可以理解地，系统板30的信号，亦可藉由承载座40提供的导电手段，与层板42中的信号处理元件或信号处理电路或是主/被动信号处理元件进行信号连接。根据上述，本发明的承载座，可充分利用封装芯片10下方的区域设置其它的信号处理元件或信号处理电路或是主/被动信号处理元件，不但优化了封装芯片10的工作运行路径，亦增加了其它的信号处理元件或信号处理电路或是主/被动信号处理元件的设置位置的弹性。再者，图2中承载座11的金属导件15，亦可应用于此实施例中，将金属导件15设置于适当的金属通孔、绝缘通孔、金属盲/埋孔、以及绝缘盲/埋孔中，构成第一导电手段。 再者，除了金属导件15外，本发明的承载座40还包括其它的金属结构421。于此实施例中， 金属结构421可以是不同的形式，例如层板42中的线路层、金属垫、或是其它的金属端子、 金属驱动元件、金属卡扣元件或是金属结合元件等等。其次，金属结构421可以设置于承载座40的适当位置，例如层板42中的金属通孔、绝缘通孔、金属盲/埋孔，或是承载座40的一侧。于此实施例中，金属结构421可作为第一导电手段，直接信号连接封装芯片10的金属接点107，或是作为第二导电手段，即设置于未接触于封装芯片10的承载座处，而是信号连接层板42中的金属层44、或是系统板30，故，金属结构421配合层板42可形成一导电路径，此导电路径可建立封装芯片10与承载座40间的信号连接，亦可建立封装芯片10与系统板30间的信号连接。故根据上述，本发明的承载座所提供的导电手段至少包括第一与第二导电手段，第一导电手段接触封装芯片的下表面或封装芯片的金属接点，且第二导电手段设置于未接触于封装芯片的承载座处，而第二导电手段与第一导电手段间具有一导电路径。图5为本发明的承载座另一实施例的剖面示意图。与图4不同之处在于，承载座 60包括第一部分(或称上座)602与第二部分604 (或称下座)，其中第一部分602与第二部分604可相对移动，例如现今插座的上盖与底座的设计，其可以是彼此平行移动或掀盖式移动，但本发明不限于上述。其次，图3中所示的金属件或是图4中所示的层板、信号处理元件或信号处理电路或是主/被动信号处理元件或是金属结构至少设置于第一部分602， 因此，上述的接触传导手段至少设置于第一部分602，故于此实施例中，导热手段或是导电手段至少设置于第部分602，于图3或图4中所形成的运行路径皆可适用于此实施例中，于此不再赘述。又，封装芯片10产生的热，亦能经过封装芯片10的金属接点107、金属导件 15直接到达系统板30后，由系统板30传导到与系统板30接触的金属结构421，如此亦可达到本发明提供散热的目的。
图6为本发明承载座另一实施例的侧面示意图。承载座70包括第一部分702与第二部分704，并藉由凸轮结合件721使第一部分702与第二部分704进行相对移动。上述的图3、4或5的承载座形式皆可应用于本实施例中，此时上述导热/金属结构即为此实施例中的凸轮结合件721与卡扣件722。其次，目前承载座于中间开槽的设计仍可保留，亦可于第一部分702与第二部分704不开槽以增加电路设计的弹性。再者，于图3、4或5中所形成的接触传导手段皆可适用于此实施例中，于此不再赘述。图7为图6中的承载座的分解示意图，图8则为图6中的承载座的一剖面示意图。 根据图6的说明并参照图7，本实施例中的多个卡扣件722于组装承载座70前，与第一部分 702(亦可称为上盖)与第二部分704(亦可称为底座)分离为个别的元件，任一卡扣件722 可利用导电/导热材料形成的锡球724与下方的系统板(图上未绘)形成信号连接，如此的承载座70可提供一经过第一部分702、卡扣件722以及锡球7M的接触传导路径，作为引导出封装芯片的物理信号之用。故，封装芯片产生的热可以透过第一部分702传导至卡扣件722，并经过锡球7M后传至系统板，或是封装芯片产生的热透过导电的金属导件传送至系统板后，由系统板透过锡球7M后传至卡扣件722，一样可达到本发明提供多传导路径的目的。图9为本发明承载座另一实施例的分解示意图。参照图9，由上而下依序为包括冷却风扇121以及散热鳍片122的散热装置12、封装芯片100、包括上盖802以及底座804的承载座80以及系统板301，其中上盖802以单层或多层的印刷电路板的层板形成，底座804 则为一塑料座体，但本发明不限于上述，亦可以两者分别以单层或多层的印刷电路板的层板形成。其次，上盖802以及底座804利用卡扣件822扣合成为一体，以及凸轮结合件821 用以使上盖802以及底座804相对移动。再者，因本实施例中上盖802以单层或多层的印刷电路板的层板形成，故一信号或保护处理元件823，例如一光学元件、电磁干扰(EMI)保护元件或是一静电放电(ESD)保护元件等，可以设置于上盖802上或中的适当位置，例如本例设置于凸轮结合件821的两侧，但本发明不限于此一位置以及数量。其次，信号处理元件 823可整合于单层或多层印刷电路板以形成上盖802 ；信号处理元件823亦可藉由上盖802 与封装芯片100及/或系统板301信号连接，但本发明不限于上述方式设置及信号连接信号处理元件823。在本发明以部分实施例的方式讨论之时，应可了解本发明并非如此受限。此处的实施例是由实例进行解释，而在本发明的范围之内还有许多的修改、变化或是其它实施例， 可增加、移除、及/或重组元件。此外，亦可增加、移除、或是重新排序处理步骤。许多不同的设计及方式亦为可行。
权利要求
1.一种承载座，用以承载一封装芯片，该封装芯片包括上表面、下表面、以及设于该下表面的多个金属接点，其特征在于，用以收容该些金属接点的该承载座至少包括上座，提供接触传导手段；以及信号连接于该些金属接点的多个金属导件；其中，当该封装芯片工作时，除该些金属导件用以提供该封装芯片的第一运行路径之夕卜，该上座的该接触传导手段用以形成第二运行路径于该承载座中，藉以引导由该封装芯片所产生的物理信号至该封装芯片的外界。
2.如权利要求1所述的承载座，其特征在于，该接触传导手段接触该封装芯片的该下表面，或是该上表面及该下表面之间的一侧壁，或是该封装芯片的该些金属接点中的至少一金属接点。
3.如权利要求2所述的承载座，其特征在于，该接触传导手段包括铝质基板、金属层、 金属导热环、金属抓勾、金属驱动构造或金属卡扣结构或是包括具有至少一金属层的层板。
4.如权利要求3所述的承载座，其特征在于，还包括设置于该层板中或该层板表面的金属线、金属垫、金属孔、金属端子、金属结合结构、金属卡扣结构、金属驱动结构或锡球。
5.如权利要求4所述的承载座，其特征在于，该金属线、该金属垫、该金属孔、该金属端子、该金属结合结构、该金属卡扣结构、该金属驱动结构或该锡球信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点。
6.如权利要求1或是2所述的承载座，其特征在于，该接触传导手段为导热手段或是导电手段。
7.如权利要求6所述的承载座，其特征在于，该导热手段至少包括第一导热手段与第二导热手段，该导电手段至少包括第一导电手段与第二导电手段，其中该第一导热手段或是该第一导电手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导热手段或是该第二导电手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。
8.如权利要求7所述的承载座，其特征在于，该第二导热手段与该第一导热手段间具有第一导热路径，及/或该第二导热手段与一外部散热手段间具有第二导热路径。
9.如权利要求6所述的承载座，其特征在于，还包括信号连接于该导电手段的至少一信号处理元件或信号处理电路。
10.如权利要求9所述的承载座，其特征在于，该至少一信号处理元件或信号处理电路为电容元件或是电容结构、电感元件或是电感结构、光学元件或是光学结构、电磁干扰保护元件或是静电放电保护元件、或是主/被动信号处理元件或是主/被动信号处理结构。
11.如权利要求1所述的承载座，其特征在于，该封装芯片为CPU封装芯片，或需高速运转的单一封装芯片。
12.如权利要求1所述的承载座，其特征在于，该封装芯片内部于接近该接触传导手段的该下表面，设有加速接触传导手段。
13.如权利要求12所述的承载座，其特征在于，该加速接触传导手段为加速导热或导电的金属传导结构。
14.如权利要求1所述的承载座，其特征在于，还包括收容该些金属导件的下座，且该上座与该下座可相对移动。
15.如权利要求14所述的承载座，其特征在于，该上座与该下座中的至少任一包括金属件或是具有至少一金属层的层板。
16.如权利要求15所述的承载座，其特征在于，该金属件或是该金属层信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点。
17.如权利要求1所述的承载座，其特征在于，还包括信号连接于该承载座的系统板。
18.如权利要求17所述的承载座，其特征在于，该系统板设置于该承载座的下方，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
19.如权利要求17所述的承载座，其特征在于，该承载座设置于该系统板中，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
20.如权利要求17所述的承载座，其特征在于，该承载座中的至少部分结构属于该系统板的一部分，且该系统板与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
21.—种承载座，用以承载一封装芯片，该封装芯片包括上表面、下表面、以及设于该下表面的多个金属接点，其特征在于，用以收容该些金属接点的该承载座至少包括导热手段，其中当该封装芯片工作时，该导热手段导出该封装芯片产生的热至该封装芯片的外界；以及导电手段，其信号连接该些金属接点与一系统板。
22.如权利要求21所述的承载座，其特征在于，该导热手段或是该导电手段包括铝质基板、金属层、金属环、金属抓勾、金属驱动构造或金属卡扣结构或是包括具有至少一金属层的层板。
23.如权利要求22所述的承载座，其特征在于，该铝质基板、该金属层、该金属环、该金属抓勾、该金属驱动构造、该金属卡扣结构或是该金属层信号连接该系统板。
24.如权利要求22所述的承载座，其特征在于，还包括设置于该层板中或该层板表面的金属线、金属垫、金属孔、金属端子、金属结合结构、金属卡扣结构或金属驱动结构。
25.如权利要求M所述的承载座，其特征在于，该金属线、该金属垫、该金属孔、该金属端子、该金属结合结构、该金属卡扣结构或该金属驱动结构信号连接该系统板。
26.如权利要求25所述的承载座，其特征在于，该承载座包括第一部分以及第二部分， 且该第一部分与该第二部分可相对移动。
27.如权利要求沈所述的承载座，其特征在于，该第一部分较该第二部分邻近该下表面，且该导热手段至少位于该第一部分。
28.如权利要求沈所述的承载座，其特征在于，该导电手段至少位于该第一部分以及该第二部分的至少任一。
29.如权利要求27或观所述的承载座，其特征在于，该导热手段至少包括第一导热手段与第二导热手段，其中该第一导热手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导热手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。
30.如权利要求四所述的承载座，其特征在于，该导电手段包括信号连接该些金属接点的多个金属导件，且该些金属导件收容于该第二部分。
31.如权利要求四所述的承载座，其特征在于，该第二导热手段与该第一导热手段间具有第一导热路径，及/或该第二导热手段与一外部散热手段间具有第二导热路径。
32.如权利要求四所述的承载座，其特征在于，该外部散热手段为设置于该封装芯片的该上表面处，或未接触于该封装芯片的承载座处。
33.如权利要求27或28所述的承载座，其特征在于，该导电手段至少包括第一导电手段与第二导电手段，其中该第一导电手段接触该封装芯片的该下表面、或接触该封装芯片的该些金属接点，而该第二导电手段设置于未接触于该封装芯片的承载座处。
34.如权利要求33所述的承载座，其特征在于，该第二导电手段包括信号连接该些金属接点的多个金属导件，且该些金属导件收容于该第二部分。
35.如权利要求33所述的承载座，其特征在于，该第一导电手段包括金属端子、金属槽孔、或为其它金属元件或金属结构，该金属端子、金属槽孔或其它金属元件或金属结构信号连接该些金属接点中的至少一信号接点、接地接点或是电源接点。
36.如权利要求21所述的承载座，其特征在于，还包括信号连接于该导电手段的至少一信号处理元件或信号处理电路。
37.如权利要求36所述的承载座，其特征在于，该至少一信号处理元件或信号处理电路为电容元件或是电容结构、电感元件或是电感结构、光学元件或是光学结构、电磁干扰保护元件或是静电放电保护元件、或是主/被动信号处理元件或是主/被动信号处理结构。
38.如权利要求21所述的承载座，其特征在于，该系统板设置于该承载座的下方，以与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
39.如权利要求21所述的承载座，其特征在于，该承载座中的至少部分结构属于该系统板的一部分，且该系统板与设置于该承载座上方的该封装芯片进行信号连接。
全文摘要
本发明涉及一种封装芯片的承载座，用以承载并提供接触传导手段给封装芯片。该承载座的上座的接触传导手段可形成多个接触传导路径，于封装芯片的内部芯片工作时，承载座中形成的上述接触传导路径可加速将封装芯片的内部芯片的物理信号传出封装芯片，而不限于由封装芯片的单一表面传递。
文档编号H01L23/12GK102456633SQ20101051822
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月19日 优先权日2010年10月19日
发明者苏家庆, 蔡周贤 申请人:机智创新股份有限公司