半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法

专利名称：半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法
技术领域：
本发明涉及半导体产品生产控制领域，特别涉及半导体产品生产控制中的检测和 分析领域，具体是指一种半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法。
背景技术：
在现代科技的发展中，半导体已经成为一种不可缺少的组成部分，各种各样的 高精尖设备中均广泛应用到了半导体材料，而对于目前全球的半导体制造产业来说， SEMATECH和国际SEMATECH是由7个国家的14家半导体制造公司组成的，协会位于美国 德克萨斯州的奥斯汀，致力于开发最有效的、全球协作的、有影响力的半导体制造技术。 SEMATECH和国际SEMATECH与其成员、设备和材料供应商、研究机构、学术界和其它协会一 起协作，加速其成员国先进的半导体制造工艺、材料和设备的开发。开发的成果在SEMATECH 的高级工具开发设备上通过模拟生产线来进行验证。协会的成员可以尽早地获得先进的工 具和制造工艺，以及改进设备生产率，从而获益。目前，常见的半导体生产监控系统的做法是对半导体晶圆进行缺陷检测，该方法 首先通过特定的设备获得晶圆的数据(通常为KLA文件格式或者TENCOR文件格式)，然后 按照一定的顺序对每一个数据进行处理，最后根据处理的结果给出相应的报告。KLA格式的文件是世界著名的半导体缺陷检测仪器公司——KLA-TENC0R公司(公 司网址为http://WWW.kla-tenc0r. com/)生产的缺陷检测仪器(该仪器与专利文献“JP 特开平8-327559A”中所公开的“基板缺陷信号的检测与统计系统”的功能类似)对半导体 晶圆缺陷的扫描结果文件，该KLA格式标准制定并公开于二十世纪九十年代，具体请参阅 "KLA-Tencor RESULTS FILE-Format Specification-Revision 1. 7 preliminary(1998 年 6月2日从V 1.3升级至V 1.7)”。该KLA格式的文件通过文本的方式保存缺陷的位置、大 小等信息，并保存扫描的结果，因此KLA格式的文件是一种缺陷文件保存的格式，并通过固 定的格式，能够方便地进行数据的交流和保存。KLA格式的文件几乎能够被所有的半导体缺 陷检测仪器所支持，从而已经成为事实的行业标准文件格式。这一半导体晶圆缺陷检测方法的缺点在于，由于检测中所应用的匹配算法，数据 挖掘算法以及人工智能算法都存在一定的不足，导致对于缺陷信号的抓取结果总是存在误 报或者漏报。由于晶圆加工企业对于检测结果的准确性要求非常高，这就使得此类半导体 缺陷检测方法的应用面较窄，绝大部分的晶圆加工企业依然是依靠大量工程师对不同工艺 段的数据进行人工分析，以达到提高良品率的目的。这就造成半导体生产所需的时间成本 和劳动力成本都大幅度增加。

发明内容
本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种低误报，低漏报，可基本 取代人工检测，从而大大降低半导体生产成本、操作简便快捷、工作性能稳定可靠、适用面 较为广泛的半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法。
为了实现上述的目的，本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统具有如下构成该系统包括在线监控装置，其特点在于，所述的系统还包括缺陷信号分析装置、缺 陷信息库和缺陷信息统计装置，所述的缺陷信号分析装置分别与在线监控装置、缺陷信息 库和缺陷信息统计装置相连接，所述的缺陷信息库中包含有数个预设的缺陷信号模式，所 述的缺陷信号分析装置包括缺陷信号解析单元、缺陷信号抓取单元和缺陷信息队列，所述 的缺陷信号抓取单元包括顺序检测子单元、重叠检测子单元、迭代检测子单元、归组检测子 单元和未定义信号检测子单元。本发明还提供一种使用上述的系统进行半导体缺陷信号抓取与统计的方法，其主 要特点是，所述的方法包括以下步骤(1)在线监控装置对经过生产线的以格为分组的半导体晶圆进行扫描，生成包含 相应缺陷信号信息的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2)缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进行 分析和缺陷信号抓取处理操作；(3)缺陷信息统计装置根据上述的处理结果进行缺陷信息统计处理操作。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件 中包含的信息包括半导体晶圆的格标识、槽标识、处理步骤标识、处理设备标识和相应的缺 陷信号二进制信息。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的缺陷信号抓取单元包括顺序检测 子单元，所述的缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进行 分析和缺陷信号抓取处理操作包括以下步骤(2-1)缺陷信号解析单元读取该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件并对文件内容进 行解析；(2-2)缺陷信号抓取单元的顺序检测子单元根据缺陷信息库中预设的缺陷信号模 式，在解析后得到的缺陷信号二进制信息中识别并抓取相应的缺陷信号模式；(2-3)将抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识、相应的缺 陷信号模式类型和缺陷信号位置存入缺陷信息队列中。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的缺陷信号抓取单元还包括迭代检 测子单元，在所述的步骤(2- 后还包括以下步骤(2-4)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识在未抓取到的半导体晶圆中查找具有相同的格标识、槽标识、处 理步骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆；(2-5)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆的缺陷信号模式对查找到的半导 体晶圆进行检测。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，在所述的步骤(2- 后还包括以下步 骤(2-6)迭代检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理 步骤标识以及处理设备标识；(2-7)迭代检测子单元根据所识别到的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设 备标识在抓取到的半导体晶圆中查找具有相同格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆；(2-8)迭代检测子单元根据查找到的半导体晶圆的的缺陷信号模式对未抓取到的 半导体晶圆进行检测。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的缺陷信号抓取单元还包括归组检 测子单元，在所述的步骤(2-8)后还包括以下步骤(2-9)归组检测子单元针对每一个缺陷信号模式建立一个归组条件信息，所述的 归组条件信息包括缺陷信号模式的归组特征参数以及缺陷信号模式所对应的半导体晶圆 的晶圆信息；(2-10)归组检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的缺陷信号模式，在缺陷 信息库中查找与其具有相同缺陷信号模式，并具有相同的晶圆信息的半导体晶圆；(2-11)将查找到的半导体晶圆的晶圆信息与所述的抓取到的半导体晶圆的晶圆 信息进行比较，若比较结果符合所述的归组特征参数，则将抓取到的半导体晶圆和查找到 的半导体晶圆归为一组。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的缺陷信号抓取单元还包括重叠检 测子单元，在所述的步骤0-11)后还包括以下步骤(2-12)重叠检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处 理步骤标识以及处理设备标识；(2-13)重叠检测子单元查找具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理 设备标识的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2-14)重叠检测子单元将当前的半导体晶圆文件与查找到的KLA格式晶圆缺陷 扫描结果文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件；0-15)返回步骤(1)，或者，在所述的步骤0-11)后还包括以下步骤(2-12')重叠检测子单元根据预设的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设 备标识识别未抓取到的半导体晶圆中与预设一致的晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识；(2-13')重叠检测子单元累计所识别的半导体晶圆的数量；(2-14')当所累计的半导体晶圆的数量达到预设值，并经过预设的时间后，重叠 检测子单元将所识别的半导体晶圆文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件；(2-15')返回步骤(1)。该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的缺陷信号抓取单元还包括未定义 信号检测子单元，所述的缺陷信息库包括缺陷信息数据库和未定义缺陷信息数据库，在所 述的步骤0-15)或0-15')后还包括以下步骤(2-16)在经过设定的时间段后，未定义信号检测子单元提取在该时间段内未被抓 取的半导体晶圆的晶圆信息；(2-17)未定义信号检测子单元将所提取的晶圆信息中具有一个或多个相同标识 的晶圆信息组成一个未定义缺陷信号组；(2-18)未定义信号检测子单元将未定义缺陷信号组存入所述的未定义缺陷信息 数据库中。
该半导体缺陷信号抓取与统计的方法中，所述的时间段为半导体晶圆的扫描时间 或检测时间。采用了本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法，由于该系统中的缺陷信 号抓取单元包括顺序检测子单元、迭代检测子单元、归组检测子单元、重叠检测子单元和未 定义信号检测子单元，KLA文件解析后的半导体晶圆缺陷信号的二进制信息经顺序检测子 单元的检测后，未被抓取的半导体晶圆再通过迭代检测子单元、归组检测子单元、重叠检测 子单元和未定义信号检测子单元的检测，从而提升半导体晶圆缺陷模式的匹配概率，减少 误报和漏报，进而提高了缺陷信号抓取的准确度和完整度，以使本发明的半导体缺陷信号 抓取与统计方法可以基本取代现有技术中的人工检测方法，降低半导体生产成本。


图1为本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统中的缺陷信号抓取单元的子单 元结构示意图。图2为利用本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统进行半导体缺陷信号抓取 和统计的方法的步骤流程图。图3为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的顺序 检测子单元进行缺陷信号抓取的步骤流程图。图4为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的迭代 检测子单元根据已被抓取的半导体缺陷信号对未被抓取的半导体缺陷信号进行迭代检测 的步骤流程图。图5为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的迭代 检测子单元根据未被抓取的半导体缺陷信号属性对比已抓取的半导体缺陷信号属性进行 迭代检测的步骤流程图。图6为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的归组 检测子单元对未被抓取的半导体缺陷信号进行归组检测的步骤流程图。图7为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的重叠 检测子单元对未被抓取的半导体缺陷信号进行重叠检测的步骤流程图。图8为本发明的半导体缺陷信号抓取和统计的方法中缺陷信号抓取单元的未定 义信号检测子单元对未被抓取的半导体缺陷信号进行未定义信号检测的步骤流程图。
具体实施例方式为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。现有的半导体缺陷检测方法由于受到算法本身精度的限制和缺陷信号完备度的 限制，在缺陷信号的抓测过程中，不可避免地会产生各种误报和漏报，仅仅通过修改算法或 者增强缺陷信号不能从根本上解决误报和漏报的问题，本发明在提高算法精度和增强缺陷 信号识别率的前提下，采取业内未曾使用的新手段来提高缺陷信号抓取的准确度和完整 度。本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统，包括在线监控装置、缺陷信号分析装 置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置，所述的缺陷信号分析装置分别与在线监控装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置相连接，所述的缺陷信息库中包含有数个预设的缺陷信号模 式，所述的缺陷信号分析装置包括缺陷信号解析单元、缺陷信号抓取单元和缺陷信息队列。 所述的缺陷信息库包括缺陷信息数据库和未定义缺陷信息数据库，所述的缺陷信息队列为 缺陷信息数据库表。其中，所述的缺陷信号抓取单元如图1所示，包括顺序检测子单元、重叠检测子单 元、迭代检测子单元、归组检测子单元和未定义信号检测子单元。使用上述的系统进行半导体缺陷信号抓取与统计的方法，如图2所示，主要包括 以下步骤(1)在线监控装置对经过生产线的以格为分组的半导体晶圆进行扫描，生成包含 相应缺陷信号信息的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2)缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进 行分析和缺陷信号抓取处理操作，所述的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件中包含的信息包 括半导体晶圆的格标识、槽标识、处理步骤标识、处理设备标识和相应的缺陷信号二进制信 息，如图2至图8所示，所述的缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对KLA格式晶圆缺陷扫描 结果文件进行分析和缺陷信号抓取处理操作包括以下步骤(2-1)缺陷信号解析单元读取该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件并对文件内容进 行解析；(2-2)缺陷信号抓取单元的顺序检测子单元根据缺陷信息库中预设的缺陷信号模 式，在解析后得到的缺陷信号二进制信息中识别并抓取相应的缺陷信号模式；(2-3)将抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识、相应的缺 陷信号模式类型和缺陷信号位置存入缺陷信息队列中；(2-4)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识在未抓取到的半导体晶圆中查找具有相同的格标识、槽标识、处 理步骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆；(2-5)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆的缺陷信号模式对查找到的半导 体晶圆进行检测；(2-6)迭代检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理 步骤标识以及处理设备标识；(2-7)迭代检测子单元根据所识别到的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设 备标识在抓取到的半导体晶圆中查找具有相同格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设 备标识的半导体晶圆；(2-8)迭代检测子单元根据查找到的半导体晶圆的的缺陷信号模式对未抓取到的 半导体晶圆进行检测；(2-9)归组检测子单元针对每一个缺陷信号模式建立一个归组条件信息，所述的 归组条件信息包括缺陷信号模式的归组特征参数以及缺陷信号模式所对应的半导体晶圆 的晶圆信息；(2-10)归组检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的缺陷信号模式，在缺陷 信息库中查找与其具有相同缺陷信号模式，并具有相同的晶圆信息的半导体晶圆；(2-11)将查找到的半导体晶圆的晶圆信息与所述的抓取到的半导体晶圆的晶圆信息进行比较，若比较结果符合所述的归组特征参数，则将抓取到的半导体晶圆和查找到 的半导体晶圆归为一组；(2-12)重叠检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处 理步骤标识以及处理设备标识；(2-13)重叠检测子单元查找具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理 设备标识的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2-14)重叠检测子单元将当前的半导体晶圆文件与查找到的KLA格式晶圆缺陷 扫描结果文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件；(2-15)返回步骤(1)；(2-16)在经过设定的时间段后，未定义信号检测子单元提取在该时间段内未被抓 取的半导体晶圆的晶圆信息，所述的时间段为半导体晶圆的扫描时间或检测时间；(2-17)未定义信号检测子单元将所提取的晶圆信息中具有一个或多个相同标识 的晶圆信息组成一个未定义缺陷信号组；(2-18)未定义信号检测子单元将未定义缺陷信号组存入所述的未定义缺陷信息 数据库中；(3)缺陷信息统计装置根据上述的处理结果进行缺陷信息统计处理操作。在另一种实施方式中，所述的半导体缺陷信号抓取与统计的方法中所述的步骤 (2-12)至步骤Q-15)可以替换为以下步骤(2-12')重叠检测子单元根据预设的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设 备标识识别未抓取到的半导体晶圆中与预设一致的晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识；(2-13')重叠检测子单元累计所识别的半导体晶圆的数量；(2-14')当所累计的半导体晶圆的数量达到预设值，并经过预设的时间后，重叠 检测子单元将所识别的半导体晶圆文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件；(2-15')返回步骤(1)。在本发明的应用中，本发明的半导体缺陷信号抓取与统计方法中缺陷信号抓取的 方法如下1)按照获取顺序对半导体晶圆文件根据缺陷信息库中预设的缺陷信号模式对晶 圆逐个进行缺陷信号的检测，抓取相应的缺陷信号模式。2)如果匹配到相应的缺陷信号模式，则将抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、 槽标识、处理步骤标识、处理设备标识、相应的缺陷信号模式类型和缺陷信号位置存入缺陷 信息队列中。3)如果没有匹配到，则进行下面的步骤a)迭代检测，根据用户的设定，部分缺陷信号模式的检测是支持迭代检测的。如果 当前半导体晶圆的检测结果没有匹配到相应的缺陷信号模式，并且该缺陷信号模式支持迭 代检测，而且用户指定了该缺陷信号抓取模式需要使用迭代检测，那么就过根据当前的半 导体晶圆文件的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识去查找是否存在具有相 同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的已经匹配到相应的缺陷检测模式 的半导体晶圆文件，并根据已经检测的半导体晶圆的检测结果对当前没有匹配到缺陷检测模式的信号进行迭代检测。如果没有找到具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处 理设备标识的已经匹配到相应的缺陷检测模式的半导体晶圆文件则跳过该步骤。另外，当 前的半导体晶圆的检测结果匹配到相应的缺陷信号模式的时候，也可根据当前的半导体晶 圆文件的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识去找是否存在具有相同的格标 识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的没有匹配到相应的缺陷检测模式的半导体 晶圆文件，并根据当前已经匹配到缺陷检测模式的半导体晶圆的匹配结果对这些没有匹配 到的半导体晶圆进行迭代检测。b)归组检测，针对每一个缺陷检测模式可以独立地设置归组检测的条件，包括缺 陷信号的归组特征参数和对应的半导体晶圆的属性信息(通常为半导体晶圆的格标识、槽 标识、处理步骤标识以及处理设备标识中的一个或者多个)。当一个半导体晶圆匹配到相 应的缺陷检测模式时，就在缺陷信息库中查找是否存在匹配到相同缺陷检测模式且设定的 半导体晶圆的属性信息与当前半导体晶圆一致的晶圆信息。如果存在这样的半导体晶圆文 件，则将该半导体晶圆的缺陷信号匹配信息与当前的半导体晶圆的缺陷信号匹配信息进行 比较，如果符合设定的缺陷信号归组特征参数，则将该晶圆文件归到同一个组别。c)重叠检测，具有两种方式，一种是通过设定好的包含重叠参数的配置文件进行 重叠检测；另一种是计划任务式的触发式重叠检测。方式一按照当前半导体晶圆文件的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备 标识去查找是否存在具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的半导 体晶圆文件，如果存在这样的文件并且用户设置了覆盖检测，那么就将当前的文件与所查 找到的一系列的文件进行重叠生成一系列新的半导体晶圆文件，并对这些新的文件进行步 骤1)的检测。方式二 按照给定的处理装置标识，处理设备标识，处理步骤标识，格标识，晶圆数 量以及间隔时间，固定一个时间间隔触发，将给定数量的晶圆文件进行重叠生成一个新的 晶圆文件进行步骤1)的检测。d)未定义信号的检测，完成前述的所有检测之后，依然会存在一些缺陷信号是当 前定义的缺陷信号模式所不包含的，为了解决这样的问题，就需要用到未定义信号检测的 子单元。未定义信号的检测采用时间触发方式，在设定的时间段内，根据半导体晶圆的扫描 时间或者检测时间，将符合设定的时间段内的所有的没有匹配到缺陷检测模式的半导体晶 圆文件提出出来，对具有相同处理设备标识或者相同格标识的一组或者多组半导体晶圆文 件进行集中处理，从中挖掘出一个或多个具有相同的特征的未定义的信号，将其储存到未 定义缺陷信号的信息库中。用户可以根据未定义缺陷信号信息库中的记录将有效的缺陷信 息注册为有效的缺陷检测模式，在之后的缺陷信号抓测过程中作为预定义的缺陷检测模式 使用。采用了本发明的半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法，由于该系统中的缺陷信 号抓取单元包括顺序检测子单元、迭代检测子单元、归组检测子单元、重叠检测子单元和未 定义信号检测子单元，KLA文件解析后的半导体晶圆缺陷信号的二进制信息经顺序检测子 单元的检测后，未被抓取的半导体晶圆再通过迭代检测子单元、归组检测子单元、重叠检测 子单元和未定义信号检测子单元的检测，从而提升半导体晶圆缺陷模式的匹配概率，减少 误报和漏报，进而提高了缺陷信号抓取的准确度和完整度，以使本发明的半导体缺陷信号抓取与统计方法可以基本取代现有技术中的人工检测方法，降低半导体生产成本；不仅如 此，本发明的系统及方法的操作过程简便快捷，而且工作性能稳定可靠，适用面较为广泛， 不仅适用于半导体晶圆的缺陷信号的识别、分析和统计，而且对于其它领域内的信号模式 识别和监控也具有较好的实用价值。 在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出 各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的 而非限制性的。
权利要求
1.一种半导体缺陷信号抓取与统计系统，包括在线监控装置，其特征在于，所述的系统 还包括缺陷信号分析装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置，所述的缺陷信号分析装置分 别与在线监控装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置相连接，所述的缺陷信息库中包含有 数个预设的缺陷信号模式，所述的缺陷信号分析装置包括缺陷信号解析单元、缺陷信号抓 取单元和缺陷信息队列，所述的缺陷信号抓取单元包括顺序检测子单元、重叠检测子单元、 迭代检测子单元、归组检测子单元和未定义信号检测子单元。
2.一种使用权利要求1所述的系统进行半导体缺陷信号抓取与统计的方法，其特征在 于，所述的方法包括以下步骤(1)在线监控装置对经过生产线的以格为分组的半导体晶圆进行扫描，生成包含相应 缺陷信号信息的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2)缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进行分析 和缺陷信号抓取处理操作；(3)缺陷信息统计装置根据上述的处理结果进行缺陷信息统计处理操作。
3.根据权利要求2所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的KLA格 式晶圆缺陷扫描结果文件中包含的信息包括半导体晶圆的格标识、槽标识、处理步骤标识、 处理设备标识和相应的缺陷信号二进制信息。
4.根据权利要求3所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的缺陷 信号抓取单元包括顺序检测子单元，所述的缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对KLA格式 晶圆缺陷扫描结果文件进行分析和缺陷信号抓取处理操作包括以下步骤(2-1)缺陷信号解析单元读取该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件并对文件内容进行解析；(2-2)缺陷信号抓取单元的顺序检测子单元根据缺陷信息库中预设的缺陷信号模式， 在解析后得到的缺陷信号二进制信息中识别并抓取相应的缺陷信号模式；(2-3)将抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识、相应的缺陷信 号模式类型和缺陷信号位置存入缺陷信息队列中。
5.根据权利要求4所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的缺陷 信号抓取单元还包括迭代检测子单元，在所述的步骤(2- 后还包括以下步骤(2-4)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标 识以及处理设备标识在未抓取到的半导体晶圆中查找具有相同的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆；(2-5)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆的缺陷信号模式对查找到的半导体晶 圆进行检测。
6.根据权利要求5所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，在所述的步 骤(2- 后还包括以下步骤(2-6)迭代检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤 标识以及处理设备标识；(2-7)迭代检测子单元根据所识别到的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标 识在抓取到的半导体晶圆中查找具有相同格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标 识的半导体晶圆；(2-8)迭代检测子单元根据查找到的半导体晶圆的的缺陷信号模式对未抓取到的半导 体晶圆进行检测。
7.根据权利要求6所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的缺陷 信号抓取单元还包括归组检测子单元，在所述的步骤(2-8)后还包括以下步骤(2-9)归组检测子单元针对每一个缺陷信号模式建立一个归组条件信息，所述的归组 条件信息包括缺陷信号模式的归组特征参数以及缺陷信号模式所对应的半导体晶圆的晶 圆信息；(2-10)归组检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的缺陷信号模式，在缺陷信息 库中查找与其具有相同缺陷信号模式，并具有相同的晶圆信息的半导体晶圆；(2-11)将查找到的半导体晶圆的晶圆信息与所述的抓取到的半导体晶圆的晶圆信息 进行比较，若比较结果符合所述的归组特征参数，则将抓取到的半导体晶圆和查找到的半 导体晶圆归为一组。
8.根据权利要求7所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的缺陷 信号抓取单元还包括重叠检测子单元，在所述的步骤0-11)后还包括以下步骤(2-12)重叠检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步 骤标识以及处理设备标识；(2-13)重叠检测子单元查找具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备 标识的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件；(2-14)重叠检测子单元将当前的半导体晶圆文件与查找到的KLA格式晶圆缺陷扫描 结果文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件； (2-15)返回步骤(I)0
9.根据权利要求7所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的缺陷 信号抓取单元还包括重叠检测子单元，在所述的步骤0-11)后还包括以下步骤(2-12')重叠检测子单元根据预设的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标 识识别未抓取到的半导体晶圆中与预设一致的晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标 识以及处理设备标识；(2-13')重叠检测子单元累计所识别的半导体晶圆的数量；(2-14')当所累计的半导体晶圆的数量达到预设值，并经过预设的时间后，重叠检测 子单元将所识别的半导体晶圆文件进行重叠生成新的半导体晶圆文件； (2-15')返回步骤(1)。
10.根据权利要求8或9所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的 缺陷信号抓取单元还包括未定义信号检测子单元，所述的缺陷信息库包括缺陷信息数据库 和未定义缺陷信息数据库，在所述的步骤0-15)或0-15')后还包括以下步骤(2-16)在经过设定的时间段后，未定义信号检测子单元提取在该时间段内未被抓取的 半导体晶圆的晶圆信息；(2-17)未定义信号检测子单元将所提取的晶圆信息中具有一个或多个相同标识的晶 圆信息组成一个未定义缺陷信号组；(2-18)未定义信号检测子单元将未定义缺陷信号组存入所述的未定义缺陷信息数据 库中。
11.根据权利要求10所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法，其特征在于，所述的时 间段为半导体晶圆的扫描时间或检测时间。
全文摘要
本发明涉及一种半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法，该系统包括在线监控装置、缺陷信号分析装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置，所述的缺陷信号分析装置包括缺陷信号解析单元、缺陷信号抓取单元和缺陷信息队列，所述的缺陷信号抓取单元包括顺序检测子单元、迭代检测子单元、归组检测子单元、重叠检测子单元和未定义信号检测子单元。由于在本发明所提供的方法中，未被抓取的半导体晶圆会再经由缺陷信号抓取单元的各子单元的检测，提升了半导体晶圆缺陷模式的匹配概率，减少了误报和漏报，从而提高了缺陷信号抓取的准确度和完整度，以使本发明的半导体缺陷信号抓取与统计方法可以基本取代现有技术中的人工检测方法，降低半导体生产成本。
文档编号H01L21/66GK102148174SQ20101060457
公开日2011年8月10日 申请日期2010年12月24日 优先权日2010年12月24日
发明者金培兴 申请人:良率国际贸易(上海)有限公司