专利名称：连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法
技术领域：
本发明关于一种半导体制造设备及制造方法，特别是一种蚀刻半导体的设备及方法。
背景技术：
在半导体晶圆制程中，常需多道蚀刻制程步骤例如将硅晶锭(ingot)切割成晶圆，切割过程易在晶圆表面产生切割损伤(saw damage),使娃氧化造成缺陷(defect),故需经双面制程蚀刻步骤去除晶圆表面的切割损伤，再施以单面制程蚀刻步骤，使晶圆正面绒制(texturing)，故背面相对于正面具有一较佳平坦度。因此铝胶能较易于填入晶圆背面， 并于烧结后与晶圆密实结合，均勻生成背表面电场层(Back Surface Field, BSF),增加电子传送能力。现有技术中，单面蚀刻制程步骤与双面蚀刻制程步骤，需经由不同设备进行，增加购买设备的生产成本，亦占用厂房空间，且若晶圆制程中需经单面蚀刻及双面蚀刻的制程时，需将晶圆于不同机台之间转换，亦增加晶圆在转换机台过程中发生破损的风险。基于上述问题，因此业界亟需提出一种半导体晶圆的制造方法及其制造设备，能有效整合单面蚀刻制程步骤与双面蚀刻制程步骤，降低生产成本、减少晶圆破损机会与增加厂房空间利用的半导体晶圆的制造方法及其制造设备。
发明内容
本发明提供一种连续式半导体蚀刻设备，包括第一制程槽、第一传输装置、第二制程槽及第二传输装置。其中第一制程槽包含至少一个注液管、至少一个第一泄流孔及第一节流闸，注液管用以填注蚀刻液至第一制程槽，且第一节流闸对应第一泄流孔设置，藉此调节第一制程槽中的蚀刻液的泄流量。第一传输装置包括有多个第一滚轮，且架设于第一制程槽，各个第一滚轮可转动以藉此传送硅晶圆，并令硅晶圆接触第一制程槽内的蚀刻液。第二制程槽与第一制程槽邻近设置，包含有至少一个注液管、至少一个第二泄流孔及第二节流闸，注液管用以填注蚀刻液至第二制程槽，且第二节流闸对应第二泄流孔设置，藉此调节第二制程槽中蚀刻液的泄流量。第二传输装置包括有多个第二滚轮，且分别架设于第二制程槽，各个第二滚轮可转动传送已经于第一制程槽处理的硅晶圆，并令硅晶圆接触第二制程槽内的蚀刻液。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，所述第一制程槽的蚀刻液的液面高于位于所述第一传输装置上的所述硅晶圆，而可令所述硅晶圆没入蚀刻液。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，尚包括有一第一压轮装置，所述第一压轮装置包含多个压轮且设置于所述第一传输装置的上方，各所述压轮与所述第一传输装置的各所述第一滚轮对应设置，藉以提供允许硅晶圆通过的间隙。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，所述第二制程槽的蚀刻液的液面低于所述第二传输装置的各第二滚轮的顶端，且以令蚀刻液与位于所述第二传输装置上的所述娃晶圆的底面接触。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，其中所述第一制程槽及所述第二制程槽间进一步设置一第三制程槽，所述第三制程槽包含一第三传输装置及一冲洗装置。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，进一步包含至少一供液装置，与第一制程槽的所述注液管及所述第二制程槽的所述注液管连接，藉由该所述供液装置提供蚀刻液至该所述第一制程槽(10)及该所述第二制程槽。所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，进一步包含至少一回收槽，所述回收槽邻近设置于所述第一制程槽及所述第二制程槽，藉以回收自所述第一制程槽及所述第二制程槽流出的蚀刻液。因此，本发明的主要目的为提供一种连续式半导体蚀刻设备，藉由第一制程槽及第二制程槽的设置，使硅晶圆在蚀刻处理过程中不需要转换机台，可直接进行硅晶圆的单面及双面蚀刻制程。本发明的又一目的在于提供一种连续式半导体蚀刻设备，由于第一制程槽及第二制程槽中分别包含有泄流孔及节流闸，因此可藉以控制第一制程槽及第二制程槽中蚀刻液液面高度，藉此可选择式的调整硅晶圆进行单面蚀刻或双面蚀刻制程的顺序。本发明再提出一种连续式半导体蚀刻方法，包含提供第一制程槽；第一制程槽包含有至少一个注液管、至少一个第一泄流孔及第一节流闸，注液管可用以填注蚀刻液至第一制程槽，且第一节流闸对应第一泄流孔设置，进而可调节第一制程槽中的蚀刻液的泄流量。提供第一传输装置；第一传输装置包括有多个第一滚轮，各个第一滚轮架设于第一制程槽。提供硅晶圆，将硅晶圆藉由第一传输装置输入至第一制程槽，并使硅晶圆接触第一制程槽内的蚀刻液。提供第二制程槽；第二制程槽与第一制程槽邻近设置，第二制程槽包含至少一个注液管、至少一个第二泄流孔及第二节流闸，注液管用以填注蚀刻液至第二制程槽，且第二节流闸对应第二泄流孔设置，以调节第二制程槽的蚀刻液的泄流量。提供第二传输装置；第二传输装置包括有多个第二滚轮，各第二滚轮架设于第二制程槽。接着，将硅晶圆藉由第二传输装置输入至第二制程槽，并令硅晶圆接触第二制程槽内的蚀刻液。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，所述第一制程槽的蚀刻液的液面高于位于所述第一传输装置上的所述硅晶圆，而可令所述硅晶圆没入蚀刻液。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，尚包括有一第一压轮装置，其设置于所述第一传输装置的上方，且与所述第一传输装置对应设置，藉以提供一允许硅晶圆通过的间隙。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，所述第二制程槽的蚀刻液的液面低于各第二滚轮的顶端，且令蚀刻液与位于所述第二滚轮上的所述硅晶圆底部接触。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，尚包括有一冲洗步骤，所述硅晶圆在通过所述第一制程槽后而进入所述第二制程槽之前，于一设置于所述第一制程槽及所述第二制程槽之间的第三制程槽执行所述冲洗步骤，而所述第三制程槽包含一冲洗装置。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，进一步包含至少一供液装置，其分别与第一制程槽的所述注液管及所述第二制程槽的所述注液管连接，藉由所述供液装置提供蚀刻液至所述第一制程槽及所述第二制程槽。所述连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，进一步包含至少一回收槽，所述回收槽邻近设置于所述第一制程槽及所述第二制程槽，藉以回收自所述第一制程槽及所述第二制程槽流出的蚀刻液。因此，本发明的主要目的为提供一种连续式半导体蚀刻方法，藉由第一制程槽及第二制程槽的设置，使硅晶圆在蚀刻处理过程中不需要转换机台，可直接进行硅晶圆的单面及双面蚀刻制程。本发明的又一目的在于提供一种连续式半导体蚀刻方法，由于第一制程槽及第二制程槽中分别包含有泄流孔及节流闸，因此可藉以控制第一制程槽及第二制程槽中蚀刻液液面高度，藉此可选择式的调整硅晶圆进行单面蚀刻或双面蚀刻制程的顺序。
图1A，为本发明第一实施例的连续式半导体蚀刻设备立体示意图。图1B，为本发明第一实施例的连续式半导体蚀刻设备立体侧视图。图1C，为本发明第一实施例另一实施态样的连续式半导体蚀刻设备立体示意图。图1D,为本发明第一实施例中第一制程槽蚀刻液液面不意图。图1E，为本发明第一实施例中第二制程槽蚀刻液液面示意图。图2，为本发明第二实施例的连续式半导体蚀刻方法操作流程图。主要组件符号说明
娃晶圆100
第一制程槽10
注液管101
第一泄流孔102
第一节流闸103
斜板104
第一传输装置11
第一滚轮111
娃晶圆底面110
娃晶圆侧边120
第一压轮装置12
压轮121
第二制程槽20
注液管201
第二泄流孔202
第二节流闸203
斜板204
第二传输装置21
第二滚轮211
第二滚轮顶端212
第三制程槽30
第三传输装置31
冲洗装置供液装置回收槽步骤
32
40
50
601 60具体实施例方式由于本发明公开了一种连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法，以下文中所对照的附图，意在表达与本发明特征有关的含义，并未亦不需要依据实际情形完整绘制，在先声明。请同时参考图IA及图1B，为本发明所提出的连续式半导体蚀刻设备第一实施例， 包括第一制程槽10、第一传输装置11、第二制程槽20及第二传输装置21。其中第一制程槽 10包含至少一个注液管101、至少一个第一泄流孔102及第一节流闸103。注液管101用以填注蚀刻液至第一制程槽10，且第一节流闸103对应第一泄流孔102设置，藉此调节第一制程槽10中的蚀刻液的泄流量。第一传输装置11，其包括有多个第一滚轮111，且架设于第一制程槽10上，且各个第一滚轮111可转动藉此传送硅晶圆100，并令硅晶圆100接触第一制程槽10内的蚀刻液。第二制程槽20与第一制程槽10邻近设置，包含至少一个注液管201、至少一个第二泄流孔202及第二节流闸203，各注液管201用以填注蚀刻液至第二制程槽20，且第二节流闸203对应各第二泄流孔202设置，藉此调节第二制程槽20的蚀刻液的泄流量。第二传输装置21，包括有多个第二滚轮211，且分别架设于第二制程槽20，且各个第二滚轮211可转动而传送已经于第一制程槽10蚀刻处理后的硅晶圆100，并令硅晶圆100接触第二制程槽20内的蚀刻液。在本实施例中，第一制程槽10及第二制程槽20底部两侧的角落，可进一步设置有斜板104、204，设置斜板104、204可使注液管101、201提供蚀刻液至第一制程槽10及第二制程槽20时，令第一制程槽10及第二制程槽20中蚀刻液的流动更加平稳，避免蚀刻液在第一制程槽10及第二制程槽20的角落产生紊流流场而影响硅晶圆10于蚀刻制程中的质量。此外，在本实施例中，可进一步包含第三制程槽30，第三制程槽30包含有第三传输装置31，且第三制程槽30设置在第一制程槽10与第二制程槽20中间，同时，在第三制程槽30上方可再装设冲洗装置32，当硅晶圆100经由第一制程槽10的蚀刻制程后，藉由第三传输装置31将硅晶圆100自第一制程槽10传送至第三制程槽30，将残留在硅晶圆100上的蚀刻液洗净后，再藉由第二传输装置21将硅晶圆100传送至第二制程槽20进行后续制程。再者，在本实施例中，第一传输装置11上方可设置第一压轮装置12，第一压轮装置12 包含有多个压轮121，且各压轮121与第一传输装置11的各第一滚轮111为对应设置，压轮121与第一滚轮111中间留有一个可允许硅晶圆100通过的间隙，使硅晶圆100可在压轮121及第一滚轮111间的间隙进行传输，在实务上，压轮121可视需求设计为固定式或可拆卸式，以增加本发明的连续式半导体蚀刻装置的应用性。本发明的连续式半导体蚀刻装置，可再进一步设置至少一个供液装置40，各供液装置40可分别与第一制程槽10的注液管101及第二制程槽20的注液管201连接，以藉此提供蚀刻液至第一制程槽10及第二制程槽20。更进一步地，本发明的连续式半导体蚀刻装置可再设置至少一个回收槽50，回收槽50可设置在第一制程槽10的一侧及第二制程槽20 的一侧(如图1A)，亦可如图IC中所示，设置于第一制程槽10及第二制程槽20的下方。回收槽50主要用以承接自第一制程槽10或第二制程槽20中自第一泄流孔101及第二泄流孔201所泄流出的蚀刻液，进一步地亦可承接自第一制程槽10及第二制程槽20顶端溢流出的蚀刻液，然，由于回收槽50的设置主要用以承接自第一制程槽10或第二制程槽20中所流出的蚀刻液，因此回收槽50设置的位置可视设计上的需求而变更，并不仅限于本实施例中所提出的两种设置态样。本发明所提出的连续式半导体蚀刻装置，在第一实施例中，当第一制程槽10的注液管101在单位时间内注入第一制程槽10的蚀刻液的流量大于在单位时间内自第一泄流孔102流出的量时，蚀刻液会自第一制程槽10的顶端开始溢流，而第一泄流孔102泄流蚀刻液的流量可由第一节流闸103启闭来进行控制，当注液管101的流量加大时，蚀刻液会产生涌流状态而自第一制程槽10顶端涌出，此时，蚀刻液的液面会略高于第一传输装置11的第一滚轮111。请参考图IB及图1D，当硅晶圆100于第一传输装置11的第一滚轮111上时，硅晶圆100会没入蚀刻液中而进行硅晶圆100上下双面的蚀刻制程，而为了避免蚀刻液的浮力造成硅晶圆100的飘移，因此藉由压轮121将硅晶圆100压持在第一滚轮111上，使娃晶圆100能在第一传输装置100上稳定传输。请同时参考图IB及1E，在本实施例中，第二制程槽20中的蚀刻液须接触第二传输装置21的第二滚轮211，而低于所述第二滚轮211的顶端212，使硅晶圆100位于第二传输装置21上时，藉由各第二滚轮211的滚动，将蚀刻液带起使蚀刻液与硅晶圆100的底面 110接触，当然，若蚀刻液液面与硅晶圆100底面相当邻近时，蚀刻液便可直接接触硅晶圆 100底面而无需藉由第二滚轮211带起蚀刻液做为媒介。或者可依制程所需，控制蚀刻液的液面高度使蚀刻液与硅晶圆100的底面110及侧边120接触，而控制蚀刻液液面高度的方式是藉注液管201在单位时间内注入第二制程槽20蚀刻液的流量，与第二泄流孔202每单位时间内所泄流出的蚀刻液流量来控制，值得注意的是，在第二制程槽20中进行硅晶圆 100的单面蚀刻制程需谨慎控制蚀刻液的流量，避免使蚀刻液溅至硅晶圆100的顶面，造成硅晶圆100顶面的破坏。另外，请参考图2，本发明再提出第二实施例为一种连续式半导体蚀刻方式，包含步骤601 :提供第一制程槽及第二制程槽，第一制程槽及第二制程槽分别注有蚀刻液；且第一制程槽及第二制程槽分别包含有注液管、泄流孔及节流闸，注液管可用以分别填注蚀刻液至第一制程槽及第二制程槽，且各节流闸对应各泄流孔设置。步骤602 :执行蚀刻液液面高度控制；调整注液孔注入蚀刻液的流量，以及各泄流孔及各节流闸泄流蚀刻液的流量，以控制第一制程槽及第二制程槽中蚀刻液的液面高度。步骤603 :执行第一次硅晶圆表面处理；将硅晶圆藉由第一传输装置输送通过第一制程槽，并使硅晶圆与所述蚀刻液接触。步骤604 :执行第二次硅晶圆表面处理；将经过第一次表面处理的硅晶圆藉由第二传输装置输送通过第二制程槽，并使硅晶圆与第二制程槽中的蚀刻液接触。在本实施例中，第一制程槽中的蚀刻液液面高于第一传输装置上的晶圆，而使晶圆没入蚀刻液中，此外，可进一步设置第一压轮装置，第一压轮装置包含有多个压轮，各压轮与第一传输装置中的各滚轮为对应设置，且在各压轮与各滚轮之间留有一个可使硅晶圆通过的间隙，使硅晶圆可在压轮及滚轮间的间隙进行传输，在实务上，压轮可视需求设计为固定式或可拆卸式，使本发明的连续式半导体蚀刻方法在应用上弹性更佳。此外，在本实施例中，还可进一步包含一个冲洗步骤，在第一制程槽及第二制程槽间设置一个第三制程槽，第三制程槽包含有第三传输装置，且在第三制程槽上方可装设冲洗装置，当硅晶圆经由第一制程槽的蚀刻制程后，藉由第三传输装置将硅晶圆自第一制程槽传送至第三制程槽，透过冲洗装置将残留在硅晶圆上的蚀刻液洗净后，再藉由第二传输装置将硅晶圆传送至第二制程槽进行后续制程。另外，在本实施例所提出的连续式半导体蚀刻方法中，由第一制程槽进行硅晶圆的双面蚀刻制程，因此需使第一制程槽的注液管在单位时间内注入第一制程槽的蚀刻液的流量大于在单位时间内自第一泄流孔流出的流量，此时蚀刻液会自第一制程槽的顶端开始溢流，而第一泄流孔泄流蚀刻液的流量可由第一节流闸启闭来进行控制，当注液管的流量加大时，蚀刻液会产生涌流状态而自第一制程槽顶端涌出，蚀刻液的液面会略高于第一传输装置的第一滚轮，此时，当硅晶圆于第一传输装置的第一滚轮上时，硅晶圆会没入蚀刻液中而进行硅晶圆上下双面的蚀刻制程，而为了避免蚀刻液的浮力造成硅晶圆的飘移，因此藉由压轮将硅晶圆压持在第一滚轮上，使硅晶圆能在第一传输装置上稳定传输。而在本实施例中，由第二制程槽进行硅晶圆的单面蚀刻制程，因此第二制程槽中的蚀刻液须低于第二传输装置的第二滚轮的顶端，藉由各第二滚轮的滚动，将蚀刻液带起使蚀刻液与硅晶圆的底面接触，使硅晶圆位于第二传输装置上时，蚀刻液恰与硅晶圆底面接触，或者依制程所需使蚀刻液与硅晶圆底面与侧边接触，而控制蚀刻液液面高度的方式藉注液管在单位时间内注入第二制程槽蚀刻液的流量，与第二泄流孔每单位时间内所泄流出的蚀刻液流量来控制，值得注意的是，在第二制程槽中进行硅晶圆的单面蚀刻制程需谨慎控制蚀刻液的流量，避免使蚀刻液溅至硅晶圆的顶面，造成硅晶圆顶面的破坏。由于本发明连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法可让双面蚀刻及单面蚀刻两种制程技术组合可在一道连续制程中选择来实现，硅晶圆100无需再转换不同设备来进行单面或双面的蚀刻制程，减低硅晶圆100在转换机台过程中破损的可能性。且硅晶圆100可于完成双面蚀刻制程或单面蚀刻制程后实时进行下一个蚀刻制程步骤，减少硅晶圆100于等待下一个蚀刻的时间，降低表面生成物的生成机率，亦使产线生产更为顺畅。再者，本发明所提供的连续式半导体蚀刻装置及蚀刻方法，可依照硅晶圆生产制造过程中的需求，调整第一制程槽10中蚀刻的制程，例如，利用注液管101注入蚀刻液的流量与第一泄流孔102泄流的流量来降低蚀刻液液面的高度，使第一制程槽10可进行单面蚀刻制程，同样地，第二制程槽20亦可藉由加大注液管201的流量来增加蚀刻液的液面，使第二制程槽20可进行双面蚀刻的制程。藉由本发明所提供的连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法，可在单一个蚀刻机台中完成硅晶圆的单面及双面蚀刻制程，同时，在进行制程转换过程中，无须进行机台转换，因此可有效降低硅晶圆在机台转换过程中发生碰撞或破裂的风险。再者，由于在单一机台即可完成单面及双面蚀刻的制程，因此无须同时购买及配置单面蚀刻制程及双面蚀刻制程的机台，不仅节省采购机台的成本，也节省了厂房配置的空间。以上所述仅为本发明较佳实施例而已，并非用以限定本发明申请专利权利；同时以上的描述对于本领域普通技术人员应可明了与实施，因此其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含于下述的权利要求的范围中。
权利要求
1.一种连续式半导体蚀刻设备，其特征在于一第一制程槽(10)，所述第一制程槽(10)包含至少一注液管(101)、至少一第一泄流孔(102)及第一节流闸(103)，所述各注液管(101)用以填注蚀刻液至所述第一制程槽(10)，且所述第一节流闸(103)对应所述各第一泄流孔(102)设置；一第一传输装置(11)，其包括有多个第一滚轮(111)，所述各第一滚轮(111)架设于所述第一制程槽(10)，而可传送至少一硅晶圆(100)通过所述第一制程槽(10)，并使所述硅晶圆(100)接触所述第一制程槽(10)中的蚀刻液；一第二制程槽(20)，所述第二制程槽(20)与所述第一制程槽(10)邻近设置，包含 至少一注液管(201)、至少一第二泄流孔(202)及第二节流闸(203)，所述各注液管(201) 以填注蚀刻液至所述第二制程槽(20)，且所述第二节流闸(203)对应所述各第二泄流孔 (202)设置，藉此调节所述第二制程槽(20)的蚀刻液的泄流量；及一第二传输装置(21)，其包括有多个第二滚轮(211)，各第二滚轮(211)架设于所述第二制程槽(20)，藉此，所述等第二滚轮(211)可接收已经于所述第一制程槽(10)处理的硅晶圆(100)，再将所述等硅晶圆(100)传送通过所述第二制程槽(20)，并使所述硅晶圆接触所述第二制程槽中的蚀刻液以再次处理所述等硅晶圆(100)。
2.根据权利要求I所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，所述第一制程槽(10) 的蚀刻液的液面高于位于所述第一传输装置(11)上的所述硅晶圆(100)，而可令所述硅晶圆(100)没入蚀刻液。
3.根据权利要求2所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，尚包括有一第一压轮装置(12)，所述第一压轮装置包含多个压轮(121)且设置于所述第一传输装置(11)的上方，各所述压轮(121)与所述第一传输装置(11)的各所述第一滚轮(111)对应设置，藉以提供一允许硅晶圆(100)通过的间隙。
4.根据权利要求2所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，所述第二制程槽(20) 的蚀刻液的液面低于所述第二传输装置(21)的各第二滚轮(211)的顶端(212)，且以令蚀刻液与位于所述第二传输装置(21)上的所述硅晶圆(100)的底面(110)接触。
5.根据权利要求I所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，所述第一制程槽(10) 及所述第二制程槽(20)间进一步设置一第三制程槽(30)，所述第三制程槽(30)包含一第三传输装置(31)及一冲洗装置(32)。。
6.根据权利要求I所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，进一步包含至少一供液装置(40)，与第一制程槽(10)的所述注液管(101)及所述第二制程槽(20)的所述注液管(201)连接，藉由所述供液装置(40)提供蚀刻液至所述第一制程槽(10)及所述第二制程槽(20)。
7.根据权利要求I所述的连续式半导体蚀刻设备，其特征在于，进一步包含至少一回收槽(50)，所述回收槽(50)邻近设置于所述第一制程槽(10)及所述第二制程槽(10)，藉以回收自所述第一制程槽(10)及所述第二制程槽(10)流出的蚀刻液。
8.—种连续式半导体蚀刻方法,包含提供一第一制程槽及一第二制程槽；所述第一制程槽及所述第二制程槽分别注有蚀刻液，且所述第一制程槽及所述第二制程槽分别包含至少一注液管、至少一泄流孔及至少一节流闸，所述各注液管用以填注蚀刻液至所述第一制程槽及所述第二制程槽，且所述各节流闸对应所述各泄流孔设置；执行液面高度控制；调整所述各泄流孔及所述各节流闸以控制所述第一制程槽及所述第二制程槽中蚀刻液的液面高度；执行第一次娃晶圆表面处理；将至少一娃晶圆藉由一第一传输装置输送通过所述第一制程槽，并使所述硅晶圆与所述蚀刻液接触；以及执行第二次硅晶圆表面处理；将经过第一次表面处理的所述硅晶圆藉由一第二传输装置输送通过所述第二制程槽，并使所述硅晶圆与所述第二制程槽中的蚀刻液接触。
9.根据权利要求8所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，所述第一制程槽的蚀刻液的液面高于位于所述第一传输装置上的所述硅晶圆，而可令所述硅晶圆没入蚀刻液。
10.根据权利要求9所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，尚包括有一第一压轮装置，其设置于所述第一传输装置的上方，且与所述第一传输装置对应设置，藉以提供一允许硅晶圆通过的间隙。
11.根据权利要求9所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，所述第二制程槽的蚀刻液的液面低于各第二滚轮的顶端，且令蚀刻液与位于所述第二滚轮上的所述硅晶圆底部接触。
12.根据权利要求8所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，尚包括有一冲洗步骤，所述硅晶圆在通过所述第一制程槽后而进入所述第二制程槽之前，于一设置于所述第一制程槽及所述第二制程槽之间的第三制程槽执行所述冲洗步骤，而所述第三制程槽包含一冲洗装置。
13.根据权利要求8所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，进一步包含至少一供液装置，其分别与第一制程槽的所述注液管及所述第二制程槽的所述注液管连接，藉由所述供液装置提供蚀刻液至所述第一制程槽及所述第二制程槽。
14.根据权利要求8所述的连续式半导体蚀刻方法，其特征在于，进一步包含至少一回收槽，所述回收槽邻近设置于所述第一制程槽及所述第二制程槽，藉以回收自所述第一制程槽及所述第二制程槽流出的蚀刻液。
全文摘要
一种连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法，包括有第一制程槽、第一传输装置、第二制程槽及第二传输装置。第一制程槽及第二制程槽分别填注有蚀刻液，再藉由第一传输装置将硅晶圆传送通过第一制程槽，并使硅晶圆没入至第一制程槽中的蚀刻液，以进行蚀刻处理，之后再透过第二传输装置将经第一制程槽处理后的硅晶圆传送通过第二制程槽，并令硅晶圆底面接触第二制程槽的蚀刻液，藉此达到硅晶圆连续蚀刻的目的。
文档编号H01L21/00GK102610486SQ201110027229
公开日2012年7月25日 申请日期2011年1月24日 优先权日2011年1月24日
发明者刘仕伟, 张书省, 茹振宗, 蔡嘉雄 申请人:均豪精密工业股份有限公司