专利名称：一种双层氮化硅减反膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及减反膜制作技术领域，具体地说涉及一种双层氮化硅减反膜的制作方法。
背景技术：
太阳能作为一种取之不尽的能源越来越受人们的关注，对太阳能的有效利用可以很好的落实可持续发展这一世界主题。目前主流的太阳能电池是硅电池，太阳能电池表面主要装玻璃挡板作为保护，太阳能电池转换效率损失的原因之一在于表面玻璃挡板对入射太阳光存在10%左右的反射损失，而减少表面阳光反射，提高太阳能电池转换效率的有效途径之一就是镀减反膜。
发明内容
本发明的目的是提供一种双层氮化硅减反膜的制作方法，提高太阳能电池的转换效率。本发明所采用的技术方案是，提供一种双层氮化硅减反膜的制作方法，按如下步骤依次执行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量3-4. 5slm,硅烷流量700-850sCCm，压强 1400-1700mTorr，射频功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 100_200s ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜， PECVD参数设置为氨气流量4-5. 5slm，硅烷流量200-;350sccm，压强1300_1500mTorr，功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 380_450s。本发明的有益效果是在晶体硅太阳能电池上面镀双层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池片表面的钝化效果，并且降低电池片的反射率，对电池的短路电流和开压都有一定的好处，从而提高太阳能电池的转化效率。
图1示出太阳能电池片生产工艺流程图；图2示出本发明双层氮化硅减反膜结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明技术方案进行详细说明图1太阳能电池片生产工艺流程图，即原材料经过清洗制绒、扩散、刻蚀、PECVD镀膜、丝网印刷、分类检测6道工序加工得到太阳能电池片。
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图2是本发明双层氮化硅减反膜结构示意图，即晶体硅上表面依次镀一层高折射率氮化硅、一层低折射率氮化硅。本发明双层氮化硅减反膜的制作方法，按如下步骤依次执行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量3-4. 5slm,硅烷流量700-850sCCm，压强 1400-1700mTorr，射频功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 100_200s ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；使氨气分解成氢离子和[H]进入晶体硅硅体里面中和一些悬键和杂质，从而有利于硅体表面的钝化效果；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜， PECVD参数设置为氨气流量4-5. 5slm，硅烷流量200-;350sccm，压强1300_1500mTorr，功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 380_450s。实施例1A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量3slm，硅烷流量770sCCm，压强1450mTorr，射频功率 3700w，开关时间5:30ms，时间IOOs ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜， PECVD参数设置为氨气流量5. 5slm,硅烷流量250sccm，压强1360mTorr，射频功率3700w， 开关时间5:30ms，时间为380s。双层氮化硅减反膜的反射率比单层氮化硅减少15%，电流提高50mA，开压有IOmV 的提升，最终电池效率有0. 15%的提升。实施例2A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量4. klm，硅烷流量700sCCm，压强HOOmTorr，功率 3900w，开关时间5:30ms，时间150s ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜， PECVD参数设置为氨气流量4. 5slm,硅烷流量200sccm，压强1300mTorr，功率4000w，开关时间5:30ms，时间为450s。双层氮化硅减反膜的反射率比单层氮化硅减少14.5%，电流提高45mA，开压有 IOmV的提升，最终电池效率有0. 10%的提升。实施例3A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量4slm，硅烷流量850sCCm，压强1700mTorr，功率 4000w，开关时间5:30ms，时间200s ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1. 5分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜， PECVD参数设置为氨气流量4slm，硅烷流量350sccm，压强1500mTorr，功率3900w，开关时间5:30ms，时间为400s。双层氮化硅减反膜的反射率比单层氮化硅减少16%，电流提高51mA，开压有IlmV 的提升，最终电池效率有0. 16%的提升。最后所应说明的是，以上实施例仅用于说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
权利要求
1.一种双层氮化硅减反膜的制作方法，其特征在于按如下步骤依次执行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为氨气流量3-4. 5slm,硅烷流量700-850sCCm，压强 1400-1700mTorr，射频功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 100_200s ；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜，PECVD 参数设置为氨气流量4-5. klm，硅烷流量200-350sccm，压强1300_1500mTorr，射频功率 3700-4000w，开关时间 5:30ms，时间 380_450s。
2.根据权利要求1所述的一种双层氮化硅减反膜的制作方法，其特征在于步骤A中 PECVD参数设置为氨气流量3slm，硅烷流量770sccm，压强1450mTorr，射频功率3700w，开关时间5:30ms，时间100s。
3.根据权利要求1所述的一种双层氮化硅硅减反膜的制作方法，其特征在于步骤C 中PECVD参数设置为氨气流量5. 5slm,硅烷流量250sccm，压强1360mTorr，功率3700w，开关时间5:30ms，时间为380s。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种双层氮化硅硅减反膜的制作方法，其特征在于， 步骤B中时间控制在2分钟。
全文摘要
本发明公开了一种双层氮化硅减反膜的制作方法，按如下步骤进行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜。在晶体硅太阳能电池上面镀双层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池片表面的钝化效果，并且降低电池片的反射率，对电池的短路电流和开压都有一定的好处，从而提高太阳能电池的转化效率。
文档编号H01L31/18GK102199760SQ20111011134
公开日2011年9月28日 申请日期2011年4月28日 优先权日2011年4月28日
发明者俞超, 刘娟, 周兵, 张健, 徐杰, 赵丽艳 申请人:浙江鸿禧光伏科技股份有限公司