专利名称：双层氮化硅减反膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种双层氮化硅减反膜，属于太阳能电池技术领域。
背景技术：
氮化硅减反膜主要作用是减少太阳光的反射，增加对太阳光的吸收，该薄膜还可以增加表面钝化效果，提高少子寿命，使电池转换效率得到很大提高。目前工业化生产中多采用单层氮化硅薄膜作为晶体硅太阳电池的减反膜。这种单层氮化硅膜的制备方法简单，操作容易，但由于太阳光光谱范围较宽，单层膜只能对某一个 波长的光具有很好的反射效果，对整个太阳光波段的反射率仍是很高，造成太阳光的吸收率较低、转换效率较低。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高的双层氮化硅减反膜。本实用新型的目的是这样实现的—种双层氮化娃减反膜，包括第一层氮化娃薄膜和第二层氮化娃薄膜，所述第一层氮化硅薄膜位于第二层氮化硅薄膜下方，且所述第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜的硅氮比；作为一种优选，所述第一层氮化硅薄膜的厚度为20nm，折射率为2. 3 ;所述第二层氮化硅薄膜的厚度为65nm，折射率2. 05 ；作为一种优选，所述第一层氮化硅薄膜的厚度为15nm，折射率为2. 4 ;所述第二层氮化硅薄膜的厚度为70nm，折射率2. 05 ；与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型双层氮化硅减反膜因为第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于第二层氮化硅薄膜的硅氮比，因此第一层氮化硅薄膜的折射率高于第二层氮化硅薄膜的折射率，所以增大了对太阳光的光谱段的吸收，可以吸收到高宽的太阳光谱，增强了薄膜的减反射作用，同时第一层氮化娃薄膜折射率较高更有利于对娃片表面的钝化，对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高，具有较好的实用价值。
图I为本实用新型双层氮化硅减反膜的结构示意图。其中第一层氮化娃薄膜I第二层氮化硅薄膜2。
具体实施方式
[0015]参见图1，本实用新型涉及的一种双层氮化硅减反膜，包括第一层氮化硅薄膜I和第二层氮化娃薄膜2,所述第一层氮化娃薄膜I位于第二层氮化娃薄膜2下方,且所述第一层氮化硅薄膜I的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜2的硅氮比。其制备步骤具体如下步骤(I)、将经过后清洗处理后的硅片装入石墨舟，放入沉积腔室中后，在预沉积步骤同时通入氮气和氨气，并同时打开射频电源，对电池表面进行预处理清洁。步骤(2)、然后在步骤(I)的基础上沉积第一层氮化硅薄膜I。步骤(3)、在步骤(2)结束后，将残余的气体用真空泵抽走，再通入氮气和氨气对步骤(2)后的硅片进行清洁。步骤(4)、在步骤(3)结束后，在沉积第一层氮化硅薄膜I的硅片上进行第二层氮 化娃薄膜2的沉积,第二层氮化娃薄膜2的娃氮比低于第一层氮化娃薄膜I的娃氮比。实施例I第一层氮化硅薄膜I的厚度为20nm，折射率为2. 3 ；第二层氮化硅薄膜2的厚度为65nm，折射率2. 05。实施例2 第一层氮化硅薄膜I的厚度为15nm，折射率为2. 4 ；第二层氮化硅薄膜2的厚度为70nm，折射率2. 05。
权利要求1.一种双层氮化硅减反膜，其特征在于包括第一层氮化硅薄膜(I)和第二层氮化硅薄膜(2)，所述第一层氮化硅薄膜(I)位于第二层氮化硅薄膜(2)下方，且所述第一层氮化硅薄膜(I)的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜(2)的硅氮比。
2.根据权利要求I所述的一种双层氮化硅减反膜，其特征在于所述第一层氮化硅薄膜(I)的厚度为20nm，折射率为2. 3 ;所述第二层氮化硅薄膜(2)的厚度为65nm，折射率2. 05。
3.根据权利要求I所述的一种双层氮化硅减反膜，其特征在于所述第一层氮化硅薄膜(I)的厚度为15nm，折射率为2. 4 ;所述第二层氮化硅薄膜(2)的厚度为70nm，折射率2. 05。
专利摘要本实用新型涉及一种双层氮化硅减反膜，其特征在于包括第一层氮化硅薄膜(1)和第二层氮化硅薄膜(2)，所述第一层氮化硅薄膜(1)位于第二层氮化硅薄膜(2)下方，且所述第一层氮化硅薄膜(1)的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜(2)的硅氮比。本实用新型双层氮化硅减反膜因为第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于第二层氮化硅薄膜的硅氮比，因此第一层氮化硅薄膜的折射率高于第二层氮化硅薄膜的折射率，所以增大了对太阳光的光谱段的吸收，可以吸收到高宽的太阳光谱，增强了薄膜的减反射作用，同时第一层氮化硅薄膜折射率较高更有利于对硅片表面的钝化，对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高，具有较好的实用价值。
文档编号H01L31/0216GK202523720SQ20122004165
公开日2012年11月7日 申请日期2012年2月9日 优先权日2012年2月9日
发明者吕加先, 吴胜勇, 宋令枝, 张涌 申请人:苏州盛康光伏科技有限公司