一种降低单耗的正面电极设计方法

文档序号:7005116阅读:276来源:国知局
专利名称:一种降低单耗的正面电极设计方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池片正面电极,具体地说涉及一种降低单耗的正面电极设计方法。
背景技术
随着世界对新能源的需求增加,太阳能电池片的销量也越来越好,而正电极是太阳能电池片的重要组成部分。现有技术中正电极如图1所示,这种电极生产过程中,使用浆料较多,成本较高。

发明内容
本发明的目的是提供一种降低单耗的正面电极设计方法,解决现有技术中存在的制作成本较高的问题。本发明所采用的技术方案是,提供一种降低单耗的正电极设计方法,其特征在于, 包括如下步骤,第一步将正电极网版的线宽设置为50_90um ;第二步将主栅线设计成若干行,每行设计若干个小孔;第三步主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0. 15-0. 25mm ;第四步在主删线中间均勻分布孔径d为0.06mm至0. 12mm的不同尺寸圆孔,相邻两排圆孔采用相间式排列,即一排N个孔,另一排N-I个孔;第五步相邻两排孔的中心间距H为2d±0. 005mm ;第六步同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0. 005mm。本发明的有益效果是采用本发明设计方法,实际印刷成本降低约为3%至12% 之间,转换效率维持不变或略有提高。


图1现有技术丝网印刷的晶硅太阳能电池片正电极结构;图2现有技术的晶硅太阳能电池片主栅线结构;图3采用本发明方法设计的电池片主栅线结构图。图中d表示主栅线上打孔的直径;H表示相邻两排孔的中心之间的距离;L表示主栅线边缘与第一个孔的中心的距离;M表示同一排的相邻两孔的中心之间的距离。
具体实施例方式下面结合附图对本发明技术方案进行详细说明本发明提供一种降低单耗的正面电极设计方法,其特征在于,包括如下步骤,第一步将正电极网版的线宽设置为50-90um ;第二步将主栅线设计成若干行,每行设计若干个小孔;
第三步主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0. 15-0. 25mm ;第四步在主删线中间均勻分布孔径d为0.06mm至0. 12mm的不同尺寸圆孔,相邻两排圆孔采用相间式排列,即一排N个孔,另一排N-I个孔;第五步相邻两排孔的中心间距H为2d±0. 005mm ;第六步同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0. 005mm。采用本发明方法设计的正电极,实际印刷时成本降低约为3%至12%之间,转换效率维持不变或略有提高,且外观没有相应的变化。采用本发明方法设计的一种降低单耗的正电极,包括主栅线、细栅线,主栅线设置若干行孔。主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0. 15-0. 25mm。细栅线的宽度为50-90um。 在主删线中间均勻分布孔径d为0. 06mm至0. 12mm的不同尺寸孔,相邻两排孔采用相间式排列。相邻两排孔的中心间距H为2d士0.005mm,同一排的相邻两孔的中心间距M为 2d±0. 005mm。图中L表示主栅线边缘与第一个孔的中心的距离。实施例1本实验使用某网版公司提供的线宽SOum正电极打孔的网版,同一批次的硅片,相同的浆料,与非打孔网版的生产条件相同。表1是本发明设计的正电极与现有技术的正电极印刷后的湿重对比情况。实验结果表明,本实施范例中的设计方案降低了丝网印刷的湿重,有利于降低晶硅太阳能电池片的单耗。表1
印刷湿重单耗降低率本发明方法得到的正电极0. 15733.18%现有技术正电极0.1625表2是本发明方法得到的正电极与现有技术的正电极印刷烧结后的电性能参数对比情况。实验结果表明,在晶硅太阳能电池片的单耗降低的前提下,其电性能参数未发生明显变化,且在此实施范例中,转换效率维持在原数据的基础上。表 2
电性能参数UocIscRsRshFFNCell本发明方法得到的正电极0.62975.68510.0053630.405278.09410.1806现有技术正电极0.62935.65770.0044526.255978.49990.1805实施例2本实验使用某网版公司提供的线宽85um正电极打孔的网版,同一批次的硅片,相同的浆料,与非打孔网版的生产条件相同。表3是本发明方法得到的正电极与现有技术正电极印刷后的湿重对比情况。实验结果表明,本实施例中的设计方案降低了丝网印刷的湿重,单耗降低率为10. 27%,有利于降低晶硅太阳能电池片的单耗。表权利要求
1. 一种降低单耗的正面电极设计方法,其特征在于,包括如下步骤, 第一步将正电极网版的线宽设置为50-90um ; 第二步将主栅线设计成若干行,每行设计若干个小孔; 第三步主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0. 15-0. 25mm ; 第四步在主删线中间均勻分布孔径d为0. 06mm至0. 12mm的不同尺寸圆孔,相邻两排圆孔采用相间式排列,即一排N个孔,另一排N-I个孔; 第五步相邻两排孔的中心间距H为2d±0. 005mm ; 第六步同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0. 005mm。
全文摘要
本发明公开了一种降低单耗的正面电极设计方法,一种降低单耗的正电极设计方法,其特征在于,包括如下步骤,第一步将正电极网版的线宽设置为50-90um;第二步将主栅线设计成若干行,每行设计若干个小孔;第三步主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0.15-0.25mm;第四步在主删线中间均匀分布孔径d为0.06mm至0.12mm的不同尺寸圆孔,相邻两排圆孔采用相间式排列,即一排N个孔,另一排N-1个孔;第五步相邻两排孔的中心间距H为2d±0.005mm;第六步同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0.005mm。采用本发明方法设计的正电极,实际印刷时成本降低约为3%至12%之间,转换效率维持不变或略有提高,且外观没有相应的变化。
文档编号H01L31/18GK102254995SQ20111018858
公开日2011年11月23日 申请日期2011年7月5日 优先权日2011年7月5日
发明者俞超, 赵丽艳 申请人:浙江鸿禧光伏科技股份有限公司
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