专利名称：无电极电镀浴中络合剂浓度的测量的制作方法
技术领域：
本发明涉及分析无电极电镀浴中的络合剂，作为一种对沉积特性提供控制的方式。
背景技术：
电子工业广泛使用电镀浴来将各种金属(例如铜、镍和金)沉积在各种零件上，包括电路板、半导体芯片和装置封装。使用电镀浴和无电极电镀浴。对于电镀，使所述零件和反电极与含有可电沉积金属的离子的电镀浴接触，且通过对零件施加相对于所述反电极的负电势来电沉积金属。对于无电极电镀，所述浴也含有还原剂，它在催化剂存在下以化学方法还原金属离子，从而形成金属沉积。因为沉积金属本身可用作催化剂，所以无电极沉积一旦开始，不需要施加外部电势就会继续进行。
电子工业正在由铝过渡为以铜作为半导体集成电路(IC)的基础喷镀金属，以便增加装置开关速度和增强抗电子迁移能力。用于制造铜IC芯片的主要技术是“大马士革(Damascene)”方法(例如，参看1999年春的P.C.Andricacos，Electrochem.Soc.Interface，第32页；Chow等人的美国专利第4,789,648号；Ahmad等人的美国专利第5,209,817号)，其依靠铜电镀来提供有关优良特征的完整填补。
在所述大马士革方法中，正如目前所实践的，在芯片的介电材料中蚀刻通孔和沟槽，所述介电材料通常为二氧化硅，虽然正在研发具有较低介电常数的材料。通常通过反应性溅镀将阻挡层(例如，氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)或氮化钨(WNX))沉积在所述沟槽和通孔的侧壁和底部，以防止Cu迁移至介电材料中并降低装置效能。通常通过溅镀在所述阻挡层上沉积一层薄的铜晶种层，以提供增强的电导率和良好的粘附力。然后将铜电沉积在沟槽和通孔中。沉积在外表面(即，沟槽和通孔外部)上的铜通过化学机械抛光(CMP)移除。在曝露的铜电路上涂敷一覆盖层或披覆层(例如，TiN、TaN或WNX)来抑制铜的氧化和迁移。“双大马士革”方法包括同时在沟槽和通孔中沉积。在此文件中，术语“大马士革”也包含“双大马士革”方法。
基于无电极沉积钴和镍的大马士革阻挡层目前正在研究中(例如，Kohn等人，Mater.Sci.Eng.A302.18(2001))。所述金属材料与金属氮化物阻挡材料相比具有较高电导率，这使得铜在不使用铜晶种层时可以直接电沉积在阻挡层上。较高的阻挡层电导率也减少了对给定截面面积的电路跟踪的总电阻。另外，即使在超细沟槽和通孔中，无电极沉积仍提供高度保形涂料，以使得可将总涂层厚度减到最小。正在研究的用于大马士革阻挡沉积的无电极钴和镍浴通常也含有耐火金属(例如，钨、钼或铼)，其与钴或镍共沉积，而且增加了保持有效阻挡性质的最高温度。
对于无电极钴和镍浴，次磷酸盐(H2PO2-)通常用作还原剂，其将磷引入沉积物中。经共沉积的磷减小了沉积晶粒的大小和结晶度(与电沉积相比)，这倾向于改良沉积阻挡性质。备选的还原剂包括例如硼烷、二甲基胺硼烷(DMAB)。使用硼烷还原剂将硼引入沉积物中。通常用于无电极沉积大马士革阻挡层的浴包含0.1M氯化钴或硫酸钴、0.2M次磷酸钠、0.03M钨酸钠、0.5M柠檬酸钠、0.5M硼酸和少量表面活性剂。所述Co(W，P)浴通常在约pH 9和85℃-95℃的温度下运作，而且也可以含有有机添加剂。
为了将钴和镍无电极沉积在诸如二氧化硅的介电材料上，或沉积在对无电极方法没有足够催化性的金属(诸如铜)上，一般使用一层催化性金属晶种。通常通过将零件浸没在含有氯化钯和氟化物离子的酸性活化剂溶液中来沉积催化性钯。氟化物离子易于引起基板上表面氧化物的溶解，以致于形成钯的置换层。或者，可通过溅镀涂敷一层经无电极沉积的金属(钴或镍)晶种。
最近报导[T.Itabashi，N.NTakano and H.Akahoshi，Proc.IITC 2002，第285-287页]，对于使用两种还原剂的Co(W，P)浴，Co(W，P)的覆盖层直接沉积在大马士革铜电路上。在这种情况下，由以相对低的浓度存在的具有更大活性的还原剂(DMBA)来启动无电极沉积。当DMBA还原剂在零件表面耗尽时，由具有较小活性的还原剂(次磷酸盐)来维持无电极沉积，这提供了更好的沉积性质。
有必要精确控制无电极电镀浴组分的浓度来提供可以接受的沉积性质。某些组分可以通过标准分析技术来检测，但仍需要专门的方法来测量其它组分的浓度。在Pavlov等人的美国专利申请案第10/288,989号(2002年11月6日申请)中描述一种基于金属电沉积速率测量来测量无电极电镀浴中还原剂浓度的方法。
还原剂和缓冲剂的存在使得无电极电镀浴中络合剂浓度的测量变得复杂化。还原剂基于氧化还原反应而倾向于干扰分析，而缓冲剂倾向于干扰酸碱滴定。另外，无电极电镀浴中所使用的络合剂一般为弱络合剂(例如，柠檬酸根离子)，其浓度不易于通过络合滴定来测量。因此，一般通过用金属盐溶液滴定测定“游离”络合剂浓度和通过独立分析测定络合物质浓度的方法不能用于无电极电镀浴中所使用的相对弱的络合剂。所述的两部分分析在任何情况下都不理想，因为使得所述独立分析的测量误差倍增。需要一种方法来准确测量无电极电镀浴中络合剂(诸如，柠檬酸根离子)的浓度。
在现有技术文献[C.E.Efstathiou和P.Hadjiioannou，《分析化学学报》(Analytica Chimica Acta)109.319(1979)]中描述了通过将氟化物和氯化物离子添加到未知溶液中并用硝酸铅滴定来分析各种阴离子物质(硫酸盐、铬酸盐、钼酸盐、钨酸盐、草酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐和六氰高铁酸盐)。在这种情况下，滴定剂中的Pb2+离子与相关阴离子反应，直到阴离子耗尽为止，并且然后通过与所添加的氯化物和氟化物离子反应来使PbClF沉淀。滴定终点由氟化物离子浓度的降低来表示，其借助于氟化物离子专用电极来检测。在这种情况下，将有机溶剂(例如，丙酮、乙醇或丙-2-醇)添加到未知溶液中增强了PbClF沉淀并且使终点变得敏锐。
所述现有技术方法未应用于分析无电极电镀浴中的络合剂，但是对那种应用明显不利。详细来说，铅是有毒金属，所以使用Pb2+离子作为试剂会造成安全和环境问题。另一不利之处在于PbClF沉淀难于从反应容器中移除并且可显着增加分析之间漂洗所需要的时间，和/或通过交叉污染引入测量误差。另外，从安全和环境的观点来说，也反对使用有机溶剂来增强沉淀反应和使滴定终点敏锐。
发明内容
本发明提供一种测定无电极电镀浴中络合剂浓度的方法。在所述方法中，用含有一种易于与络合剂(例如，柠檬酸根离子)形成相对强的络合物的络合金属离子(例如，La3+离子)的滴定剂溶液，来滴定一包含无电极电镀浴的试样和低浓度游离氟化物离子的测试溶液。当将络合金属离子添加到该测试溶液中时，其优先与络合剂反应，直到络合剂耗尽为止，并且然后与游离氟化物离子反应，这降低了测试溶液中游离氟化物离子的浓度。滴定终点通过游离氟化物离子浓度的显著降低来指示，这借助于氟化物离子专用电极(ISE)来检测。对于络合络合金属离子大体上比络合经无电极沉积的金属离子更强的络合剂，本发明的方法产生络合剂的总浓度。
本发明的方法尤其用于分析无电极钴和镍浴中通常所使用的柠檬酸盐络合剂的浓度，所述钴和镍浴是用于为大马士革铜电路沉积阻挡层和覆盖层类型的浴。所述分析可快速进行并且能够准确控制为确保可接受的金属沉积所需要的络合剂浓度。仅需要一种分析，以将测量误差减到最小。此分析不需要危险试剂并且不涉及沉淀，这有利于分析之间漂洗并且将交叉污染减到最小。
从下列详细说明以及附图来看，本发明的其它特征和优点对于所属领域的技术人员将显而易见。
本文献中所用的技术术语通常为所属领域的技术人员已知。用于测定测试溶液中“分析物”物质浓度的“滴定”包括标准添加含有预定(已知)浓度的“滴定剂”物质的滴定剂溶液(至测试溶液中)，所述“滴定剂”物质与所述分析物物质反应。从达到滴定“等当点”所需要的滴定剂溶液的体积来测定分析物的浓度，所述体积对应于测试溶液中大体上完全与滴定剂反应的分析物的消耗量。等当点理论上是滴定“终点”，但实际上需要明显过量的滴定剂以产生可检测的终点效果。术语“标准添加”通常意思是将已知体积的第一溶液添加到已知体积的第二溶液中，并且“体积分数”是第一溶液的体积除以由将第一溶液添加到第二溶液中得到的溶液的总体积。符号“M”意思是摩尔浓度。习惯上将数据处理成曲线或图，但也可以把数据制成表格并直接使用(尤其通过计算机)，并且术语“曲线”或“图”包括制成表格的数据。
本发明提供一种测定无电极电镀浴中络合剂浓度的方法。在所述方法中，用含有一种预定浓度的易于与络合剂形成相对强的络合物的络合金属离子的滴定剂溶液，来滴定一包含无电极电镀浴的试样和低浓度游离氟化物离子的测试溶液。当将络合金属离子添加到此测试溶液中时，其优先与络合剂反应，直到络合剂耗尽为止，并且然后与氟化物离子反应。滴定终点通过测试溶液中游离氟化物离子浓度的显著降低来指示。由滴定剂溶液中的络合金属离子浓度和达到滴定终点所需滴定剂溶液的体积比来计算电镀浴中的络合剂浓度。对于络合络合金属离子大体上比络合经无电极沉积的金属离子更强的络合剂，本发明的方法产生总络合剂浓度。通过使用氟化物离子专用电极监测测试溶液中的游离氟化物离子浓度来判定滴定终点。市售有所述的显示与游离氟化物离子浓度成潜在比例的电极。
优选络合金属离子为镧离子(La3+)，与其它金属离子相比较，其尤其易于形成强阴离子络合物。La3+离子也具有低电活性，并且用氟化物离子专用电极提供敏锐终点，因为LaF3高度不可溶。可以使用的备选络合金属离子包括Fe3+、Hg2+和Ce4+离子。与络合金属离子一起使用的抗衡离子优选为非络合或仅弱络合，以使得将对络合剂分析的干扰减到最小。例如，优选络合金属抗衡离子包括硝酸根(NO3-)和高氯酸根(ClO3-)，但也可以使用其它抗衡离子。络合金属离子以预定(已知)浓度存在于滴定剂溶液中，此浓度可广泛变化。优选地，选择络合金属离子浓度来为络合剂提供良好的灵敏度，同时避免了难于处理的过量滴定剂体积。一般用于无电极钴和镍浴的滴定剂溶液是溶解在去离子水中的0.1MLa(NO3)3。络合金属离子浓度的适当浓度可在0.01至1.0M之间，这取决于各种分析因素，包括无电极电镀浴中的络合剂浓度。
氟化物离子用作滴定终点指示剂，因为它是极弱的络合剂，大体上只在电镀浴中使用的络合剂耗尽之后与络合金属离子络合。与络合金属离子相比，与氟化物离子一起使用的抗衡离子优选为弱络合剂，以使得将对络合剂分析的干扰减到最小。适当的氟化物抗衡离子包括碱金属离子(Li+、Na+、K+、Rb+和Cs+)，但也可以使用其它抗衡离子。通常将氟化物以溶解在去离子水中的NaF盐的形式添加到测试溶液中。
测试溶液中的游离氟化物离子浓度优选为提供最佳滴定终点敏锐度和等当点与终点之间良好一致性的预定值。所述预定游离氟化物浓度应该足够大，以易于借助于氟化物离子专用电极检测，但不应该太大以致于游离氟化物离子浓度的微小变化不足以产生易于测量的ISE电位变化。预定游离氟化物浓度优选为0.5至500mg/L。对于相对大的游离氟化物浓度，有必要因等当点与终点之间的差异而修改滴定剂体积。
通过对氟化物离子专用电极电位对所添加滴定剂溶液的体积的电位滴定曲线进行微分可使对应于滴定终点的游离氟化物浓度的显著降低变得更明显并对其进行准确界定。一阶导数曲线显示一对应于电极电位随滴定剂体积最大变化速率的峰值，所述峰值可用作滴定终点。通过获取二阶导数可更准确地确定一阶导数曲线中的峰的位置，所述峰值的二阶导数为零。可易于借助于计算机来处理这些数学作业，包括在数据点之间外推或外推到零值二阶导数。在某些情况下，可以使用只具有两个或三个点的校准曲线。
本发明的方法尤其用于测量无电极钴和镍浴中的络合剂浓度，包括那些可自其共沉积其它金属(例如，钨、钼或铼)的浴。所述浴通常使用柠檬酸盐(以柠檬酸钠添加)作为主要络合剂，但此方法也可以用于测定其它络合剂的浓度，包括乳酸盐、琥珀酸盐、羟基乙酸盐、氨基乙酸盐、丙二酸盐、乙二胺和乙二胺四乙酸盐。此方法也可以用于分析用于电镀其它金属(例如，铜、金、钯和铂)的无电极浴中的络合剂。
为将对络合剂分析的干扰减到最小，应避免电镀浴试样中其它组分浓度的显著变化。例如，已发现无电极钴浴中pH值和钴离子浓度的变化会影响柠檬酸盐分析结果。对于柠檬酸盐分析，优选将浴中的pH值和钴离子浓度维持在大体恒定的值。或者，可以在柠檬酸盐分析之前调节电镀浴试样中的pH值和钴离子浓度。另一种为络合剂分析维持恒定pH值的方法是缓冲测试溶液，通常通过添加缓冲溶液。对于目标pH值约为9的无电极钴浴，适当的缓冲溶液是通过添加NH4OH溶液调节至目标pH值的0.1MNH4Cl。可使用多种缓冲溶液。将干扰物质浓度变化的影响减到最小的类似方法可用于分析其它电镀浴和其它络合剂。
图1展示氟化物ISE电位对添加到含有50、60和70g/L柠檬酸钠络合剂的测试溶液中的0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液体积的电位滴定曲线。
图2展示来自图1的曲线对添加到含有50、60和70g/L柠檬酸钠络合剂的测试溶液中的0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液的体积的数学微分。
具体实施例方式
在本发明的优选实施例中，通过用0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液滴定含有低浓度NaF(0.5-500mg/L)的无电极电镀浴试样，来测定无电极钴或镍电镀浴中的柠檬酸盐络合剂(C6H5O73+)浓度。当将滴定剂溶液添加到测试溶液(含有游离氟化物离子的电镀浴试样)中时，La(NO3)3根据以下方程式与柠檬酸钠(Na3C6H5O7)反应形成柠檬酸镧(LaC6H5O7)和硝酸钠(NaNO3)在达到等当点之后，硝酸镧开始根据以下方程式与氟化钠(NaF)反应形成氟化镧(LaF3)这引起游离氟化物浓度降低，因为氟化物在LaF3物质中比在NaF物质中络合得更强。借助于氟化物离子专用电极来检测表示滴定终点的游离氟化物浓度的降低。由滴定剂溶液中的La(NO3)3浓度和达到滴定终点所需滴定剂溶液的体积比来计算无电极电镀浴中的柠檬酸根离子浓度。
对于本发明的络合剂分析，优选将无电极电镀浴中其它组分的浓度保持在浴供应商推荐的范围内，以确保来自其它浴物质的干扰最小。在滴定期间，应该搅拌测试溶液以确保络合金属离子与络合剂(和游离氟化物离子)之间大体上完全反应。可通过任何合适方式来提供溶液搅拌，包括手动搅拌、电动涡轮搅拌、磁力搅拌和超声搅拌。在每次添加标样之后，应允许搅拌足够时间以提供均匀溶液。滴定通常在周围温度下进行，但温度并不是关键参数。
将电镀浴的pH值变化对络合剂分析的影响减到最小的优选方法是利用经缓冲的测试溶液，其可通过用去离子水稀释电镀浴试样并添加缓冲溶液来制备。缓冲溶液的pH值优选与电镀浴的目标pH值相同。对于在pH 9下进行的无电极钴电镀浴中的柠檬酸盐分析，适当的缓冲溶液是通过添加NH4OH溶液调节至目标pH值的0.1MNH4Cl。用通过将0.5-1.0mL电镀浴试样添加到50-100mL去离子水中并添加约5mL缓冲溶液(和0.1mL 0.1MNaF溶液)制备的测试溶液可获得所述柠檬酸盐分析的合适结果。
借助于分析一含有0.1M硫酸钴、0.2M次磷酸钠、0.03M钨酸钠、0.5M硼酸、少量表面活性剂和各种浓度柠檬酸钠的无电极钴浴来证明本发明的功效。在用0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液滴定之前，将14mg/L的氟化钠添加到电镀浴试样(1.0mL体积)中。使用电动搅拌器将溶液搅匀。在计算机控制下进行滴定。
图1展示氟化物ISE电位对添加到含有50、60和70g/L柠檬酸钠络合剂的测试溶液中的0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液体积的电位滴定曲线。当测试溶液中的柠檬酸钠浓度增加时，显然需要更大体积的滴定剂溶液来产生氟化物离子专用电极电位的显著增加。
图2展示来自图1的曲线对添加到含有50、60和70g/L柠檬酸钠络合剂的测试溶液中的0.1MLa(NO3)3滴定剂溶液体积的数学微分。微分曲线中的峰对应于电位滴定曲线中的最大斜率并为柠檬酸盐滴定提供可靠终点。
表1展示对接近含有低(50mg/L)、标准(60mg/L)和高(70mg/L)浓度柠檬酸钠络合剂的无电极Co(W，P)浴进行的一系列十次测量的柠檬酸盐滴定结果。相对标准偏差分别为1.18％、0.88％和0.38％。
表1无电极Co(W，P)电镀浴的柠檬酸盐分析结果
上文中已说明并描述了本发明的优选实施例。然而，修正和另外的实施例对所属领域的技术人员无疑将是显而易见的。此外，可用等效元素取代本文中所说明和描述的元素，零件或连接可反向或要不然互换，而且本发明的特定特征可独立于其它特征来利用。因此，应认为示范性实施例是说明性的，而不是包括性的，而且附加的权利要求更表明了本发明的全部范畴。
工业适用性本发明的方法尤其用于分析无电极钴和镍浴中通常所使用的柠檬酸盐络合剂的浓度，所述钴和镍浴是用于为大马士革铜电路沉积阻挡层和覆盖层类型的浴。所述分析可快速进行并且能够准确控制为确保可接受的金属沉积所需要的络合剂浓度。仅需要一种分析，以将测量误差减到最小。此分析不需要危险试剂并且不涉及沉淀，这有利于分析之间漂洗并且将交叉污染减到最小。
权利要求
1.一种用于测定一无电极电镀浴中络合剂浓度的方法，其包含以下步骤提供一包含所述无电极电镀浴的试样和预定浓度氟化物离子的测试溶液；用一包含预定浓度络合金属离子的滴定剂溶液来滴定所述测试溶液；借助于氟化物离子专用电极来检测所述测试溶液中氟化物离子浓度的显著降低；和由在所述测试溶液中产生氟化物离子浓度显著降低所需的所述测试溶液的体积比来计算所述无电极电镀浴中的所述络合剂浓度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述无电极电镀浴是一种用于沉积选自由以下各金属组成的群组的金属的电镀浴钴、镍、钼、钨、铼、铜、金、钯、铂和其合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述络合剂选自由以下各物组成的群组柠檬酸盐、乳酸盐、琥珀酸盐、羟基乙酸盐、氨基乙酸盐、丙二酸盐、乙二胺和乙二胺四乙酸盐。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化物离子的预定浓度具有在0.5至500mg/L范围内的值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述络合金属离子的预定浓度为0.01至1.0M。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述络合金属离子选自由La3+、Fe3+、Hg2+和Ce4+离子组成的群组。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤包括产生氟化物离子专用电极电位对所添加滴定剂溶液体积的滴定曲线的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤进一步包括获取所述滴定曲线的一阶导数的步骤。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤进一步包括获取所述滴定曲线的二阶导数的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述测试溶液进一步包含一缓冲溶液。
11.一种用于测定一无电极电镀浴中络合剂浓度的方法，其包含以下步骤提供一包含所述无电极电镀浴的试样和预定浓度氟化物离子的测试溶液；用一包含预定浓度La3+离子的滴定剂溶液来滴定所述测试溶液；借助于氟化物离子专用电极来检测所述测试溶液中氟化物离子浓度的显著降低；和由在所述测试溶液中产生氟化物离子浓度显著降低所需的所述测试溶液的体积比来计算所述无电极电镀浴中的络合剂浓度。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述无电极电镀浴是一种用于沉积选自由以下各金属组成的群组的金属的电镀浴钴、镍、钼、钨、铼、铜、金、钯、铂和其合金。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述络合剂选自由以下各物组成的群组柠檬酸盐、乳酸盐、琥珀酸盐、羟基乙酸盐、氨基乙酸盐、丙二酸盐、乙二胺和乙二胺四乙酸盐。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述氟化物离子的预定浓度具有在0.5至500mg/L范围内的值。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述La3+离子的预定浓度为0.01至1.0M。
16.根据权利要求11所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤包括产生氟化物离子专用电极电位对所添加滴定剂溶液体积的滴定曲线的步骤。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤进一步包括获取所述滴定曲线的一阶导数的步骤。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述检测所述测试溶液中氟化物离子浓度显著降低的步骤进一步包括获取所述滴定曲线的二阶导数的步骤。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述测试溶液进一步包含一缓冲溶液。
20.一种用于测定一无电极电镀浴中柠檬酸盐络合剂浓度的方法，其包含以下步骤提供一包含所述无电极电镀浴的试样和预定浓度氟化物离子的测试溶液；用一包含预定浓度La3+离子的滴定剂溶液来滴定所述测试溶液；借助于氟化物离子专用电极来检测所述测试溶液中氟化物离子浓度的显著降低；和由在所述测试溶液中产生氟化物离子浓度显著降低所需的所述测试溶液的体积比来计算所述无电极电镀浴中的柠檬酸盐络合剂浓度。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述无电极电镀浴是一种用于沉积选自由以下各金属组成的群组的金属的电镀浴钴、镍、钼、钨、铼、铜、金、钯、铂和其合金。
22.一种用于测定一无电极钴或镍电镀浴中柠檬酸盐络合剂浓度的方法，其包含以下步骤提供一包含所述钴或镍无电极电镀浴的试样和预定浓度氟化物离子的测试溶液；用一包含预定浓度La3+离子的滴定剂溶液来滴定所述测试溶液；借助于氟化物离子专用电极来检测所述测试溶液中氟化物离子浓度的显著降低；和由在所述测试溶液中产生氟化物离子浓度显著降低所需的所述测试溶液的体积比来计算所述无电极电镀浴中的柠檬酸盐络合剂浓度。
23.一种用于测定一无电极钴或镍电镀浴中柠檬酸盐络合剂浓度的方法，其包含以下步骤提供一包含所述钴或镍无电极电镀浴的试样、一缓冲溶液和预定浓度氟化物离子的测试溶液；用一包含预定浓度La3+离子的滴定剂溶液来滴定所述测试溶液；借助于氟化物离子专用电极来检测所述测试溶液中氟化物离子浓度的显著降低；和由在所述测试溶液中产生氟化物离子浓度显著降低所需的所述测试溶液的体积比来计算所述无电极电镀浴中的柠檬酸盐络合剂浓度。
全文摘要
本发明涉及通过用一种标准硝酸镧溶液滴定含有低浓度游离氟化物离子的无电极电镀浴的试样来测定无电极钴或镍电镀浴中的柠檬酸盐络合剂浓度。在滴定期间，La
文档编号G01N27/26GK1802563SQ200480015864
公开日2006年7月12日 申请日期2004年6月10日 优先权日2003年6月13日
发明者尤金·沙雷特, 迈克尔·帕夫洛夫, 彼得·布拉廷, 亚利克斯·科甘, 迈克尔·詹姆斯·珀皮奇 申请人:尤金·沙雷特, 迈克尔·帕夫洛夫, 彼得·布拉廷, 亚利克斯·科甘, 迈克尔·詹姆斯·珀皮奇