专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括发光二极管的发光装置。
背景技术：
迄今，已知有如下的白色发光二极管用接受蓝色光而发出黄色光的YAG系荧光体被覆蓝色发光二极管，将来自蓝色发光二极管的蓝色光与YAG系荧光体的黄色光混色来得到白色光。例如，提出了一种发光装置，其包括接合有LED元件的基板、以包围LED元件的方式接合在基板上的圆筒状的模框、借助于固定材料(低熔点玻璃等粘接剂)载置在模框上端的荧光体陶瓷片(例如参照日本特开2010-27704号公报)。在这种发光装置中，在荧光体陶瓷片接受来自LED元件的光而发光时，荧光体陶瓷片发热。
发明内容
然而，在上述日本特开2010-27704号公报中，由于荧光体陶瓷片发热，存在荧光体陶瓷片的发光效率降低的不利情况。因此，本发明的目的在于提供可以提高荧光体陶瓷的散热性、且可以抑制荧光体陶瓷的发光效率降低的发光装置。本发明的发光装置的特征在于，其包括由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在所述电路基板上，并且通过来自所述电路基板的电力来发光；壳体 (housing)，其以包围所述发光二极管的方式设置在所述电路基板上，并且其上端部配置在比所述发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在所述壳体上沿所述壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为0. 3mm以上，厚度为200 μ m以下；以及荧光体陶瓷，其借助于所述粘接剂层粘接在所述壳体上。根据本发明的发光装置，荧光体陶瓷借助于从内周缘到外周缘的长度为0. 3mm以上、厚度为200 μ m以下的粘接剂层粘接在壳体上。因此，可以将来自荧光体陶瓷的热有效地传给壳体，可以借助于壳体来散热。结果，可以提高荧光体陶瓷的散热性，且可以抑制荧光体陶瓷的发光效率降低。
图1为示出本发明的发光装置的一个实施方式的剖面图。图2为图1所示的发光装置的A-A剖面图。
具体实施例方式图1为示出本发明的发光装置的一个实施方式的剖面图。图2为图1中所示的发光装置A-A剖面图。
如图1和图2所示，发光装置1包括电路基板2、发光二极管3、壳体4、粘接剂层5 和作为荧光体陶瓷的一个例子的荧光体陶瓷片6。电路基板2包括基底基板7和形成在基底基板7的上表面的布线图案8。具体而言，电路基板2将来自外部的电力供给布线图案8。基底基板7形成为俯视大致矩形平板状，由例如铝等金属、例如氧化铝等陶瓷、例如聚酰亚胺树脂等形成。基底基板7的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为10W/m · K以上。此外，在由金属形成了基底基板7时，为了防止基底基板7与布线图案8发生短路，在基底基板7与布线图案8之间设置绝缘层。在这里，即使在绝缘层的导热系数低的情况下(例如5W/m · K以下)，如果基底基板7的导热系数在上述范围内，则也能有效地将来自荧光体陶瓷片6的热传给壳体4。另外，相对于来自发光二极管3的光，至少在载置发光二极管3的区域(被壳体4 包围的区域)将基底基板7的反射率设定为例如70%以上、优选90%以上、更优选95%以上。此外，在载置发光二极管3的区域(被壳体4包围的区域)，在基底基板7的表面施涂例如分散有白色填料的树脂涂料，可以实现反射率的进一步提高。布线图案8将发光二极管3的端子与用于向发光二极管3供给电力的电源(未图示)的端子(未图示)电连接。布线图案8例如由铜、铁等导体材料形成。布线图案8的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为10W/m · K以上。另外，相对于来自发光二极管3的光，至少在载置发光二极管3的区域(被壳体4 包围的区域)将布线图案8的反射率设定为例如70%以上、优选90%以上、更优选95%以上。发光二极管3具体为蓝色发光二极管，其设置在基底基板7上。各发光二极管3 经由引线9与布线图案8电连接(引线接合)。发光二极管3通过来自电路基板2的电力来发光。壳体4从基底基板7的上表面向上方设立，使得其上端部配置在比发光二极管3 的上端部更上侧，在俯视下，形成为包围发光二极管3的框状。另外，壳体4形成为从下方到上方开口截面积扩大的截面楔形。壳体4由例如氧化铝、氧化锆、氧化钇等氧化物陶瓷材料、例如氮化铝等氮化物陶瓷材料、例如Cu系原料(例如Cu-Fe-P等)、！^e系原料(例如i^-42% Ni等)等金属材料等材料形成。壳体4优选由陶瓷材料形成，更优选由氧化铝形成。如果壳体4由上述材料形成，则可以实现提高导热系数，同时可以实现提高反射率。另外，在由金属材料形成壳体4时，例如可以施涂分散有白色填料的树脂涂料来实现反射率的进一步提高。壳体4的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为15W/m · K以上，更优选为IOOW/ m · K以上。对于壳体4的反射率，将对来自发光二极管3的光的反射率设定为例如70%以上、 优选90%以上、更优选95%以上。
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另外，壳体4以使其上端面的从内周缘到外周缘的长度为例如0. 3mm以上、优选 Imm以上、且通常5mm以下的方式形成。另外，在壳体4的上端面，如果确保上述的长度，则还能形成可嵌合荧光体陶瓷片 6的高低差。此外，壳体4也可以预先与电路基板2 —体化形成为带有壳体的电路基板。作为带有壳体的电路基板，市售产品可以得到，例如可列举出带有空腔的多层陶瓷基板(产品编号207806, Sumitomo Metal(SMI)Electronics Devices Inc.制造)等。另外，在壳体4中，根据需要，填满例如有机硅树脂、环氧树脂、它们的混合树脂等、优选有机硅树脂来作为密封材料。在壳体4内被密封材料填满时，可以降低由总反射导致的来自发光二极管3的发光光的约束。粘接剂层5由对荧光体陶瓷片6和壳体4这二者具有充分的粘接力、至少在发光装置1的驱动时对荧光体陶瓷片6或壳体4的温度具有足够的耐热性的材料构成，在壳体 4的上端面沿壳体4的整个周向设置。作为形成粘接剂层5的粘接剂，例如可列举出由环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸类树脂等构成的粘接剂。粘接剂层5以使其从内周缘到外周缘的长度(涂粘接剂部分宽度)为例如0. 3mm 以上、优选0. 3 5mm、更优选0. 3 2mm的方式形成。此外，粘接剂层5的涂粘接剂部分宽度在粘接剂层5的周向长度(内周基准)的例如80%以上、优选90%以上是在上述范围内的。另外，如果粘接剂层5的涂粘接剂部分宽度在上述范围内，则可以将来自荧光体陶瓷片6的热经由粘接剂层5有效地传给壳体4，借助于壳体4来散热。粘接剂层5的厚度例如为200 μ m以下，优选为100 μ m以下，更优选为50 μ m以下， 且通常为5μπ 以上。如果粘接剂层5的厚度在上述范围内，则可以将来自荧光体陶瓷片6的热经由粘接剂层5有效地传给壳体4，借助于壳体4来散热。另外，可以抑制来自边缘部分的水分、硫等杂质混入。另外，可以抑制发光光从粘接剂层5泄漏。此外，在粘接剂层5中，根据需要，在不损害粘接性的程度下，还可以添加例如氧化铝、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、碳、银等填料。如果在粘接剂层5中添加填料，则可以提高粘接剂层5的导热性。粘接剂层5的导热系数例如为0. lff/m · K以上，优选为0. 2ff/m · K以上，更优选为 1. Off/m · K 以上。荧光体陶瓷片6借助于粘接剂层5以封闭被壳体4包围的区域的方式粘接在壳体 4上。荧光体陶瓷片6含有如下的荧光材料吸收作为激发光的波长350 480nm的光的一部分或全部而被激发，发出波长比激发光长的、例如500 650nm的荧光。作为荧光材料，可列举出例如Y3Al5O12 Ce (YAG (钇 铝·石榴石)Ce)、(Y， G(I)3Al5O12:Ce> Tb3Al3O12Ce> Ca3Sc2Si3O12:Ce> Lu2CaMg2(Si, Ge)3012:Ce 等具有石槽石型晶体结构的石榴石型荧光材料；例如(Sr，Ba)2Si04:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、 Li2SrSiO4: Eu、Ca3Si2O7: Eu等硅酸盐荧光材料；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4 = Eu等铝酸盐荧光
5材料；例如 ZnS:Cu, Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 等硫化物荧光材料；CaSi2O2N2:Eu, SrSi2O2N2IEu, BaSi2O2N2: Eu, Ca- α -SiAlON 等氮氧化物荧光材料；例如 CaAlSiN3: Eu、 CaSi5N8IEu等氮化物荧光材料；例如K2SiF6 = Mru K2TiF6 = Mn等氟化物系荧光材料等。优选列举出石榴石型荧光材料，更优选列举出Y3Al5012:Ce。另外，荧光体陶瓷片6优选具有透过光的透光性。对于制作荧光体陶瓷片6，首先，制作由荧光材料构成的荧光材料颗粒。对于制作荧光材料颗粒，在形成Y3Al5O12 = Ce作为荧光材料时，以规定的比例将例如硝酸钇六水合物等含钇化合物、例如硝酸铝九水合物等含铝化合物和例如硝酸铈六水合物等含铈化合物溶解在例如蒸馏水等溶剂中，制备前体溶液。对于制备前体溶液，以相对于100摩尔钇原子使得铝原子例如为120 220摩尔、 优选为160 180摩尔、铈原子例如为0. 01 2. 0摩尔、优选为0. 2 1. 5摩尔的方式配合含钇化合物、含铝化合物和含铈化合物，将其溶解在溶剂中。接着，通过在喷雾前体溶液的同时使其热分解来得到前体颗粒。另外，前体颗粒也可以直接作为荧光材料颗粒使用，优选的是，在例如1000 1400°C、优选1150 1300°C下预烧成例如0. 5 5小时、优选1 2小时，形成荧光材料颗粒。如果将前体颗粒预烧成，则可以调整所得荧光材料颗粒的晶相，可以得到高密度的荧光体陶瓷片6。所得荧光材料颗粒的平均粒径(通过使用自动比表面积测定装置 (Micromeritics 公司制造，Gemini 2365 型)的 BET (Brunauer-Emett-Teller)法测定。) 例如为50 lOOOOnm，优选为50 lOOOnm，更优选为50 500nm。此外，对于测定荧光材料颗粒的平均粒径，除了上述BET法以外，可以使用例如激光衍射法、利用电子显微镜的直接观察等方法。另外，还可以将所得荧光材料颗粒分级，除去粒径大于上述平均粒径的粗颗粒。如果荧光材料颗粒的平均粒径在上述范围内，则可以实现荧光体陶瓷片6的高密度化、烧结时的尺寸稳定性的提高和空隙产生的减少。另外，作为荧光材料颗粒，也可以使用混合有例如氧化钇颗粒等含钇颗粒、例如氧化铝颗粒等含铝颗粒、例如氧化铈颗粒等含铈颗粒的混合物。在该情况下，以相对于100摩尔钇原子使得铝原子例如为120 220摩尔、优选为 160 180摩尔、铈原子例如为0. 01 2. O摩尔、优选为0. 2 1. 5摩尔的方式混合含钇颗粒、含铝颗粒和含铈颗粒。接着，对于制作荧光体陶瓷片6，制作由荧光材料颗粒构成的陶瓷坯体。对于制作陶瓷坯体，例如使用模具来压制荧光材料颗粒。此时，也可以如下进行首先，适当使用粘结剂树脂、分散剂、增塑剂、烧结助剂等添加剂，将荧光材料颗粒分散在例如二甲苯等芳香族系溶剂、例如甲醇等醇等具有挥发性的溶剂中来制备荧光材料颗粒分散液，接着，例如通过喷雾干燥器将荧光材料颗粒分散液干燥来制备含有荧光材料颗粒与添加剂的粉末，接着，压制粉末。 此外，在将荧光材料颗粒分散在溶剂中时，除了上述添加剂以外，只要通过加热而分解则没有特别限定，可以使用公知的添加剂。 作为将荧光材料颗粒分散在溶剂中的方法，例如使用研钵、各种混合机、球磨机、珠磨机等公知的分散器具进行湿式混合。另外，对于制作陶瓷坯体，例如可以在PET薄膜等树脂基材上，对荧光材料颗粒分散液根据需要进行粘度调整之后例如通过刮刀法等进行流延成型(tape casting)，或者进行挤出成型并干燥。另外，在使用刮刀法时，各陶瓷坯体的厚度通过调整刮刀的间隙来控制。此外，在荧光材料颗粒分散液中配合粘结剂树脂等添加剂时，在将陶瓷坯体烧成之前，将陶瓷坯体在空气中、例如400 800°C下加热例如1 10小时，进行分解除去添加剂的脱粘结剂处理。此时，升温速度例如为0.2 2. 0°C/分钟。如果升温速度在上述范围内，则可以防止陶瓷坯体的变形、裂纹等。接着，对于制作荧光体陶瓷片6，将陶瓷坯体烧成。烧成温度、时间和烧成气氛根据荧光材料来适当设定，如果荧光材料为 Y3Al5O12 = Ce,例如在真空中、在氩气等惰性气体气氛中、或者在氢、氢/氮混合气体等还原气体中，在例如1500 1800°C、优选1650 1750°C下烧成例如0. 5 24小时、优选烧成3 5小时。此外，在于还原气氛中烧成时，还可以将还原气体与碳颗粒一起组合使用。如果组合使用碳颗粒，则可以进一步提高还原性。另外，达到烧成温度的升温速度例如为0. 5 20°C /分钟。如果升温速度在上述范围内，则可以有效地升温，同时可以使晶粒(grain)较平稳地生长而抑制空隙产生。另外，为了寻求进一步提高荧光体陶瓷片6的密度、提高透光性，通过热等静压式烧结法(HIP 法)在加压下烧结。由此，得到荧光体陶瓷片6。所得荧光体陶瓷片6的厚度例如为100 1000 μ m,优选为150 500 μ m。如果荧光体陶瓷片6的厚度在上述范围内，则可以谋求提高处理性和防止破损。另外，所得荧光体陶瓷片6的全光线透过率(在700nm下)例如为30 90%，优选为60 80%。另外，所得荧光体陶瓷片6的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为10W/m · K以上。此外，荧光体陶瓷片6也可以任意选择一种或两种以上的上述荧光材料，以将发光装置1的发光光调整为任意色调的方式制作。具体而言，可以由发出绿色光的荧光材料形成荧光体陶瓷片6来得到发出绿色光的发光装置1，可以将发出黄色光的荧光材料与发出红色光的荧光材料组合来得到发出接近白炽灯颜色的光的发光装置1。另外，在壳体4上，根据需要，可以以被覆荧光体陶瓷片6的方式设置大致半球形 (大致圆顶形)的透镜10。透镜10例如由有机硅树脂等透明树脂形成。对于制作发光装置1，首先，在电路基板2上设置壳体4。接着，在壳体4内设置发光二极管3，用引线9将发光二极管3与电路基板2电连接。接着，根据需要用密封材料将壳体4内填满，借助于粘接剂层5在壳体4上设置荧光体陶瓷片6。对于在壳体4上设置粘接剂层5，可以以上述厚度和/或涂粘接剂部分宽度在壳体 4的上端面涂布上述粘接剂。
此时，粘接剂层5可以设置于壳体4的整个上端面，也可以设置于壳体4的一部分上端面(内周附近、外周附近或中央部)。另外，对于设置粘接剂层5，也可以如下进行首先，将粘接剂涂布于荧光体陶瓷片6的整个表面，此后，将涂布有粘接剂的荧光体陶瓷片6与壳体4 (和密封材料)接合。接着，在荧光体陶瓷片6上，根据需要借助于粘接剂来设置透镜10，完成发光装置 1的制作。此外，在基底基板7的背面，根据需要，设置散热装置(未图示)。根据该发光装置1，荧光体陶瓷片6借助于涂粘接剂部分宽度主要为0. 3mm以上、 厚度为200 μ m以下的粘接剂层5粘接在壳体4上。因此，可以减小从荧光体陶瓷片6经由粘接剂层5到达壳体4的热的传导距离 (即，粘接剂层5的厚度)，另外，可以确保从荧光体陶瓷片6经由粘接剂层5到达壳体4的热的传导通路的宽度(即，粘接剂层5的涂粘接剂部分宽度)。因此，可以有效地将来自荧光体陶瓷片6的热传给壳体4，借助于壳体4来散热。结果，可以提高荧光体陶瓷片6的散热性，且可以抑制荧光体陶瓷片6的发光效率降低。此外，在上述实施方式中，示出了具有一个发光二极管3的发光装置1，但对发光装置1所具有的发光二极管3的数量没有特别限定，也可以将发光装置1形成为例如将多个发光二极管3以平面(二维)或直线(一维)方式排列而成的阵列状。另外，对壳体4的形状没有特别限定，例如可以形成为大致矩形框状、大致圆形框状等。另外，在上述实施方式中，在荧光体陶瓷片6上设置了半球状的透镜10，而例如也可以设置微透镜阵列片、漫射片等代替透镜10。该发光装置1可适宜地作为例如大型液晶屏幕的背光灯、各种照明设备、汽车的前灯、广告牌、数码相机用闪光灯等需要高辉度、高输出的功率LED光源使用。实施例以下基于实施例和比较例来说明本发明，但本发明不受这些实施例等的任何限定。1.荧光体陶瓷片的制作(1)荧光材料颗粒的制作将14. 349g(0. 14985mol)硝酸钇六水合物、23. 45g(0. 25mol)硝酸铝九水合物、 0. 016g(0. 00015mol)硝酸铈六水合物溶解在250ml的蒸馏水中，制备0. 4M的前体溶液。使用双流体喷嘴以lOml/min的速度将该前体溶液喷雾到射频感应等离子体火焰中，使其热分解，从而得到前体颗粒。通过X射线衍射法分析所得前体颗粒的晶相，结果为无定形与YAP (钇 铝·钙钛矿，YAW3)晶体的混合相。另外，所得前体颗粒的平均粒径(通过使用自动比表面积测定装置 (Micromeritics 公司制造，Gemini 2365 型)的 BET (Brunauer-Emmett-jTeller)法测定。) 为约75nm。接着，将所得前体颗粒投入氧化铝制的坩埚，用电炉在1200°C下预烧成2小时，得到荧光材料颗粒。所得荧光材料颗粒的晶相为YAG(钇 铝·石榴石)晶体的单一相。另外，所得荧光材料颗粒的平均粒径为约95nm。(2)荧光材料颗粒分散液的制备通过研钵混合4g所得荧光材料颗粒、0. 21g作为粘结剂树脂的PVB (poly (Vinyl butyral-co-vinyl alcohol-co-vinyl acetate, M (乙; 醇缩丁Sl _co_ 乙;I；希醇 _co_ 醋酸乙烯酯))、0. 012g作为烧结助剂的硅石粉末(Cabot Corporation公司制造)和IOml作为溶剂的甲醇。由此，制备分散有荧光材料颗粒的荧光材料颗粒分散液。(3)陶瓷坏体的制作用干燥机将所得荧光材料颗粒分散液干燥，得到粉末。将700mg该粉末填充到 20mmX 30mm的单轴压模中，通过用液压机以约IOkN加压，从而得到厚度约350 μ m的大致矩形的陶瓷坯体。(4)陶瓷坏体的饶成将所得陶瓷坯体在氧化铝制管状电炉中、空气中以2°C /min的升温速度加热至 800°C，实施分解除去粘结剂树脂等有机成分的脱粘结剂处理。此后，用旋转泵将氧化铝制管状电炉内真空排气，在1500°C下烧成5小时，从而得到荧光体陶瓷片。所得荧光体陶瓷片的厚度为约280 μ m。2.评价用发光二极管元件的制作实施例1在带有空腔的多层陶瓷基板(SumitomoMetal(SMI)Electronics Devices Inc.制造，产品编号207806，外部尺寸3. 5mmX2. 8mm，空腔长轴方向2. 68mm、短轴方向1. 98mm的大致椭圆形，壳体高度0. 6mm,壳体材质氧化铝，导热系数17Wm · K，反射率75%)的空腔内，用Au-Sn焊剂对蓝色发光二极管芯片(Cree，Inc.制造，产品编号 C450EZ1000-0123,980 μ mX980 μ mX 100 μ m)进行模片固定(die attacti)，用 Au 线从发光二极管芯片的电极引线接合到多层陶瓷基板的引线框上，由此制作安装了一个蓝色发光二极管芯片的发光二极管封装体。另外，根据多层陶瓷基板的外部尺寸将荧光体陶瓷片切割成3. 5mmX 2. 8mm的大小。接着，在多层陶瓷基板的壳体的上端面的内周附近涂布热固性的液态环氧树脂 (日东电工株式会社制造，产品编号NT8080)作为粘接剂，在其上载置荧光体陶瓷片。此后，在120°C下加热1分钟，进一步在135°C下加热4小时，使粘接剂固化来形成粘接剂层。由此，借助于粘接剂层将荧光体陶瓷片粘接在壳体上。由此，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度 (通过测微计测定。)。实施例2用凝胶状有机硅树脂(WACKER ASAHIKASEI SILIC0NEC0. , LTD.制造，商品名 WACKER SilGel 612)填充多层陶瓷基板的空腔内，在100°C下加热15分钟来使凝胶状有机硅树脂固化，除此以外，与实施例1同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。实施例3使用热固性有机硅弹性体树脂(Shin-Etsu Silicone Co.，Ltd.制造，产品编号 KER-2500)作为粘接剂，在100°C下加热1小时，进一步在150°C下加热1小时来使粘接剂固化，除此以外，与实施例1同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。实施例4除了将粘接剂层的厚度调整为如表1所示以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。实施例5除了将粘接剂层的厚度调整为如表1所示以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。实施例6在粘接剂中相对于粘接剂和钛酸钡颗粒的总量添加60质量％的钛酸钡颗粒 (Sakai Chemical Industry Co.，Ltd.制，产品编号BT_03，吸附比表面积值3. 7g/m2)作为填料，除此以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。比较例1除了将粘接剂层的厚度调整为如表1所示以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。比较例2除了将粘接剂层的厚度调整为如表1所示以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。比较例3除了将粘接剂层的厚度调整为如表1所示以外，与实施例6同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。比较例4将荧光体陶瓷片切割成2. 9mmX 2. 2mm的大小，将涂粘接剂部分宽度调整为如表1 所示，除此以外，与实施例3同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。此外，在壳体的整个上端面上形成粘接剂层，将荧光体陶瓷片载置在粘接剂层上， 以封闭长轴方向2. 68mm、短轴方向1. 98mm的大致椭圆形的空腔。而且，在沿上下方向投影时，将荧光体陶瓷片、粘接剂层和壳体重叠的部分作为涂粘接剂部分，使剩余部分的粘接剂
层露出O比较例5将荧光体陶瓷片切割成3. lmmX2. 4mm的大小，将涂粘接剂部分宽度调整为如表1 所示，除此以外，与比较例4同样进行，得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定。)。
比较例6代替粘接剂层，隔着厚度500 μ m的棉布将荧光体陶瓷片载置在壳体上，除此以外，与实施例1同样进行，得到发光二极管元件。比较例7在热固性有机硅弹性体中以相对于热固性有机硅弹性体与YAG荧光体粉末的总量为20质量％分散市售的YAG荧光体粉末(Phosphor Tech公司制造，产品编号BYW01A， 平均粒径9 μ m)，使用涂布器将所得溶液在PET薄膜上涂布为约200 μ m的厚度，在100°C 下加热1小时，在150°C下加热1小时，由此制作荧光体分散树脂片。而且，除了使用荧光体分散树脂片代替荧光体陶瓷片以外，与实施例3同样进行， 得到发光二极管元件。表1中记载了粘接剂层的涂粘接剂部分宽度和厚度(通过测微计测定° ) O参考例1和3与实施例1同样进行，仅准备发光二极管封装体。参考例2与实施例1同样地准备发光二极管封装体，向多层陶瓷基板的空腔内填充凝胶状有机硅树脂(WACKER ASAHIKASEISILICONE CO. , LTD.制造，商品名WACKER SilGel 612)， 以埋没蓝色发光二极管和Au线，在100°C下加热15分钟来使凝胶状有机硅树脂固化。接着，将荧光体陶瓷片切割成1. 5mmXl. 5mm的大小，载置在壳体内的蓝色发光二极管的正上方。3.荧光体陶瓷片表面的温度测定使用红外线摄像机(FLIR Systems公司制造，产品名dnfrared Camera A325)测定各实施例、各比较例和各参考例中得到的发光装置的发光二极管中通入IA的电流时的荧光体陶瓷片(各实施例、各比较例和参考例2、、壳体(参考例幻或蓝色发光二极管芯片 (参考例1)的温度。结果示于表1。表权利要求
1. 一种发光装置，其特征在于，其包括 由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在所述电路基板上，并且通过来自所述电路基板的电力来发光；壳体，其以包围所述发光二极管的方式设置在所述电路基板上，并且其上端部配置在比所述发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在所述壳体上沿所述壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为0. 3mm以上，厚度为200 μ m以下；以及荧光体陶瓷，其借助于所述粘接剂层粘接在所述壳体上。
全文摘要
一种发光装置，其包括由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在电路基板上，并且通过来自电路基板的电力来发光；壳体，其以包围发光二极管的方式设置在电路基板上，并且其上端部配置在比发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在壳体上沿壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为0.3mm以上，厚度为200μm以下；以及荧光体陶瓷，其借助于粘接剂层粘接在壳体上。
文档编号H01L33/64GK102376851SQ20111022617
公开日2012年3月14日 申请日期2011年8月8日 优先权日2010年8月11日
发明者中村年孝, 伊藤久贵, 大薮恭也, 藤井宏中 申请人:日东电工株式会社