专利名称：Igbt封装用模架盘的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种IGBT封装用模架盘，属于电力电子技术领域。
背景技术：
国际上IGBT作为一种主流器件，已经发展商业化的第五代，它的封装方式也已多样化，目前普遍采用的是高性能塑料外壳的模块结构，在这种封装的结构中，IGBT的芯片采用焊接的方法和导热不导电的BDC板焊接在一起，其他的引出端均采用键合方法和外接口相连，一个IGBT模块可以包含很多IGBT芯片，例如一个比较典型的3300V/1200A IGBT模块中就是有60块IGBT芯片和超过450根连线，这些并联的IGBT芯片固定在同一块陶瓷基板上以保证良好的绝缘和导热。但是这种结构存在以下缺点一、由于只有一面是导电电极，因此只能在有导电电极的那一面安装散热器，散热效果不够理想；二、这种封装结构的连线采用键合工艺，这增加了在大电流条件下造成器件损坏的可能；三、门极引出结构复杂，封装结构内的连线过多。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种IGBT封装用模架盘，可以实现双面散热，同时降低在大电流条件下对器件造成损坏的可能性，降低封装难度。本实用新型的目的是这样实现的一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体，在模架盘本体的下端面设置若干定置卡爪，在模架盘本体的下端面开有若干IGBT芯片定置腔，在模架盘本体的上端面开有电极组块定置腔，在电极组块定置腔的一侧开有同样高度的门极针定置腔，电极组块定置腔和门极针定置腔均与IGBT芯片定置腔相通。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型不仅可以实现多个IGBT芯片单元的集合组装，降低封装难度，而且可以实现IGBT芯片与阴阳电极之间的压接式封装，从根本上解决了芯片焊接式结构在大电流情况下损坏的可能性，另外由于电极组块定置腔内的电极组块和定置卡爪上的导热片与阴阳极电极相接触，可以实现双面制冷功能。
图1为本实用新型的结构示意图。图2为图1的俯视图。其中模架盘本体1、定置卡爪2、IGBT芯片定置腔3、电极组块定置腔4、门极针定置腔5。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体1，在所述模架盘本体1的下端面设置若干定置卡爪2，在所述模架盘本体1的下端面开有若干IGBT 芯片定置腔3，在所述模架盘本体1的上端面开有电极组块定置腔4，在所述电极组块定置腔4的一侧开有同样高度的门极针定置腔5，所述电极组块定置腔4和门极针定置腔5均与 IGBT芯片定置腔3相通。 具体操作方式将模架盘水平放置，在每个IGBT芯片定置腔中先装入IGBT芯片， 然后利用定置卡爪的弹性，嵌入下钼片，使下钼片与模架盘较紧密地接触，然后在每个电极组块定置腔中先装入钼片，再装入电极组块，在门极针定置腔中装入门极针，利用门极针的弹性使每个IGBT芯片上的门极与门极引出板相连接。
权利要求1. 一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体(1)，其特征在于在所述模架盘本体(1) 的下端面设置若干定置卡爪(2)，在所述模架盘本体(1)的下端面开有若干IGBT芯片定置腔(3)，在所述IGBT模架盘本体(1)的上端面开有电极组块定置腔(4)，在所述电极组块定置腔(4)的一侧开有同样高度的门极针定置腔(5)，所述电极组块定置腔(4)和门极针定置腔(5)均与IGBT芯片定置腔(3)相通。
专利摘要本实用新型涉及一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体(1)，其特征在于在所述模架盘本体(1)的下端面设置若干定置卡爪(2)，在所述模架盘本体(1)的下端面开有若干IGBT芯片定置腔(3)，在所述IGBT模架盘本体(1)的上端面开有电极组块定置腔(4)，在所述电极组块定置腔(4)的一侧开有同样高度的门极针定置腔(5)，所述电极组块定置腔(4)和门极针定置腔(5)均与IGBT芯片定置腔(3)相通。本实用新型既提高了IGBT工作时的散热效果，同时简化了封装结构。
文档编号H01L23/13GK202049938SQ20112014822
公开日2011年11月23日 申请日期2011年5月11日 优先权日2011年5月11日
发明者徐宏伟, 陈国贤, 陈蓓璐 申请人:江阴市赛英电子有限公司