专利名称：半导体引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及半导体引线框架。
背景技术：
电子产品已经深入社会生活的各个领域。随着电子技术、加工技术和大规模、超大规模集成电路的发展，电子元器件的散热问题渐渐凸现出来。电子元器件的工作温度范围一般是-5 65°C，超过这个范围，元器件性能将显着下降，并且不能稳定工作，因而影响系统运行的可靠性。单个半导体组件的温度升高10°C，系统的可靠性能降低50%。目前，电子元器件不仅在国防、军工，通讯等重要领域起着关键作用，而且在人民生活中也有广泛的应用，而这些领域中对系统稳定性的要求亦日益增高。所以电子元器件的散热问题却显得越来越重要了。引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP (QFJ)、SOD、SOT等，主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架包括用于焊接半导体芯片的位于引线框架中心区域的焊芯片区，以及布置于焊芯片区周围的管脚。在封装时，先将半导体芯片布置于焊芯片区，然后用环氧树脂塑封半导体芯片和引线框架。现在大量生产的i^or RiWxm制程的SOP类电子组件采用的是全包封设计，主要通过环氧树脂胶体散热，由于环氧树脂的胶体导热性能不佳(环氧树脂热传导率0. 94 W/mk)，在功率越来越大封装尺寸越来越小的需求下，SOP全包封的散热缺点越来越明显。
实用新型内容本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种半导体引线框架， 其具有更为优良的散热特性。本实用新型的目的通过以下技术措施实现。半导体引线框架，包括焊芯片区和管脚，所述管脚和焊芯片区连接有弯折段，所述管脚与焊芯片区平行。所述弯折段与所述管脚和焊芯片区的相交角度为60°。所述管脚与所述焊芯片区的落差为0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。优选的，还包括设置于所述焊芯片区外部的铝箔。优选的，还包括设置于所述焊芯片区外部的铜板。本实用新型的半导体引线框架以现有的封装设备为基础，在塑封后有暴露于环氧树脂塑封体外的散热板用于散热，大大改善了 SOP全包封散热不良的状况。
利用附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。图1 (a)是本实用新型的一个实施例的俯视结构图。图1 (b)是图1 (a)的B-B剖面图。图1 (c)是图1 (a)的A-A剖面图。图2是本实用新型的一个实施例的封装后的示意图。附图标记焊芯片区1，管脚2，弯折段3，散热板4。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步说明。实施例1本实施例的半导体引线框架如图1所示，包括焊芯片区1和管脚2，所述管脚2和焊芯片区1连接有弯折段3，所述管脚2与焊芯片区1平行。所述弯折段3与所述管脚2和焊芯片区1的相交角度为60°。所述管脚2与所述焊芯片区1的落差为0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。本实施例还包括设置于所述焊芯片区1外部的铝箔，如图2，封装后散热板4露出。本实施例以现有的封装设备为基础新设计一款引线框架，该款框架于Ribbon 制程的SOP功用完全相同(脚位和焊线的内引脚完全相同)，由于本设计的引线框架在塑封后有暴露于环氧树脂塑封体外的散热板用于散热。本实施例有8只管脚和Pad构成，其中上方四个管脚与I^ad(焊芯片区)相连接作为接地极，下方四个脚中有三只相连作为Source极供焊线和焊铝箔使用，另一独立脚作为 Gate 极供焊线用。Pad 和 Source & Gate 极的 Down set (落差)为 0. 0236+0. 0013/-0. 000 Inch。第二部分0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸的落差可以保证在封装后使散热板4露出且避免溢胶以利于电镀。为更好的避免溢胶需使I^ad Tilt为负值(逆时针方向)。实施例2本实施例参照图1 一 3，在实施例1的基础上，与实施例1不同的是，还包括设置于所述焊芯片区1外部的铜板。纯铜散热板热传导系数为^4W/mk，大大改善了 SOP全包封散热不良的状况。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.半导体引线框架，包括焊芯片区和管脚，其特征在于所述管脚和焊芯片区连接有弯折段，所述管脚与焊芯片区平行。
2.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于所述弯折段与所述管脚和焊芯片区的相交角度为60°。
3.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于所述管脚与所述焊芯片区的落差为 0. 0236+0. 0013/-0. 000 英寸。
4.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于还包括设置于所述焊芯片区外部的铝箔。
5.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于还包括设置于所述焊芯片区外部的铜板。
专利摘要半导体引线框架，包括焊芯片区和管脚，所述管脚和焊芯片区连接有弯折段，所述管脚与焊芯片区平行。所述弯折段与所述管脚和焊芯片区的相交角度为60°。所述管脚与所述焊芯片区的落差为0.0236+0.0013/-0.000英寸，还包括设置于所述焊芯片区外部的铝箔或铜板。本实用新型的半导体引线框架以现有的封装设备为基础，在塑封后有暴露于环氧树脂塑封体外的散热板用于散热，大大改善了SOP全包封散热不良的状况。
文档编号H01L23/495GK202189779SQ201120271059
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日
发明者席伍霞, 曹周, 陶少勇 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司