专利名称：判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序的制作方法
技术领域：
本发明涉及对聚焦环的更换时期进行判定的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。
背景技术：
在对基板上的膜进行蚀刻的等离子体处理装置中，为了提高形成在基板上的图案的面内均一性(蚀刻的均一性)，设置包围基板的聚焦环(例如，专利文献1、2)。聚焦环伴随着使用经过的时间，由于等离子体被蚀刻消耗，因此，形成在基板上的图案的面内均一性降低。因此，聚焦环对应着其使用时间需要定期更换。在先技术文献专利文献专利文献I :日本特开2008-78208号公报专利文献2 日本特开2003-229408号公报
发明内容
但是，聚焦环不是通过监视聚焦环的消耗度而进行更换的。因此，聚焦环存在如下情况，即在能够使用的状态下被更换，和尽管过度消耗但没有被更换。本发明是鉴于上述问题提出的。其目的在于提供一种准确并且迅速判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。本发明的判定方法，其在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法的特征在于，包括对所述图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述图案的形状或尺寸，对所述聚焦环的更换时期进行判定的判定工序。本发明的判定方法，对基板上的膜蚀刻而形成的图案的形状或尺寸进行测定。接着，基于测定的基板上的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用于提高图案的面内均一性。本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。本发明的判定方法，测定图案的多个位置中的形状或尺寸。接着，在与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大的情况下，判定为聚焦环的更换时期。本发明的判定方法的特征在于，与所述图案的形状相关的数据包括该图案的侧壁角度，与所述图案的尺寸相关的数据包括该图案中的线宽或线高。本发明的判定方法，与图案的形状相关的数据包括图案的侧壁角度。此外，与图案 的尺寸相关的数据包括图案中的线宽或线高。
本发明的判定方法的特征在于，所述聚焦环为在多种蚀刻处理中使用的部件。本发明的判定方法，聚焦环在多种蚀刻处理中使用。本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序通过散射测量法测定所述图案的形状或尺寸。本发明的控制方法的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板的周围的聚焦环的温度进行控制，用以提高该图案的面内均一性，包括设定所述聚焦环的温度的设定工序；测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；基于所测定的所述图案的形状或尺寸，对在所述设定工序设定的聚焦环的温度进行反馈控制的控制工序。本发明的控制方法，对配置在基板的周围的聚焦环的温度进行设定，用以提高 对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的面内均一性。接着，测定图案的形状或尺寸。基于所测定的图案的形状或尺寸，对设定的聚焦环的温度进行反馈控制。本发明的控制方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述控制工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。本发明的控制方法，测定图案的多个位置的形状或尺寸。接着，当与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏移比规定的阈值大时，对聚焦环的温度进行反馈控制。本发明的判定装置的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，包括测定所述图案的形状或尺寸的测定单元；基于该测定单元所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定单元。本发明的判定装置，测定对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的形状或尺寸。基于测定的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高图案的面内均一性。本发明的判定装置的特征在于，所述测定单元测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定单元，当所述测定单元所测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。本发明的图案形成系统的特征在于，包括图案形成装置和测定装置，所述图案形成装置具有对基板上的膜进行蚀刻形成图案的形成单元；用以提高该形成单元形成的图案的面内均一性而配置在所述基板的周围的聚焦环；和控制该聚焦环的温度的控制单元，所述测定装置具有测定所述图案的形状或尺寸的测定单元；将基于该测定单元所测定的图案的形状或尺寸的信息传递给所述图案形成装置的授予单元，所述图案形成装置具有接受所述授予单元授予的所述信息的接受单元，所述控制单元，基于所述接受单元所接受的所述信息，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。本发明的图案形成系统，包括对基板上的膜进行蚀刻形成图案的图案形成装置，和测定图案的形状或尺寸的测定装置。图案形成装置具有为了提高图案的面内均一性而配置在基板的周围的聚焦环和控制聚焦环的温度的控制单元。测定装置，将基于测定的图案的形状或尺寸的信息授予图案形成装置。图案形成装置，接受基于从测定装置授予的图案的形状或尺寸的信息。图案形成装置的控制单元，基于接受的图案的形状或尺寸的信息，对聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成系统的特征在于，所述测定单元测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述授予单元，当所述测定单元测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差大于规定的阈值时，将该偏差相关的信息传递给所述图案形成装置，所述接受单元接受所述偏差相关的信息，所述控制单元基于所述接受单元所接受的所述偏差相关的信息，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成系统，测定装置测定图案的多个位置的形状或尺寸。测定装置，当测定的图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，将该数据的偏差相关的信息传递给图案形成装置。图案形成装置，从测定装置接受该数据的偏差相关的信息。图案形成装置，基于接受的该数据的偏差相关的信息，对聚焦环的温度进行反馈控制。本发明的图案形成系统的特征在于，所述图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。本发明的图案形成系统，图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。本发明的程序的特征在于，在计算机上执行判定在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时为了提高该图案的面内均一性而在该基板周围配置的聚焦环的更换时期的处理的程序中，在计算机上执行如下处理从存储了所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸，计算出该读取的所述形状或尺寸相关的数据的偏差，在计算出的所述形状或尺寸相关的数据的偏差大于规定的阈值的情况下，判定为所述聚焦环的更换时期。本发明的程序，使判定在对基板上的膜进行蚀刻来形成图案时，用于提高该图案的面内均一性而配置于该基板周围的聚焦环的更换时期的处理在计算机上执行，所述处理如下所述从存储有所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸，计算出所读取的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差，当计算出的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。发明效果根据本发明的判定方法等，能够可靠并且迅速地判定聚焦环的更换时期。
图I为表示分光式椭圆偏振光谱仪的结构例的框图。图2为表示晶片面内的测定位置的布局的说明图。图3为表示模型的计算中使用的一部分参数的说明图。图4为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。图5为表不有关图案的SWA的测定结果的一例的说明图。图6为表不有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。图7为表示通知聚焦环的更换的处理顺序的流程图。图8为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。图9为表不基板处理系统的结构例的说明图。图10为表示计算机的结构例的框图。图11为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。
图12为表不有关图案的SWA的测定结果的一例的说明图。图13为表不有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。图14为表示控制聚焦环的温度的处理的顺序的流程图。
具体实施例方式针对本发明的实施方式，参照附图进行说明。本发明的判定装置(测定装置)，针对等离子体处理装置对晶片(基板)上的膜进行蚀刻而形成的图案(蚀刻图案)的面内均一性进行测定。这里所说的图案的面内均一性，是指例如有关图案的尺寸(⑶Critical Dimension)或形状的面内均一'丨生。判定装置，在测定的图案的面内均一性超过规定的阈值的情况下，判定等离子体处理装置具有的聚焦环的更换时期。
判定装置，通过散射测量(scatterometory)法测定图案的尺寸或形状。作为光波散射测量法的散射测量法，例如有分光椭圆偏振光谱法(Ellipsometry, SpectroscopicEllipsometry)、反射率测定法(Reflectometry, Spectroscopic Reflectometry)、偏振反射率测定法(Polarized Spectroscopic Reflectometry)等。以下，作为散射测量法的一例，说明利用分光椭圆偏振光谱法的判定装置。此外，本发明，不限于以下的实施方式。实施方式I分光椭圆偏振光谱仪(判定装置、测定装置)，设置于等离子体处理装置内部或等离子体处理装置外部。实施方式I中，说明了在等离子体处理装置的外部设置分光椭圆偏振光谱仪的例子。分光椭圆偏振光谱仪存在旋转检偏器(rotating analyzer)型、旋转补偿器型、相位调制器(phase modulator)型,利用任一种类型的分光椭圆偏振光谱仪均可。以下，以相位调制器型为例进行说明。图I为表不分光椭圆偏振光谱仪I的结构例的框图。分光椭圆偏振光谱仪I包括氣气灯11、光照射器12、工作台13、取光器14、分光器(测定单元)15、数据取入机16、电动机控制机17和计算机18。分光椭圆偏振光谱仪1，对载置于工作台13上的晶片W上的图案的尺寸和形状进行测定。图案，以光致抗蚀剂作为掩膜，对在晶片W上形成的膜进行蚀刻而形成。也可以在晶片W的正上方，叠层氧化硅膜(SiO2)等。并且，还可以在该氧化硅膜的上侧叠层非晶硅膜、多晶硅膜或氮化硅(Si3N4)膜等。分光椭圆偏振光谱仪1，向晶片W上照射偏振的光，并且取得在晶片W反射的光，测定反射光的偏振状态，基于测定结果和对应于晶片W上的图案的模式，分析晶片W上的图案的尺寸和形状。其中，晶片W以外，也可以使用化合物半导体基板、单层或多层的取向附生膜(epitaxial film)、绝缘体膜、蓝宝石基板(sapphire substrate)或玻璃基板等作为基板。分光椭圆偏振光谱仪I被概略地分为包括具备一对光照射器12和取光器14的测定器的测定分析系统的部分，和驱动系统的部分。分光椭圆偏振光谱仪1，作为测定分析系统的部分，通过第一光导纤维电缆Ia连接氙气灯11和光照射器12。分光椭圆偏振光谱仪1，向载置于工作台13上的晶片W照射偏振状态的光，并且，利用取光器14取得在晶片W反射的光。取光器14，经由第二光导纤维电缆Ib与分光器15连接。分光器15，对每个波长进行测定，将测定结果作为模拟信号传送到数据取入机16。数据取入机16，将模拟信号变换为所要值，传递到计算机18。计算机18进行图案的分析。其中，分光椭圆偏振光谱仪I的光照射器12和取光器14,以相对于晶片W的光的入射角度φ和反射角度φ成为规定的相同角度的方式固定。但是，光照射器12和取光器14，也可以维持对晶片W的光的入射角度φ和反射角度φ为相同角度的状态，并以变化入射角度φ和反射角度φ的方式进行移动。
分光椭圆偏振光谱仪1，作为驱动体系部分，在工作台13和分光器15上分别设置第一电动机Ml 第三电动机M3。分光椭圆偏振光谱仪I,以与计算机18连接的电动机控制机17对第一电动机Ml 第三电动机M3的驱动进行控制，对应于测定的适宜位置、姿势改变工作台13和分光器15。电动机控制机17，基于从计算机18输出的指示，进行对第一电动机Ml 第三电动机M3的驱动控制。氙气灯11为光源，产生包括多个波长成分的白色光，产生的白色光经由第一光导纤维电缆Ia送到光照射器12。光照射器12,在内部具有偏光器(polarizer) 12a,利用偏光器12a将白色光偏光,将偏光状态的光照射到晶片W。工作台13，在移动轨道部(未图示)以能够滑动的方式配置，通过第一电动机Ml和第二电动机M2的驱动，能够分别向图I中的X轴方向、y轴方向(与图I的纸面正交的方向)移动。通过工作台13的移动，光入射到工作台13上的晶片W上的位置适宜改变，进行晶片W的面分析。载置晶片W的工作台13的面，为了防止光的反射而被着色为黑色。在本实施方式中，举出工作台13在X轴方向和y轴方向移动的例子进行说明，但不限于此。例如，也可以固定工作台13，移动光照射器12和取光器14，在X轴方向和y轴方向移动照射位置。其他，也可以在X轴方向和y轴方向移动工作台13、光照射器12和取光器14。取光器14，取得在晶片W反射的光，测定取得的光的偏振状态。取光器14，内置有PEM(Photo Elastic Modulator :光弹性调制器)14a和检偏器14b。在晶片W反射的光，经由PEM14a导入检偏器14b。内置于取光器14的PEM14a，以所要的频率(例如50kHz)对取得的光进行相位调制，由此，从直线偏光得到椭圆偏光。此外，检偏器14b，从利用PEM14a进行了相位调制的各种偏光中选择性地取得偏光进行测定。分光器15,内置反射镜、衍射光栅(diffraction grating)、光电增幅器(PMT :光电增幅管)和控制单元等，从取光器14通过第二光导纤维电缆Ib输送的光在反射镜反射，导入衍射光栅。衍射光栅通过第三电动机M3改变角度,改变出射的光的波长。进入分光器15的内部的光在PMT被增幅，即使光量少的情况下，也使得测定的信号(光)稳定化。此夕卜，控制单元，对应于测定的波长产生模拟信号，输送到数据取入机16进行处理。数据取入机16,基于来自分光器15的信号,计算出每个波长的表不反射光的偏振状态(P偏光、s偏光)的振幅比Ψ和相位差Λ，将计算结果输入计算机18。振幅比Ψ和相位差△，相对于P偏光的振幅反射系数Rp和s偏光的振幅反射系数Rs，存在以下的数学式⑴的关系。Rp/Rs = tan Ψ · exp (i · Δ )(I)
其中，i为虚数单位(以下同样)。此外，Rp/Rs为偏光变化量P。计算机18,包括CPU (Central Processing Unit :中央处理器)(判定单兀)181、RAM (Random Access Memory :随机存取存储器)182、输入部183、显不部184、存储部185、磁盘驱动器186和通信部(授予单元)187。CPU181经由总线与计算机18的硬件各部连接。CPU181控制硬件各部，并且，依照存储于存储部185的各种程序，执行各种软件处理。RAM182，为半导体元件等，依照CPU181的指示，进行必要的信息的写入和读出。输入部183，为键盘和鼠标，或者触摸屏等的输入设备。显示部184为例如液晶显示器或有机EL(Electro Luminescence 电致发光)设备等。存储部185，例如为硬盘或大容量存储器，预先存储分析用的程序和工作台13的移动控制用的程序等的各种程序。存储部185，还存储其他、程序库1L、阈值和程序1P。程序库1L，为存储基于图案的 尺寸和形状等的参数预先算出的各种波长中的振幅比Ψ和相位差△的文档。计算机18，拟合在数据取入机16得到的偏振状态的振幅比Ψ和相位差△与在程序库IL存储的模型的振幅比Ψ和相位差Λ，对应于模型的振幅比ψ和相位差Λ，确定图案的尺寸和形状。阈值，为用于判定聚焦环更换的数值。程序1Ρ，在测定的有关图案的尺寸和形状的数值的偏差比阈值大的情况下，在显示部184显示有关聚焦环更换的通知。阈值，与对作为成果物的设备要求的精度有关，随着设备的种类、世代等改变。磁盘驱动器186,从作为外部存储介质的CD (Compact Disc :光盘)、DVD (DigitalVersatile Disc :数字式激光视盘)、BD (Blu_ray Disc :蓝光盘、注册商标)等的光盘Id读取信息，将信息存入光盘Id。通信部187，为与外部的计算机通信的接口。通信部187，也可以与LAN(Local AreaNetwork :局域网)、网络、电话线等连接。接着，说明分光椭圆偏振光谱仪I的动作。通过等离子体装置蚀刻的晶片W载置在分光椭圆偏振光谱仪I的工作台13。晶片W的直径,例如为300mm。构成图案的膜,例如为有机膜。有机膜，可以为多层，一部分的层例如可以包括Si。氙气灯11放射白色光。光照射器12，将氙气灯11照射的白色光变换为直线偏光，变换的直线偏光照射晶片W。取光器14，取得在晶片W反射的光，测定取得的光的偏振状态。分光器15，生成对应于取光器14测定的波长的模拟信号，送入数据取入机16。数据取入机16,基于来自分光器15的信号,计算每个波长的P偏光、s偏光的振幅比Ψ和相位差Δ，将计算的结果送入计算机18。计算机18，将测定值存储在存储部185。测定的波长的范围，例如为250nm 750nm。图2表示晶片W的面内的测定位置的布局的说明图。晶片W的表面划分为大约100个正方形区域，I个正方形区域的大致中央为I个测定位置。在某正方形区域的测定结束的情况下，分光椭圆偏振光谱仪I通过电动机控制机17的控制，在X轴方向或y轴方向移动工作台13，将直线偏光照射的测定位置改变为相邻的正方形区域。如图2中的箭头，测定位置被改变为例如X轴方向。测定位置达到晶片W的边缘或晶片W的外部的情况下，工作台13在y轴方向仅移动一个正方形的量，之后，测定位置再次从晶片W的一端向另一端，在X方向以I个正方形单位改变。
作为测定位置的正方形区域的大致中央部被改变为晶片W的外部(图2的X)的情况下，不进行测定。此外，测定位置为晶片W的边缘附近的情况下(例如，从晶片W的边缘向中心方向的I 2mm的区域)，不进行测定或不采用该测定值。在晶片W上全部的测定结束，测定数据存储在计算机18的存储部185的情况下，进行CPU181测定的振幅比Ψ和相位差Λ与程序库IL存储的振幅比Ψ和相位差Λ的拟合。程序库IL存储的振幅比V和相位差Λ对应的图案的尺寸和形状，在全部测定位置进行确定，存储在存储部185。图3为表示模型的计算 中使用的参数的一部分的说明图。图3表示晶片W和图案的截面。图案模型的计算中使用的参数，为T⑶(Top⑶)、B⑶(Bottom⑶)、Height (高度)、复折射率(complex refractive index)N、膜厚d。其中，复折射率N,使用预先测定的值。预先测定复折射率N的方法，可以为分光椭圆偏振光谱仪1，也可以为分光椭圆偏振光谱仪I以外的装置。T⑶和B⑶为构成图案的线宽。T⑶为线的上边尺寸，B⑶为线的底边尺寸。其中，MCD为T⑶与B⑶的平均。Height为通过蚀刻形成的线的高度或构成图案的槽的深度。从ΤΟ)、ΒΟ)和Height计算作为线的侧壁角的SWA (side wall angle)。在SWA的值为Θ的情况下，Θ为下述数学式(2)表示。
权利要求
1.ー种判定方法，其在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法的特征在于，包括 测定エ序，对所述图案的形状或尺寸进行測定；和 判定エ序，根据所測定的所述图案的形状或尺寸，对所述聚焦环的更换时期进行判定。
2.如权利要求I所述的判定方法，其特征在干 所述测定エ序測定所述图案的多个位置的形状或尺寸， 所述判定エ序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
3.如权利要求2所述的判定方法，其特征在于 与所述图案的形状相关的数据包括该图案的侧壁角度， 与所述图案的尺寸相关的数据包括该图案中的线宽或线高。
4.如权利要求I 3中的任一项所述的判定方法，其特征在于 所述聚焦环为在多种蚀刻处理中使用的部件。
5.如权利要求I 4中的任一项所述的判定方法,其特征在于 所述测定エ序通过散射測量法測定所述图案的形状或尺寸。
6.—种控制方法,其特征在于 在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板的周围的聚焦环的温度进行控制，用以提高该图案的面内均一性，包括 设定エ序，对所述聚焦环的温度进行设定； 测定エ序，对所述图案的形状或尺寸进行測定；和 控制エ序，根据所測定的所述图案的形状或尺寸，对在所述设定エ序设定的聚焦环的温度进行反馈控制。
7.如权利要求6所述的控制方法，其特征在干 所述测定エ序对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行測定， 所述控制エ序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
8.ー种判定装置，其特征在干 在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，包括 测定单元，对所述图案的形状或尺寸进行測定；和 判定単元，根据该测定单元所測定的所述图案的形状或尺寸，对所述聚焦环的更换时期进行判定。
9.如权利要求8所述的判定装置，其特征在干 所述测定单元对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行測定， 所述判定単元，当与所述测定単元所測定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
10.一种图案形成系统，其特征在于包括图案形成装置和測定装置，其中， 所述图案形成装置具有 形成単元，对基板上的膜进行蚀刻来形成图案；聚焦环，用以提高该形成単元所形成的图案的面内均一性而配置在所述基板的周围；和 控制单元，对该聚焦环的温度进行控制， 所述測定装置具有 测定单元，对所述图案的形状或尺寸进行測定；和 授予单元，将基于该测定単元所測定的图案的形状或尺寸的信息授予所述图案形成装置， 所述图案形成装置在具有接受所述授予単元所授予的所述信息的接受単元的图案形成系统中， 使所述控制単元根据所述接受単元所接受的所述信息对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
11.如权利要求10所述的图案形成系统，其特征在于 所述测定单元对所述图案的多个位置的形状或尺寸进行測定， 所述授予単元，当与所述测定単元所測定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，将与该偏差相关的信息提供给所述图案形成装置， 所述接受単元接受与所述偏差相关的信息， 所述控制単元，根据所述接受単元所接受的与所述偏差相关的信息，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
12.如权利要求10或11所述的图案形成系统，其特征在于 所述图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。
13.ー种程序，其特征在于使判定在对基板上的膜进行蚀刻来形成图案时，用于提高该图案的面内均一性而配置于该基板周围的聚焦环的更换时期的处理在计算机上执行，所述处理如下所述 从存储有所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸， 计算出所读取的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差， 当计算出的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
全文摘要
本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法包括测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；和基于所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定工序。
文档编号H01L21/66GK102709208SQ20121008633
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月28日 优先权日2011年3月28日
发明者泽井和夫, 田中圭介, 长畑寿 申请人:东京毅力科创株式会社