专利名称：一种双芯片玻封二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及二极管的生产制造领域，具体涉及一种双芯片玻封二极管。
背景技术：
传统结构的二极管仅具有一个芯片，玻壳两端内部各插设一个杜镁丝电极，玻壳内装有嵌在两杜镁丝电极之间的 芯片，每个杜镁丝电极上焊接一条电极引线。这种传统结构的二极管不利于优化线路板空间尺寸。
发明内容
本发明目的是为了解决上述问题，提供一种可优化线路板空间的双芯片玻封二极管。本发明的技术方案是本发明的双芯片玻封二极管，包括
同轴布置的上玻壳和下玻壳，
位于上玻壳中的上芯片，
位于下玻壳中的下芯片，
位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极，
位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极，
以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块；
其中，上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线，下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线，杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内，且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间，下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。本发明的优点是
I、本发明的二极管在使用时，可将杜镁丝块和上电极引线接入外界电路，构成一个电路独立工作；还可将杜镁丝块和下电极弓I线接入外界电路，构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能，便于优化线路板空间。2、本发明二极管在制作时，上下两个玻壳同时高温焊接，可以使四个焊点减少为三个，节省焊接成本，同时较少能源浪费。
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述
图I为本发明实施例的结构示意 其中I-上玻壳，2-下玻壳，3-上芯片，4-下芯片，5-上杜镁丝电极，6-下杜镁丝电极，7-杜镁丝块，8-上电极引线，9-下电极引线。
具体实施方式
如图I所示，本实施例的二极管包括
同轴布置的上玻壳I和下玻壳2,
位于上玻壳I中的上芯片3，
位于下玻壳2中的下芯片4，
位于上玻壳I上端内部的上杜镁丝电极5，
位于下玻壳2下端内部的下杜镁丝电极6，
以及位于上、下玻壳1、2之间的杜镁丝块3 ； 其中，上杜镁丝电极5上焊接有伸出上玻壳I外的上电极引线8，下杜镁丝电极6上焊接有伸出下玻壳2外的下电极引线9，杜镁丝块7的上部和下部分别插设在上玻壳I和下玻壳2内，且杜镁丝块7的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片3嵌在杜镁丝块7与上杜镁丝电极5之间，下芯片4嵌在杜镁丝块7与下杜镁丝电极6之间。本实施例的二极管在使用时，可将杜镁丝块7和上电极弓I线8接入外界电路，构成一个电路独立工作；同时也可将杜镁丝块7和下电极弓I线9接入外界电路，构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能，便于优化线路板空间。当然，上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让人们能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种双芯片玻封二极管，其特征在于它包括 同轴布置的上玻壳(I)和下玻壳(2), 位于上玻壳(I)中的上芯片(3), 位于下玻壳(2)中的下芯片(4)， 位于上玻壳(I)上端内部的上杜镁丝电极(5)， 位于下玻壳(2)下端内部的下杜镁丝电极(6)， 以及位于上、下玻壳(1、2)之间的杜镁丝块(7)； 其中，上杜镁丝电极(5 )上焊接有伸出上玻壳(I)外的上电极引线(8 )，下杜镁丝电极(6)上焊接有伸出下玻壳(2)外的下电极引线(9)，杜镁丝块(7)的上部和下部分别插设在上玻壳(I)和下玻壳(2)内，且杜镁丝块(7)的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部,上芯片(3)嵌在杜镁丝块(7)与上杜镁丝电极(5)之间，下芯片(4)嵌在杜镁丝块(7)与下杜镁丝电极(6)之间。
全文摘要
本发明公开了一种双芯片玻封二极管，它包括同轴布置的上玻壳和下玻壳，位于上玻壳中的上芯片，位于下玻壳中的下芯片，位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极，位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极，以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块；其中，上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线，下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线，杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内，且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间，下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。本发明的双芯片玻封二极管成本低廉，有利于优化线路板空间。
文档编号H01L23/488GK102881683SQ20121036787
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者王俭 申请人:苏州群鑫电子有限公司