自对准三重图形的形成方法
【专利摘要】一种自对准三重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层表面具有分立的第一牺牲层；在待刻蚀层表面以及第一牺牲层的侧壁和顶部形成第二牺牲薄膜、以及第二牺牲薄膜表面的第一侧墙层；平坦化第二牺牲薄膜和第一侧墙层，直至暴露出第一牺牲层的顶部表面，第一侧墙层形成第一侧墙，第二牺牲薄膜形成第二牺牲层，第二牺牲层和第一侧墙的顶部表面与第一牺牲层的顶部表面齐平；在平坦化工艺之后，去除第一牺牲层；去除第一牺牲层之后，在第二牺牲层和第一侧墙两侧的待刻蚀层表面形成第二侧墙；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，干法刻蚀第二牺牲层，直至暴露出待刻蚀层表面为止。所形成的自对准三重图形的尺寸较小，且形成工艺简单。
【专利说明】自对准三重图形的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种自对准三重图形的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的不断进步，半导体器件的工艺节点正不断减小。然而，由于受到现有的光刻工艺精度的限制，以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小特征尺寸的需求，遏制了半导体技术的发展。
[0003]为了在现有的光刻工艺的基础上，能够进一步缩小半导体器件的尺寸，现有技术提出了一种双重图形化工艺。其中，尤其以自对准双重图形化(Self-Aligned DoublePatterning, SADP)工艺因其工艺简单而被广泛应用。
[0004]图1至图4是现有技术的以自对准双重图化工艺形成掩膜，并进行刻蚀过程的剖面结构示意图，包括:
[0005]请参考图1，提供待刻蚀层100，所述待刻蚀层100表面具有牺牲层101，所述牺牲层101采用现有的光刻工艺形成。
[0006]请参考图2，在所述牺牲层101两侧的待刻蚀层100表面形成掩膜侧墙103。
[0007]请参考图3，形成掩膜侧墙103后，去除所述牺牲层101 (如图2所示)。
[0008]请参考图4，去除牺牲层101 (如图2所示)后，以所述掩膜侧墙103为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层100，形成沟槽。
[0009]然而，以现有技术的自对准双重图化工艺形成的掩膜，其尺寸仍然受到限制，无法
进一步减小。
[0010]更多双重图形化工艺请参考
【发明者】隋运奇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司