自对准双图形的形成方法
【专利摘要】一种自对准双图形的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲层、以及所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层的材料为绝缘材料；在所述待刻蚀层、牺牲层和掩膜层表面形成侧墙层，所述侧墙层包括第一子侧墙层、第一子侧墙层表面的第二子侧墙层、以及第二子侧墙层表面的第三子侧墙层，所述第二子侧墙层的材料为多晶硅，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料相同；回刻蚀所述侧墙层直至暴露出掩膜层表面为止，在所述牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述牺牲层。以所形成的自对准双图形为掩膜刻蚀形成的图形精确，特征尺寸同一。
【专利说明】自对准双图形的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种自对准双图形的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的不断进步，半导体器件的工艺节点正不断减小。然而，由于受到现有的光刻工艺精度的限制，以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小特征尺寸的需求，遏制了半导体技术的发展。
[0003]为了在现有的光刻工艺的基础上，能够进一步缩小半导体器件的尺寸，现有技术提出了一种双重图形化工艺。其中，尤其以自对准双重图形化(Self-Aligned DoublePatterning, SADP)工艺因其工艺简单而被广泛应用。图1至图4是现有技术的以自对准双重图化工艺形成掩膜，并进行刻蚀过程的剖面结构示意图，包括:
[0004]请参考图1，提供待刻蚀层100，所述待刻蚀层100表面具有牺牲层101，所述牺牲层101采用现有的光刻工艺形成。
[0005]请参考图2，在所述牺牲层101两侧的待刻蚀层100表面形成掩膜侧墙103。
[0006]请参考图3，形成掩膜侧墙103后，去除所述牺牲层101 (如图2所示)。
[0007]请参考图4，去除牺牲层101 (如图2所示)后，以所述掩膜侧墙103为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层100，形成沟槽。
[0008]然而，以现有的自对准双重图化工艺形成掩膜，并进行刻蚀后，刻蚀所得的图形形貌不良，使所形成的半导体器件的性能不稳定。
[0009]更多双重图形化工艺请参考
【发明者】隋运奇, 何其旸 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司