一种图形自对准形成方法
【专利摘要】本发明提供了一种图形自对准形成方法，包括：在衬底上布置掩模层；进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；在该第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；在该侧墙形成的基础上沉积一层二氧化硅作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；通过湿法刻蚀去除二氧化硅，留下氮化硅和掩模层；执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下氮化硅形成的侧墙；利用氮化硅作为刻蚀掩模进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
【专利说明】一种图形自对准形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种图形自对准形成方法。【背景技术】
[0002]超大规模集成电路的特征尺寸按照摩尔定律的发展，已经发展到20纳米及以下的特征尺寸，以便在更小面积上增加半导体器件的容量并降低成本，形成具有更好的性能，更低的功耗的半导体器件。每个器件的特征尺寸的收缩需要更复杂的技术。
[0003]光刻法是常用的将器件及电路图案转移到衬底上的方法，线的宽度和间距是光刻工艺中最为关键的两个参数。间距被定义为两个相邻线的相同点之间的距离。由于各种因素，如光学和光的波长等物理限制，现有的光刻技术具有最小间距在20纳米以下已不能满足集成电路的需求，低于该特定光刻技术极限的特征尺寸的图形已不能通过现有的光刻技术形成。
[0004]因此，找到一种利用现有光刻技术同时又能满足特征尺寸需求的方法就非常重要。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够利用现有光刻技术同时又能满足特征尺寸需求的方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明的第一方面，提供了一种图形自对准形成方法，包括:第一步骤，用于在衬底上布置掩模层；第二步骤，用于进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层二氧化硅作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除二氧化硅，留下氮化硅和掩模层；第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的氮化硅以及氮化硅形成的侧墙；第七步骤，用于利用氮化硅作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
[0007]优选地，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。
[0008]优选地，共形层4的厚度在介于第一特征尺寸的90%和第一特征尺寸的110%之间。
[0009]优选地，在通过化学机械研磨对填充层进行平坦化时，在探测到掩模层时终止研磨。
[0010]根据本发明的第二方面，提供了一种图形自对准形成方法，包括:第一步骤，用于在衬底上布置掩模层；第二步骤，用于进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层第一薄膜材料，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层第二薄膜材料作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除第二薄膜材料，留下第一薄膜材料和掩模层；第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的第一薄膜材料以及第一薄膜材料形成的侧墙；第七步骤，用于利用第一薄膜材料作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
[0011]优选地，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。
[0012]优选地，在通过化学机械研磨对填充层进行平坦化时，在探测到掩模层时终止研磨。
[0013]根据本发明的第三方面，提供了一种图形自对准形成方法，包括:第一步骤，用于在多晶硅层上布置掩模层；第二步骤，用于进行光刻以使多晶硅层上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层第一薄膜材料，覆盖被第一图形暴露出来的多晶硅层表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层第二薄膜材料作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除第二薄膜材料，留下第一薄膜材料和掩模层；第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下多晶硅层表面的第一薄膜材料以及第一薄膜材料形成的侧墙；第七步骤，用于利用第一薄膜材料作为刻蚀掩模对多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅栅极，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0015]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的图形自对准形成方法的流程图。
[0016]图2至9示意性地示出了根据本发明优选实施例的图形自对准形成方法的各个步骤。
[0017]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0019]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的图形自对准形成方法的流程图。
[0020]具体地，如图1所示，根据本发明优选实施例的图形自对准形成方法包括依次执行下述步骤:
[0021]第一步骤SI，用于在衬底I上布置掩模层2，如图2所示；
[0022]第二步骤S2，用于例如利用掩模版进行光刻，以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形3，如图3所示；例如，第一特征尺寸形成在或接近用高分辨率的光掩模光刻系统的光学分辨率的极限尺寸；
[0023]第三步骤S3，用于在该第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层4，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙，如图4所示；优选地，共形层4的厚度在介于第一特征尺寸的约90%和第一特征尺寸的约110%之间。
[0024]第四步骤S4，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层二氧化硅作为填充层5(如图5所示)，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层2 (如图6所示)；优选地，可采用等离子体化学气相沉积(PECVD)或者原子层淀积(ALD)或者SACVD形成二氧化硅，特性是和氮化硅有较高的刻蚀选择比，厚度要求覆盖增个图形区域并尽量的平坦化；
[0025]而且，在通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，优选地对非晶碳进行终点探测，研磨到非晶碳终止研磨，最终使得非晶碳、二氧化硅和氮化硅在一条水平线上。
[0026]第五步骤S5，用于通过湿法刻蚀去除二氧化硅，留下氮化硅和掩模层(如图7所示)；其中，湿法刻蚀去除二氧化硅时尽量少的消耗氮化硅；
[0027]第六步骤S6，用于执行灰化工艺(例如，氧气灰化工艺)选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的氮化硅及氮化硅形成的侧墙(如图8所示)；此时，可以看出，衬底表面的氮化硅及氮化硅形成的侧墙共同形成了多个U型结构；
[0028]第七步骤S7，用于利用氮化硅(即，多个U型结构)作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形(如图9所示)。
[0029]由此，本发明可以形成例如仅为第一特征尺寸一半的第二特征尺寸的图形。通过采用本发明的上述方法可以将光刻的物理限制打破，得到更小尺寸的图形，满足20纳米及以下的集成电路工艺的图形转移需求。
[0030]而且，虽然以氮化硅和二氧化硅描述了本发明的原理，但是本领域技术人员可以想到采用其他材料来实现本发明。而且，上述衬底可以变为多晶硅层，以通过上述方法形成多晶硅栅极。
[0031]下面将具体描述根据本发明优选实施例的图形自对准形成方法的【具体实施方式】的示例。
[0032]首先，首先要提供一个形成图形的衬底，在集成电路加工领域，优选的衬底为硅片，硅片上可沉积氮化硅，多晶硅，二氧化硅等其它常用的半导体材料，掩模层优选的为非晶碳薄膜，非晶碳层的厚度根据所要刻蚀的衬底的深度决定，一般的为1.5-2:1。具体地，例如，可采用热氧化法在硅衬底上形成3到5纳米的二氧化硅层，在二氧化硅层采用LPCVD形成50-80纳米厚度的氮化硅层。
[0033]可以采用ALD (原子层淀积)形成氮化硅来覆盖掩模层，特性要求是有较高的台阶覆盖性，要求掩模侧壁上的氮化硅厚度和掩模顶部的氮化硅厚度比大于90%，要求有较低的刻蚀速率，特别是和硅或者多晶硅相比有较高的刻蚀选择比。
[0034]在氮化硅层上用PECVD的方法沉积50-200纳米厚度的非晶碳层，通过分解C2H2，形成非晶碳，工艺设定为:C2H2的流量为1500SCCm，温度为400C，缓冲气体He流量为300-1500sccm，射频为13.56Mhz功率为800-1200W，压强位10托；光刻并刻蚀非晶碳层形成具有第一特征尺寸的图形，本例的尺寸为80纳米；在上述图形上采用ALD的方法生长一层氮化硅层，厚度为14-30纳米，台阶覆盖率为100% ;在上述共形层上用在上述图形上采用原子层沉积(ALD)的方法形成二氧化硅覆盖层，工艺设定为:2Nte流量为lmgm，功率为2000-3000W，Ar的流量为1000-2000sCCm ;共形层的厚度为200纳米；采用化学机械研磨对上述薄膜进行研磨，依次研磨二氧化化硅覆盖层，氮化硅共形层，当探测到非晶碳牺牲层时研磨终止，此时三层薄膜在同一水平线上；采用湿法刻蚀去除二氧化硅，本例优选的为氢氟酸湿法刻蚀去除二氧化硅；采用氧气灰化工艺去除非晶碳牺牲层，工艺设定为:02的流量为500-1500SCCm，温度为200度，功率为300W ;以残留的氮化硅共形层为硬掩模对衬底进行干法刻蚀，形成浅沟槽，该沟槽的尺寸为共形层的厚度，约为14-30纳米。
[0035]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0036]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种图形自对准形成方法，其特征在于包括: 第一步骤，用于在衬底上布置掩模层； 第二步骤，用于进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙； 第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层二氧化硅作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层； 第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除二氧化硅，留下氮化硅和掩模层； 第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的氮化硅以及氮化硅形成的侧墙； 第七步骤，用于利用氮化硅作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
2.根据权利要求1所述的图形自对准形成方法，其特征在于，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。
3.根据权利要求1或2所述的图形自对准形成方法，其特征在于，共形层的厚度在介于第一特征尺寸的90%和第一特征尺寸的110%之间。
4.根据权利要求1或2所述的图形自对准形成方法，其特征在于，在通过化学机械研磨对填充层进行平坦化时，在探测到掩模层时终止研磨。
5.一种图形自对准形成方法，其特征在于包括: 第一步骤，用于在衬底上布置掩模层； 第二步骤，用于进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形； 第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层第一薄膜材料，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙； 第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层第二薄膜材料作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层； 第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除第二薄膜材料，留下第一薄膜材料和掩模层； 第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的第一薄膜材料以及第一薄膜材料形成的侧墙； 第七步骤，用于利用第一薄膜材料作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
6.根据权利要求5所述的图形自对准形成方法，其特征在于，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。
7.根据权利要求5或6所述的图形自对准形成方法，其特征在于，共形层的厚度在介于第一特征尺寸的90%和第一特征尺寸的110%之间。
8.一种图形自对准形成方法，其特征在于包括: 第一步骤，用于在多晶硅层上布置掩模层； 第二步骤，用于进行光刻以使多晶硅层上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形； 第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层第一薄膜材料，覆盖被第一图形暴露出来的多晶硅层表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙； 第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层第二薄膜材料作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层； 第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除第二薄膜材料，留下第一薄膜材料和掩模层； 第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下多晶硅层表面的第一薄膜材料以及第一薄膜材料形成的侧墙； 第七步骤，用于利用第一薄膜材料作为刻蚀掩模对多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅栅极，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。
9.根据权利要求8所述的图形自对准形成方法，其特征在于，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。
10.根据权利要求8或9所述的图形自对准形成方法，其特征在于，共形层的厚度在介于第一特征尺寸的 90%和第一特征尺寸的110%之间。
【文档编号】H01L21/033GK103943468SQ201410193142
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年5月8日 优先权日:2014年5月8日
【发明者】桑宁波, 雷通 申请人:上海华力微电子有限公司