专利名称：一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。
背景技术：
集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装(即AAQFN)是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。 无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。本发明采用的技术方案一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行；
第一步、减薄减薄厚度为50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O.1Oum O. 30um ；
第二步、划片150 μ m以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶上芯；
第四步、压焊；
第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封；
第六步、后固化；
第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第八步、刷磨、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。所述的步骤中第三步可采用胶膜片(DAF)代替粘片胶；所述的步骤中第四步、第五步、第六步、第九步均与常规AAQFN工艺相同。本发明的有益效果使用薄型框架，在生产流程中能够很大程度上的简化生产工艺，降低成本以及减少报废率，然后在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先刷磨后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，且此法易行，生产效率高。
图1引线框架剖面图；
图2上芯后广品首I]面 图3压焊后产品剖面 图4 一次塑封后产品剖面 图5框架背面蚀刻后产品剖面 图6刷磨刷绿漆后产品剖面图。图中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-塑封体、6-蚀刻凹槽。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，以方便技术人员理解。如图1-6所示采用本发明所述的方法用于单芯片封装，产品包括引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、塑封体5、蚀刻凹槽6 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连，键合线4直接从芯片3打到引线框架I上，引线框架I上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片3，芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4，塑封体5包围了引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、蚀刻凹槽6构成了电路的整体，塑封体5对芯片3的键合线4起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线4、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行
实施例1
第一步、减薄减薄厚度为100 μ m,粗糙度Ra O.1Oum ；
第二步、划片采用厚度为IOOym的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；
第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；
第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第八步、刷磨、刷绿漆；
第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例2
第一步、减薄减薄厚度为130 μ m,粗糙度Ra O. 20um ；第二步、划片采用厚度为130 μ m的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；
第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；
第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第八步、刷磨、刷绿漆； 第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例3
第一步、减薄减薄厚度为170 μ m,粗糙度Ra O. 30um ；
第二步、划片采用厚度为170 μ m的晶圆，同普通QFN划片工艺相同；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；
第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；
第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第八步、刷磨、刷绿漆；
第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。本发明通过具体实施过程进行说明的，在不脱离本发明范围的情况下，还可以对本发明专利进行各种变换及等同代替，因此，本发明专利不局限于所公开的具体实施过程，而应当包括落入本发明专利权利要求范围内的全部实施方案。
权利要求
1.一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，其特征在于具体按照以下步骤进行 第一步、减薄减薄厚度为50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O.1Oum O. 30um ；第二步、划片150 μ m以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯采用粘片胶上芯；第四步、压焊；第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封；第六步、后固化；第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、刷磨、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。
2.根据权利要求1所述的一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，其特征在于所述的步骤中第三步可采用胶膜片(DAF)代替粘片胶。
3.根据权利要求1所述的一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，其特征在于所述的步骤中第四步、第五步、第六步、第九步均与常规AAQFN工艺相同。
全文摘要
本发明涉及一种基于薄型框架的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明使用薄型框架，在生产流程中能够很大程度上的简化生产工艺，降低成本以及减少报废率，然后在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先刷磨后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，且此法易行，生产效率高。
文档编号H01L21/50GK103021884SQ201210527350
公开日2013年4月3日 申请日期2012年12月10日 优先权日2012年12月10日
发明者郭小伟, 刘建军, 崔梦, 李万霞, 魏海东 申请人:华天科技(西安)有限公司