专利名称：大功率led晶体的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED晶体，具体说是一种用于工矿、石油等行业的大功率LED晶体。
背景技术：
LED是一种半导体材料，与普通二极管一样具有PN结，由于高亮二极管的功率相对比较大，所以与功率半导体器件相同，目前国内使用的LED晶体是利用光学全反射与折射效果，对平面散射光进行一定程度的聚合，虽然相比普通灯管的亮度高，但是在某些特殊行业中，例如在石油、工矿行业中，其亮度效果还是不胜理想。
发明内容本实用新型为了克服现有技术的不足，提供了一种大功率LED晶体。为了实现上述目的，本实用新型设计了一种大功率LED晶体，其特征在于包括基材和以及位于基材上表面有数个三棱柱结构组成的晶体单元，所述三棱柱结构包括一个第一倾斜面和一个第二倾斜面组成的等腰三棱柱，并且每个等腰三棱柱的顶角为圆弧形；每个三棱柱结构与基材的上表面之间具有相同的垂直高度。所述晶体单元中，每两个相邻接的三棱柱结构之间具有相同的水平宽度，其间距为 30 50Mm。所述晶体单元中，每个三棱柱结构顶角圆弧半径为5 10Mm。所述晶体单元中，每个三棱柱结构与基材上表面的垂直高度为30 50Mm。本实用新型同现有技术相比，大大增强了 LED亮度，并且具有高光增益效果以及柔光效果，避免由光面光源产生光的不均匀性。
图I是本实用新型的结构示意图。图2是本实用新型的主视图。参见图I和图2,1为基材；2为三棱柱结构；3为第一倾斜面；4为第二倾斜面；5为圆弧。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步描述。如图I和图2所示，本实用新型包括基材I和以及位于基材上表面有数个三棱柱结构2组成的晶体单元，每两个相邻接的三棱柱结构之间具有相同的水平宽度，其间距为30 50Mm，每个三棱柱结构2与基材上表面具有相同的垂直高度，其高度为30 50Mm。三棱柱结构2包括一个第一倾斜面3和一个第二倾斜面4组成的等腰三棱柱，并且每个等腰三棱柱的顶角采用圆弧5过渡，圆弧半径为5 10Mm。[0014]本实用新型中，三棱柱结构2的第一倾斜面3及第二倾斜面4的至少一个为一弯曲延伸曲面，可形成规则的波浪状弯曲以产生曲率变化，进而得以至少在二维方向产生光线折射，以便产生良好的聚光现象，并且具有节能的作用，同现有技术相比，大大增强了 LED晶体的亮度，避免由光面光源产生光的不均匀性。权利要求1.一种大功率LED晶体，其特征在于包括基材和以及位于基材上表面有数个三棱柱结构组成的晶体单元，所述三棱柱结构包括一个第一倾斜面和一个第二倾斜面组成的等腰三棱柱，并且每个等腰三棱柱的顶角为圆弧形；每个三棱柱结构与基材的上表面之间具有相同的垂直高度。
2.根据权利要求I所述的大功率LED晶体，其特征在于所述晶体单元中，每两个相邻接的三棱柱结构之间具有相同的水平宽度，其间距为30 50Mm。
3.根据权利要求I所述的大功率LED晶体，其特征在于所述晶体单元中，每个三棱柱结构顶角圆弧半径为5 10Mm。
4.根据权利要求I所述的大功率LED晶体，其特征在于所述晶体单元中，每个三棱柱结构与基材上表面的垂直高度为30 50Mm。
专利摘要本实用新型涉及一种LED晶体，具体说是一种用于工矿、石油等行业的大功率LED晶体，其特征在于包括基材和以及位于基材上表面有数个三棱柱结构组成的晶体单元，所述三棱柱结构包括一个第一倾斜面和一个第二倾斜面组成的等腰三棱柱，并且每个等腰三棱柱的顶角为圆弧形；每个三棱柱结构与基材的上表面之间具有相同的垂直高度。本实用新型同现有技术相比，大大增强了LED亮度，并且具有高光增益效果以及柔光效果，避免由光面光源产生光的不均匀性。
文档编号H01L33/20GK202474013SQ20122009542
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月14日 优先权日2012年3月14日
发明者任卫东, 孙敬玺 申请人:上海度肯光电科技有限公司