专利名称：一种大功率小型封装功率晶体管的制作方法
技术领域：
一种大功率小型封装功率晶体管
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，更具体地说，涉及一种大功率小型封装功率晶体管。
背景技术：
目前，近十几年，电子技术的发展速度是十分迅猛，其中的电子元器件外形体积越来越小，也越来越精致。电子元器件的小、薄、轻量化其实就是随桌面个人计算机、手提电脑和移动通信等电子设备的小型化和多功能化发展需求而被逐步推进的。所以，长期以来，对于能够输送低电压大电流、低损耗且占用安装面积小、散热性好等的小型化电子元器件就特别受关注。市面上的晶体管封装结构过于复杂，总体结构不够紧凑，在同样的密封效果下封装成本过高，且一般晶体管使用有孔散热片引线框架，同等价格对比散热效果不显著，最终影响晶体管使用寿命，而采用更好的又成本过高。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种大功率小型封装功率晶体管，采用无孔散热片引线框架，封装成本低、密封性能好、在保证电路功能的同时又保证了大功率晶体管本身具有良好的散热能力。本实用新型的技术方案如下所述:一种大功率小型封装功率晶体管，包括芯片、特殊无孔式引线框架、高导热环氧树脂层，其特征在于:高导热环氧树脂层固化在特殊无孔式引线框架上，芯片封装在高导热环氧树脂层内，特殊无孔式引线框架上设有提高晶体管散热能力的无孔式散热片，背面两边分别设计了确保密封性能的密封凹槽，下方设有供外插的引脚，引线连接芯片和引脚。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述环氧树脂选用高导热率环氧树月旨，所述的特殊无孔式引线框架的厚度为380±20微米。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述的特殊无孔式引线框架上装有提高晶体管散热能力无孔式散热片，且两边均设计了密封凹槽，确保晶体管密封性能更好。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述密封凹槽为半圆弧状，半径为1.75±0.I 厘米。根据上述结构的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型结构紧凑、封装成本低、密封性能好、散热好。
附图1为本实用新型的结构示意图；在附图中，1、芯片；2、 特殊无孔式引线框架；3、高导热环氧树脂层；4、引线；5、弓I脚；6、密封凹槽。
具体实施方式
以下结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:如附图1所示，一种大功率小型封装功率晶体管，包括1、芯片，2、特殊无孔式引线框架，3、高导热环氧树脂层，4、引线，5、引脚，6、密封凹槽，其特征在于，高导热环氧树脂层3固化在特殊无孔式引线框架2上，芯片I封装在高导热环氧树脂层3内，特殊无孔式引线框架2上设有提高晶体管散热能力的的散热片，背面两边分别设计了确保密封性能的密封凹槽6，下方设有供外插的引脚5，引线4连接芯片和引脚5。所述的特殊无孔式引线框架2，其散热片是无孔式散热片，增大了散热面积，以满足大功率小型封装功率晶体管的散热条件，其背部两边均设计了密封凹槽6是为了确保晶体管密封性能更好。所述密封凹槽6为半圆弧状，半径为1.75±0.1厘米。所述高导热环氧树脂层3采用导热系数大于或等于1.0E-4cal/cm.se.°C的环氧树脂，所述的特殊无孔式引线框 2架厚度为380±20微米，所述的特殊无孔式引线框架宽度为650±20微米。
权利要求1.一种大功率小型封装功率晶体管，包括芯片、特殊无孔式引线框架、高导热环氧树脂层，其特征在于:高导热环氧树脂层固化在特殊无孔式引线框架上，芯片封装在高导热环氧树脂层内，特殊无孔式引线框架上设有提高晶体管散热能力的的无孔式散热片，背面两边分别向内开设了确保密封性能的密封凹槽，下方设有供外插的引脚，引线连接芯片和引脚。
2.根据权利要求1所述的一种大功率小型封装功率晶体管，其特征在于:所述的特殊无孔式引线框架厚度为380±20微米。
3.根据权利要求1所述的一种大功率小型封装功率晶体管，其特征在于:所述密封凹槽横截面为半圆弧状，半径为175±10微米。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率小型封装功率晶体管，包括芯片、特殊无孔式引线框架、高导热环氧树脂层。所述高导热环氧树脂层固化在特殊无孔式引线框架上，芯片封装在高导热环氧树脂层内，特殊无孔式引线框架上设有提高晶体管散热能力的无孔式散热片，背面两边分别向内开设了确保密封性能的密封凹槽，下方设有供外插的引脚，引线连接芯片和引脚；所述高导热环氧树脂层选用导热系数不低于1.0E-4cal/cm.se.℃的环氧树脂，所述的特殊无孔式引线框架厚度为380±20微米，所述密封凹槽为半圆弧状，半径为1.75±0.1厘米。本实用新型结构紧凑、可封装大功率芯片、封装成本低、密封性能好、散热好。
文档编号H01L23/29GK202917479SQ201220471398
公开日2013年5月1日 申请日期2012年9月17日 优先权日2012年9月17日
发明者李稳, 周鹏 申请人:深圳市科瑞半导体有限公司