用于半导体整合的不敏感干法移除工艺的制作方法
【专利摘要】揭露沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率高于第一湿法蚀刻速率。方法可进一步包括用蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近1。
【专利说明】用于半导体整合的不敏感干法移除工艺
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]此申请是2012年9月 21 日提交的、题为“INSENSITIVE DRY REMOVAL PROCESS FORSEMICONDUCTOR INTEGRATION(用于半导体整合的不敏感干法移除工艺)”的美国专利申请N0.13 / 624，693的PCT申请，并且涉及并要求2011年9月26日提交的、题为“INSENSITIVEDRY REMOVAL PROCESS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATION(用于半导体整合的不敏感干法移除工艺)”的美国临时专利申请N0.61 / 539,270号的权益，上述两个申请出于所有目的通过整体引用结合于此。
[0003]背景
[0004]半导体处理通常包括多个不同的制造步骤。在当前技术下，可例行地在纳米尺寸上形成电路部件且需要敏感性制造技术。举例而言，在替换式金属栅极(“RMG”或“后栅极(gate last)”)处理中，可能需要在基板上的非牺牲材料的存在的情况下移除位于沟槽中或位于半导体基板上的另一特征结构中的牺牲材料。用于移除第一材料的蚀刻技术可能将第一材料与第二材料两者暴露于蚀刻剂，蚀刻剂可能会移除牺牲材料与非牺牲材料两者。若在移除牺牲材料之前移除太多或所有的非牺牲材料，则可能会弄坏基板。
[0005]由于后栅极处理可包括在已经沉积非牺牲膜之后的牺牲材料移除，因此需要精细与受控制的蚀刻技术。虽然有多种蚀刻技术可用，但很少有蚀刻技术提供的移除可对位于半导体基板上的膜的类型与质量两者负责。举例而言，利用氟化氢溶液的湿法移除可用于多种类型的膜或氧化物移除。然而，这些溶液对已经沉积的材料的密度或质量敏感，且这些溶液可能会移除太多的非牺牲材料。在某些实施例中，湿法蚀刻将会以比较高质量的膜快高达40倍的速率移除较低质量的膜。若较低质量的膜是非牺牲的，则湿法蚀刻移除可能无法在移除太多(若非全部)的非牺牲层之前移除牺牲层。
[0006]因此，持续需要在非牺牲膜存在的情况下移除牺牲膜的技术与产物。本发明技术解决这些需求与其它需求。
[0007]简要概述
[0008]本发明技术提供从半导体基板的表面移除介电材料的方法，所述方法实质上对被移除的材料的质量不敏感。藉由应用在实质上相似速率下蚀刻氧化物的干法蚀刻剂气体的组合，可在较低膜质量的非牺牲膜存在的情况下移除较高膜质量的牺牲膜。
[0009]揭露沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率高于第一湿法蚀刻速率。方法可进一步包括用蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。
[0010]技术的实施例亦包括移除半导体基板的表面上的介电材料的方法。方法可被用于后栅极工艺，且方法可包括在基板上沉积第一介电材料以产生第一质量的介电层，第一质量的介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。亦可沉积第二介电材料，且第二介电材料在沉积之后最初可为可流动的。可固化第二介电材料以产生第二质量的第二介电层，第二质量的第二介电层具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率大于第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括用干法蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中用干法蚀刻剂气体混合物蚀刻的第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。
[0011]在后续描述中提出额外实施例与特征的部分，且本领域技术人员在查看本说明书后和/或藉由实施所揭露方法可得知额外实施例与特征结构的部分。可藉由本说明书中描述的仪器设备、组合和/或方法理解与达成所揭露工艺与方法的特征与优点。
[0012]附图简述
[0013]图1图示已经执行假栅极(dummy gate)移除工艺于基板上的基板的横剖面图。
[0014]图2图示根据揭露方法的蚀刻工艺的流程图。
[0015]图3图示根据揭露方法的蚀刻工艺的流程图。
[0016]图4图示已经在基板上执行根据本方法的蚀刻工艺的基板的横剖面图。
[0017]图5A图示湿法凹陷蚀刻工艺的TEM图像。
[0018]图5B图示已经在基板上执行根据揭露方法的蚀刻工艺的基板的TEM图像。
[0019]详细描述
[0020]描述在较低质量的非牺牲膜存在的情况下蚀刻较高质量的牺牲膜的方法。藉由利用实质上对被接受蚀刻的介电层的质量不敏感的干法蚀刻剂，可在第二质量的非牺牲膜存在的情况下移除第一质量的牺牲膜。
[0021]揭露沉积介电层与自半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率高于第一湿法蚀刻速率。方法可进一步包括用蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比起HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。
[0022]参照图1，图示已经在半导体基板上执行假栅极移除工艺的半导体基板的横剖面图。针对基板100，图示包括沟槽110的硅基板105。沉积第一介电层115以隔离硅基板105。可将电介质沉积成基板上的连续层。沉积假栅极120于第一介电层115上，接着藉由对假栅极与上有假栅极的电介质两者的蚀刻来形成岛或隔离栅极。电介质可为氧化物、氮化物或氮氧化物，且可藉由多种手段来沉积电介质。电介质沉积物可为热氧化物或HDP-CVD沉积的电介质或者介电沉积物替代地可为SACVD沉积的电介质。或者，可藉由提供用于绝缘目的的相对高质量氧化物的不同技术来沉积电介质。假栅极可为后续可移除的任何材料。举例而言，假栅极可为之后在替换式栅极的制备中移除的多晶硅或某些其它金属或氧化物。
[0023]在已经执行留下假栅极结构的蚀刻之后，基板140显示后续的制造工艺。可执行注入掺杂以在假栅极下的基板105中产生源极/漏极145。可沉积侧壁间隔物150以进一步分隔基板与已经形成的栅极。在一实施例中，间隔物可为氮化物，且可用共形生长(conformal growth)技术形成间隔物,或者可毪覆(blanket)沉积间隔物并接着蚀刻间隔物至确定厚度。可在侧壁间隔物150上形成第二介电层155，且第二介电层155可作为用于整合式无源器件缩放的夹层电介质。可藉由更可流动性段(诸如，可流动的CVD或旋涂玻璃)来沉积第二介电层，以提供较佳的缝隙填充特性。或者，可用HDP-CVD、SACVD或用其它沉积技术来沉积第二介电层155。
[0024]第二介电材料155可经蚀刻或接受化学机械平坦化处理，以减少材料低至暴露假栅极的水平。一旦已经暴露假栅极，举例而言可利用多晶硅选择性蚀刻来移除假栅极，多晶硅选择性蚀刻如图所示仅移除基板180中的多晶硅假栅极。一旦已经移除假栅极，可执行蚀刻技术以移除第一介电材料115。可用至少部分地维持第二介电材料155的方式移除第一介电材料115。在示例性基板上，第一介电材料115是较高质量热或HDP质量氧化物，而第二电介质155是较低质量的可流动电介质。因此，可应用移除较高质量氧化物同时维持较低质量氧化物的蚀刻技术。
[0025]参照图2，图2图示根据所揭露的方法的蚀刻工艺200，可在半导体基板上形成第一介电层210。举例而言,可在后栅极制造工艺中形成第一介电层，且第一介电层可用来产生保护层，保护层上可形成有其它材料。可藉由较不可流动或非可流动沉积技术来形成第一介电层，较不可流动或非可流动沉积技术可为热氧化物形成、HDP-CVD，或者可为SACVD (例如，HARP)或PECVD (诸如，等离子体增强TEOS与氧或TEOS与臭氧)。第一介电层可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可在基板上的沟槽中或在基板的表面上形成第一介电层。基板的进一步工艺可在第一介电层上以及第一介电层周围形成其它材料，以使得第一介电层位于基板表面上的特征内。如图1中所不，介电层可为第一介电层115。
[0026]HDP沉积产生具有第一质量的第一介电层。质量是用来从各个方面描述组成物的术语。氧化物的质量可以指密度、纯度、击穿时间(time to breakdown)等等。举例而言，比起较低质量的氧化物，较高质量的氧化物通常较密集且具有较高的击穿电压。比起可流动沉积技术而言，HDP沉积可产生较高质量的介电层或氧化物。藉由在通常具有射频能量的低压或甚至真空下激发反应剂气体来产生HDP膜，射频能量在基板表面附近产生等离子体。等离子体能量造成元素具高度反应性且等离子体能量产生高密度与高质量膜。在其它实施例中，可在基板上执行热工艺以产生第一介电层，其中藉由加热基板达高温来导致反应剂气体的化学反应，以引发膜的反应与形成。
[0027]在已经形成第一介电层之后，可执行中间步骤。举例而言，在替换式栅极工艺中，可在第一介电材料上形成作为假栅极的多晶硅或某些其它材料的层。可在间隔物形成之后执行假栅极与第一电介质的蚀刻，间隔物由例如氮化物之类的材料所制成且间隔物被置于假栅极之间。举例而言，可执行参照图1所述的工艺。
[0028]可在半导体基板上沉积第二介电层215。可藉由可流动沉积技术来产生第二介电层，举例而言，可流动沉积技术可为旋涂玻璃或可流动式CVD。可应用可流动式CVD来用介电材料覆盖所有先前形成的层。举例而言，在缩放以产生整合式无源器件时，可形成夹层电介质以将各个沉积的部件与部件的后续层分隔开。沉积的介电层可为实质上共形的。共形性指的是这样的沉积:产生在水平表面与垂直表面两者上具有均匀厚度的层，或阶梯覆盖(step converage)约等于 I。
[0029]可应用多种方法来沉积在沉积之后最初是可流动的介电层。举例而言，可应用可流动式CVD工艺，在可流动式CVD工艺中将硅前驱物引导至容纳基板的基板处理区。另一前驱物在通过远程等离子体区以产生自由基(radical)前驱物(例如，氮前驱物)之后被引入，自由基前驱物随后流入基板处理区并与硅前驱物组合。用此技术，含硅前驱物并不是通过在基板工艺区中施加等离子体功率来直接激励的。替代地，等离子体功率仅被施加来在基板处理区外激励自由基前驱物。此配置造成基板上含硅与氮层的可流动沉积。膜的流动性随着沉积进行而衰减，且可在固化操作过程中基本上移除流动性。
[0030]含硅前驱物可包含碳和/或氮以确保介电层形成期间的流动性。含硅前驱物可为无碳的含硅前驱物，无碳的含硅前驱物让介电层在固化工艺过程中经历较少的收缩。举例而言，无碳的硅前驱物可为硅-与-氮前驱物、硅-与-氢前驱物或含硅-氮-与氢前驱物，等等其它类型的娃前驱物。这些前驱物的特定实施例可包括娃胺(silyl-amine),娃胺诸如H2N(SiH3) ,HN(SiH3)2与N(SiH3) 3等等其它硅胺。这些硅胺可与附加气体混合，附加气体可作为载气、反应性气体或两者。这些附加气体的实例可包括H2、N2、NH3、He与Ar等其它气体。无碳的硅前驱物的实例亦可包括硅烷(SiH4)，硅烷(SiH4)可为单独的或与其它含硅气体(例如，N(SiH3)3)、含氢气体(例如，H2)和/或含氮气体(诸如，N2> NH3)混合。含娃前驱物亦可包括不具有碳或氮的硅化合物(诸如，硅烷、二硅烷等等)。若沉积的氧化物膜是掺杂的氧化物膜，则可使用掺杂剂前驱物，诸如TEB、TMB、B2H6、TEPO、PH3、P2H6与TMP等其它硼与磷掺杂剂。
[0031]可在自由基前驱物与含硅前驱物中的任一者或两者中包括氮。当氮存在于自由基前驱物中时，可将此前驱物称为氮自由基前驱物。氮自由基前驱物包括藉由在等离子体中激励更稳定的含氮前驱物产生的等离子体排出物。举例而言，可在腔室等离子体区或处理腔室外的远程等离子体系统(RPS)中激发包含NH3和/或肼(N2H4)的相对稳定含氮前驱物以形成氮自由基前驱物，接着将氮自由基前驱物传送至无等离子体的基板工艺区。在不同实施例中，稳定的氮前驱物亦可为包括NH3与N2的混合物、NH3与H2的混合物、NH3与N2与H2的混合物，以及N2与H2的混合物。在具有N2与H2的混合物中，肼亦可用来取代NH3或与NH3相结合应用。或者，稳定氮前驱物的流动速率大于或约为200sccm、大于或约为300sccm、大于或约为500sccm或者大于或约为700sccm。含氮前驱物亦可包括Ν20、Ν0、Ν02与ΝΗ40Η。
[0032]所产生的氮自由基前驱物可包括.N、.ΝΗ、.NH2等等中的一者或多者，且所产生的氮自由基前驱物亦可伴随有在等离子体中形成的离子化物种。或者，在处理腔室的一部分中产生氮自由基前驱物，所述工艺腔室的一部分与基板处理区隔开，基板处理区中前驱物混合与反应以在沉积基板(即，半导体晶圆)上沉积硅-与-氮层。可将分隔件结合到供应反应物至基板处理区的喷头中。氮自由基前驱物亦可伴随有载气(诸如，氩、氦等等)。可同时地输送氧(以O2和/或O3的形式)进入远程等离子体区，以调整氮自由基前驱物与用此技术沉积的介电层中的氧含量。或者，输送的氧可绕过远程等离子体区并直接流入基板处理区。
[0033]流动性可至少部分归因于沉积膜中的显著氢成分。举例而言，沉积膜可具有硅氮烷型S1-NH-Si骨架(即，S1-N-H膜)。流动性亦可源自硅氮烷型的短链聚合物。允许短链聚合物形成与流动性的氮可源自自由基前驱物或含硅前驱物。当硅前驱物与氮自由基前驱物两者是无碳时，所沉积的含硅-与-氮膜亦实质上是无碳的。当然，“无碳”并非必然地意谓膜缺少甚至微量的碳。碳污染物可能存在于进入所沉积的含硅-与-氮膜中的前驱物材料中。然而，这些碳杂质的数量远少于具有碳半族(carbon moiety)的娃前驱物(诸如，TEOS、TMDSO等等)中所发现的数量。[0034]可将第一介电层与第二介电层沉积成两者皆为可流动的或两者皆为非可流动的。或者，可藉由不同机制来沉积电介质(例如，第一电介质为非可流动的而第二电介质为可流动的)，但这些电介质可取决于所用的反应物而具有相似的介电质量。在其它实施例中，藉由相同的机制沉积第一电介质与第二电介质，但由于针对两个电介质应用不同的反应剂物种，所以第一电介质与第二电介质具有不同的质量。
[0035]在含硅膜的沉积过程中，可在将基板温度维持在相对低温度下时进行可流动膜生长。可在低温下在基板表面上沉积可流动氧化物膜，所述低温在沉积期间通过冷却基板来维持。基座可包括加热和/或冷却管道，加热和/或冷却管道在不同工艺中将基座与基板的温度设定在约-40°C与约1000°C之间、约100°C与约600°C之间、低于约500°C或在约400°C或更低温度下。
[0036]在第二介电层形成之后，可针对不同工艺执行中间步骤。举例而言，可执行化学机械平坦化(CMP)以移除过量的第二介电层。可执行CMP以暴露个别层，举例而言个别层包括先前已经沉积的多晶硅假栅极。此外，可执行多晶硅选择性湿法蚀刻工艺来移除先前已经沉积的假栅极。多晶硅选择性蚀刻指的是在其它材料存在的情况下优先移除多晶硅的蚀刻工艺。工艺可归因于与多晶硅材料发生而非与其它材料发生的化学反应，或者工艺可基于牺牲层或光刻胶层的额外形成，牺牲层或光刻胶层被沉积以保护其它材料免于多晶硅材料的蚀刻。可移除多晶硅材料或其它材料以暴露第一介电层，藉此允许暴露第一介电层与第二介电层两者。
[0037]在已经于基板上沉积可流动电介质与已经执行任何中间步骤之后，可在准备用于后续整合式无源器件制造步骤中执行蚀刻工艺以移除过量电介质。可应用干法蚀刻剂气体来蚀刻介电层220。蚀刻剂可移除第一介电层与第二介电层两者的一部分。蚀刻剂可包括含氟化合物，含氟化合物诸如三氟化氮、以及氨。蚀刻剂气体与介电层反应以产生固体副产物，固体副产物在基板的温度提升高于升华温度时升华，藉此移除过量的电介质。在流入工艺腔室之前，干法蚀刻剂气体可流过远程等离子体系统，干法蚀刻剂气体在进入反应区之前在远程等离子体系统中被自由基化(radicalize)。移除第一介电衬垫层与移除第二介电层的蚀刻速率比率可约为1: 2，或者在其它实施例中，可约为1: 1.5、1: 1.3,1: 1.2、I: 1.1、1: 1.05,1: 1.01或约1:1。当蚀刻速率比率等同于1:1时，在相同速率下移除第一介电层与第二介电层。
[0038]第一介电层可为基板上的薄保护层并且第一介电层可为牺牲的。可用蚀刻工艺完全移除或实质上移除第一介电层，以便制备用于后续工艺的基板，后续工艺举例而言可包括金属栅极沉积与分层。然而，第一介电层的蚀刻亦会暴露第二介电层至蚀刻剂气体。若第二介电层是夹层电介质，举例而言，第二层可为非牺牲的，且可试图第一介电层的移除过程中第二层的维持以保护层间免于掺杂剂或电荷扩散。可执行蚀刻一段时间，所述一段时间允许移除足够的介电材料以移除第一介电层，且所需的时间可取决于第一介电层的厚度。
[0039]第二介电层的厚度可约相同或大于第一介电层的厚度。此外，第二介电层可具有与第一介电层相比约相同或较高或较低的质量。若例如第二介电层的质量高于第一介电层的质量，则因为蚀刻会以比非牺牲第二介电层快的速率移除牺牲第一介电层，所以可使用更敏感或选择性蚀刻工艺。或者，若第二介电层的质量低于第一介电层的质量，则可使用对氧化物质量较不敏感或不敏感的蚀刻工艺。对氧化物质量实质上不敏感的蚀刻工艺能够在实质上相同的速率下移除不同质量的氧化物。
[0040]可执行采用干法蚀刻剂气体的蚀刻来移除低于约100埃的材料，以完全移除第一介电层。取决于第一介电层的厚度，蚀刻工艺可移除约75埃或更少的介电材料、约50埃或更少、约40埃或更少、约30埃或更少、约25埃或更少、约20埃或更少、约15埃或更少、约10埃或更少、约5埃或更少等等的介电材料。干法蚀刻剂气体可移除实质上所有或所有的第一介电层而不完全移除第二介电层。即便第二介电层的质量低于第一介电层的质量，仍可发生此移除。在移除第一介电层之后，可执行后续制造步骤(包括金属化与电路缩放)。
[0041]现参照图3，描述移除半导体基板的表面上的介电材料的方法300。方法可用于后栅极处理，且方法可包括沉积第一介电材料于基板上310,以产生第一质量的介电层,第一质量的介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。HF中的湿法蚀刻速率可与被沉积的材料的质量成比例。举例而言，与若介电层是较低质量相比，若介电层是高质量，则HF水溶液中的蚀刻速率将较低。第一介电层可为任何类型或质量的材料，且在一个示例中，第一介电层是藉由HDP CVD沉积的氧化物材料。或者，第一介电层可为可覆盖基板的氮化物或其它材料。第一介电层可为用来保护下方基板的薄层，且第一介电层的厚度可低于约50埃。在移除过程中，可在至少部分地维持第二材料层时移除第一介电层。可在第一介电层的移除过程中部分地移除第二介电材料，但可藉由特定移除工艺限制第二材料的移除的量。
[0042]在已经沉积第一介电材料之后，可发生额外的制造工艺，额外的制造工艺包括额外的层沉积或生长层、材料移除、材料掺杂等等。可执行后栅极工艺，其中在第一介电层上沉积多晶硅材料或某些其它材料的层315。后续蚀刻320会产生多晶硅岛或假栅极。在任何所标识的工艺(包括第一介电材料的沉积)之前或之后，可形成沟槽并用介电材料填充沟槽且可执行注入掺杂325。在夹层电介质的沉积之前，可在假栅极之间沉积氮化物或某些其它材料的侧壁间隔物。举例而言，间隔物可为氮化物，且可在夹层电介质的沉积之前蚀刻间隔物至确定厚度。
[0043]亦可沉积第二介电材料335，且第二介电材料在沉积之后最初可为可流动的。第二介电材料可填充于已经沉积的假栅极或间隔物之间与之上。藉由沉积第二介电材料以致第二介电材料在沉积之后最初为可流动的，流动性可有助于避免空隙、接缝或其它缺陷的发展。可藉由旋涂玻璃、可流动CVD或产生在沉积之后最初为可流动的介电材料的其它方法来执行可流动沉积。或者，可藉由可产生较高质量的电介质的非可流动技术来沉积第二介电材料。第二介电材料可为第二质量的氧化物、氮化物或其它材料，第二质量的氧化物、氮化物或其它材料具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，且此第二湿法蚀刻速率可大于第一湿法蚀刻速率。取决于第一介电材料与第二介电材料的膜质量，第二介电材料可具有第二湿法蚀刻速率，所述第二湿法蚀刻速率是第一湿法蚀刻速率的约两倍或更高，或者所述第二湿法蚀刻速率为第一湿法蚀刻速率的约四倍、约六倍、约八倍、约十倍、约十二倍、约二十倍、约三十倍或约四十倍或更多倍。
[0044]在沉积之后可固化第二介电材料340，以产生具有改进的膜质量的介电层。在多种实施例中，可在氧化环境(如蒸气)、惰性环境(例如，氮)或其它环境中执行固化。膜的流动性随着沉积进行而衰减，且在固化操作过程中本质上移除流动性。固化操作可涉及将含硅-与-氮层转换成氧化硅。固化可涉及提高经图案化基板温度并暴露介电材料至含氧环境。固化可为退火，且可在低于约1000°C的温度下执行固化。替代地，可在低于约800°C、600 V、500 V、400 V、300 V、200 V或低于约100 V或更低温度下发生固化。
[0045]退火可改进介电膜特性，特性包括硬度、质量(例如，改进的密度)、均匀性、移动性、击穿电荷等等。氧化后退火可增加膜的密度并且氧化后退火可移除在沉积过程中已经并入的缺陷中的某些缺陷。利用可流动沉积技术可降低制造工艺的热预算，因为若将温度提升高于一阀值，则发生电介质的回流。同样地，当执行某些制造类型(例如，后栅极)时，高温亦可允许发生掺杂剂扩散。因此，可在低于阀值温度下执行固化，在某些实施例中，可低于约600 V、约500 V、400 V、300 V、200 V或低于约100 V或更低。此外，可执行蚀刻或抛光工艺(例如，化学机械平坦化)以降低夹层电介质至暴露假栅极的水平。
[0046]在已经形成第二介电层之后，可执行其它制造工艺。示例性工艺可包括用以移除沉积的过量介电材料的CMP和/或选择性蚀刻工艺345以移除先前沉积的假栅极。举例而言，蚀刻可为多晶硅选择性湿法蚀刻，且蚀刻可移除假栅极至低于第一介电材料的水平。此夕卜，可连同材料掺杂或用于微制造的其它工艺执行其它蚀刻与沉积步骤。
[0047]可在固化第二介电层之后执行蚀刻工艺350。蚀刻可包括暴露基板至干法蚀刻剂气体,干法蚀刻剂气体移除第一介电层的至少一部分。干法蚀刻剂可为气体的混合物,气体的混合物包括含氟化合物(诸如，三氟化氮与氨)。干法蚀刻剂可额外地包括其它气体(诸如，氦或其它惰性气体)。气体可分开地流入基板所在的处理腔室，且在将干法蚀刻剂气体流入工艺腔室之前亦可藉由远程等离子体源激发干法蚀刻剂气体。干法蚀刻剂气体混合物可在随着移除第一介电层时移除第二电介质的一部分。
[0048]第一电介质可为牺牲层，而第二介电层可为非牺牲的。干法蚀刻剂气体可在实质上相似的速率下移除牺牲与非牺牲介电层，并且干法蚀刻剂气体可实质上对介电层的质量不敏感。举例而言，第一介电层可为较高质量的HDP氧化物，而第二介电层可为较低质量的可流动氧化物。虽然利用HF水溶液的湿法蚀刻可在比较高质量的第一介电层快约两倍下移除较低质量的第二介电层，但干法蚀刻剂气体并不如此进行。
[0049]干法蚀刻剂气体可在相似速率下移除较高质量与较低质量的介电层两者，以在移除第一介电层时维持第二介电层的至少一部分。用干法蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层的蚀刻速率的比率可比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。在一个示例中，第二介电层可被用作为夹层电介质，用以帮助避免掺杂剂迁移等其它保护应用。有利地，藉由在移除较高质量牺牲层时限制此层的移除，可在半导体或整合式无源器件的缩放过程中避免扩散、电荷转移与其它问题。
[0050]回到图4，图4图示已经在基板410上执行根据本方法的蚀刻工艺的基板410的横剖面图。在假栅极(未图示)的沉积之前，在基板410上沉积HDP质量的介电材料415。伴随着间隔物形成430执行蚀刻、浅沟槽隔离420与注入掺杂425。或者，可在HDP质量的介电材料与假栅极的沉积之前执行浅沟槽隔离420。在基板上沉积第二介电层或夹层电介质435，第二介电层或夹层电介质435在沉积之后最初可为可流动的，且执行CMP以移除过量的电介质并暴露假栅极。执行多晶硅选择性湿法蚀刻以移除假栅极，藉此暴露HDP质量的介电材料415。将三氟化氮、氨以及氦的干法蚀刻剂气体混合物暴露至基板，以移除HDP质量的介电材料415。在流入反应区之前，气体可流过远程等离子体腔室。可在HDP质量的介电材料415的移除过程中移除一数量的夹层电介质435。然而，即便夹层电介质435的质量可能低于HDP质量的介电材料415，干法蚀刻剂气体混合物可在实质上相似速率下移除层。因此，在HDP质量的介电材料的移除过程中限制被移除的夹层介电材料435的数量。
[0051]示例
[0052]在利用干法蚀刻剂气体混合物的蚀刻选择性之间作出比较示例。在包含藉由HDPCVD以及可流动CVD沉积的氧化物的基板上执行蚀刻。在蚀刻之前以400°C下的退火来固化可流动氧化物。将氧化物暴露至含有三氟化氮与氨的干法蚀刻剂气体混合物达十三秒的时间段。如下方表1中可见，干法蚀刻剂气体混合物仅移除稍微多一点的可流动氧化物(相较于HDP质量的氧化物)，如此指出干法蚀刻剂气体实质上对氧化物质量不敏感:
[0053]表1:干法蚀刻剂气体的蚀刻深度
【权利要求】
1.一种沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法，所述方法包括: 沉积第一介电层，所述第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率； 沉积第二介电层，其中所述第二介电层在所述沉积之后最初是可流动的，且其中所述第二介电层具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，所述第二湿法蚀刻速率高于所述第一湿法蚀刻速率；以及 用蚀刻剂气体混合物蚀刻所述第一介电层与所述第二介电层，所述蚀刻剂气体混合物包括含氟气体与氨，其中用所述蚀刻剂气体混合物蚀刻的所述第一介电层与所述第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的所述第二湿法蚀刻速率与所述第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂气体混合物是包括等离子体排出物的干法蚀刻剂气体混合物。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层中的至少一者包括氧化物。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由热沉积工艺或高密度等离子体沉积工艺来沉积。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由高密度等离子体沉积工艺来沉积。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由旋涂玻璃或可流动CVD来沉积。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由可流动CVD来沉积。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在沉积所述第二介电层之后固化所述第二介电层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二介电层在约400°C或更低的温度下被沉积、固化与蚀刻。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述蚀刻剂气体混合物的蚀刻速率比率低于约1.1。
11.一种在替换式金属栅极半导体工艺中移除半导体基板的表面上的介电材料的方法，所述方法包括: 在所述基板上沉积第一介电材料以产生第一质量的介电层，所述第一质量的介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率； 沉积第二介电材料，其中所述第二介电材料在所述沉积之后最初是可流动的； 固化所述第二介电材料以产生第二质量的第二介电层，所述第二质量的第二介电层具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，所述第二湿法蚀刻速率大于所述第一湿法蚀刻速率； 用干法蚀刻剂气体混合物蚀刻所述第一介电层与所述第二介电层，其中用所述干法蚀刻剂气体混合物蚀刻的所述第一介电层与所述第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的所述第二湿法蚀刻速率与所述第一湿法蚀刻速率的比率更接近I。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻剂气体混合物包括含氟气体与氨的等离子体排出物。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氟气体是三氟化氮。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层在约400°C或更低的温度下被沉积、固化与蚀刻。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻剂气体实质上对被蚀刻的所述介电层的质量不敏感，以致用所述干法蚀刻剂气体蚀刻的所述第二电介质的蚀刻速率与用所述干法蚀刻剂气体蚀刻的所述第一介电层的蚀刻速率的比率低于约1.1。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由热沉积工艺或高密度等离子体沉积工艺来沉积。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由高密度等离子体沉积工艺来沉积。
18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由旋涂玻璃或可流动CVD来沉积。
19.如权利要 求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由可流动CVD来沉积。
【文档编号】H01L21/311GK103843118SQ201280048556
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年9月26日 优先权日:2011年9月26日
【发明者】K·萨普瑞, R·米宁尼, J·唐 申请人:应用材料公司