非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法
【专利摘要】一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。所述非晶半导体材料的形成方法包括：在半导体基底上形成半导体预备层；对半导体预备层进行紫外线照射处理至半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气；去除废气；重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。所述金属硅化物的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中包括源区和漏区；在源区和漏区上分别形成金属层；进行第一次退火处理；采用上述非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；进行第二次退火处理；去除非晶半导体材料。本发明可在400℃及以下的温度形成非晶半导体材料。
【专利说明】非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，非晶半导体材料的应用范围越来越广泛。以非晶硅为例，由于其可以很好地与硅衬底进行兼容，非晶硅已被大量地应用在半导体器件(如:非晶硅太阳能电池)的制作过程中。
[0003]现有技术中非晶硅的形成方法包括以下步骤:
[0004]提供半导体基底；
[0005]在半导体基底表面形成SiH4层；
[0006]进行热处理，使SiH4层在大于400°C的温度下分解为非晶Si和H2,具体化学反应式为:SiH4=Si+2H2 ? ；
[0007]去除所述H2。
[0008]上述非晶硅是在400°C以上的高温条件下形成的。类似地，现有技术中其他非晶半导体材料也都是在高温条件下形成的。
[0009]随着半导体技术的进一步发展，在部分情况下希望能在400°C以下的低温条件下形成非晶半导体材料，以使非晶半导体材料的形成过程不对其他半导体层产生影响等。
[0010]因此，如何在较低温度下形成非晶半导体材料就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
【发明内容】
[0011]本发明解决的问题是提供一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法，可以在400°C及以下的温度形成非晶半导体材料。
[0012]为解决上述问题，本发明提供一种非晶半导体材料的形成方法，包括:
[0013]在半导体基底上形成半导体预备层；
[0014]对所述半导体预备层进行紫外线照射处理，直至所述半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，所述紫外线照射处理的温度小于或等于400°C ；
[0015]去除所述废气；
[0016]重复上述形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在所述半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。
[0017]可选的，所述紫外线照射处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C。
[0018]可选的，所述半导体预备层采用化学气相沉积方法形成。
[0019]可选的，所述化学气相沉积方法采用的气体包括:Si2H6、SiH2Cl2 (即DCS)、SiH3和SiH4中的一种或任意组合。
[0020]可选的，所述化学气相沉积方法采用的气体包括:Ge2H6、GeHdP GeH4中的一种或任意组合。
[0021]可选的，所述化学气相沉积方法采用的气体还包括:氧气。
[0022]可选的,每种所述气体的流量大于或等于Isccm且小于或等于300sccm。
[0023]可选的，每次形成所述半导体预备层的时间大于或等于0.0ls且小于或等于10s。
[0024]可选的，所述紫外线照射处理的功率大于或等于1W且小于或等于1000W，压强大于或等于0.1Torr且小于或等于500Torr。
[0025]可选的，采用氩气和氢气中的一种或组合去除所述废气。
[0026]可选的，所述氩气和氢气的流量大于或等于Isccm且小于或等于lOOOsccm。
[0027]可选的，每次去除所述废气的时间大于或等于0.1s且小于或等于10s。
[0028]可选的，在进行紫外线照射处理的同时，还包括:对所述半导体基底进行冷却处理，所述冷却处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C。
[0029]为解决上述问题，本发明还提供了一种金属硅化物的形成方法，包括:
[0030]提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括源区和漏区；
[0031]至少在所述源区和漏区上形成金属层；
[0032]进行第一次退火处理，所述第一次退火处理的温度大于或等于200°C且小于或等于 400。。；
[0033]采用上述的非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；
[0034]进行第二次退火处理，所述第二次退火处理的温度大于或等于400°C且小于或等于 700。。；
[0035]去除所述非晶半导体材料。
[0036]可选的，所述第一次退火处理的时间大于或等于1s且小于或等于20s，所述第二次退火处理的时间大于或等于1s且小于或等于20s。
[0037]可选的，所述非晶半导体材料的厚度大于或等于10埃且小于或等于200埃。
[0038]可选的，采用湿法刻蚀方法去除所述非晶半导体材料。
[0039]可选的，所述非晶半导体材料为非晶硅，所述湿法刻蚀方法采用TMAH和KOH溶液中的一种或组合。
[0040]可选的，所述半导体衬底上还包括栅电极，所述栅电极的材料为多晶硅；所述金属硅化物的形成方法还包括:在所述源区和漏区上形成所述金属层的同时，在所述栅电极上形成金属层；在在所述金属层上形成非晶半导体材料的同时，所述非晶半导体材料同时形成在栅电极上的金属层上。
[0041]可选的，所述金属层的材料包括镍。
[0042]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0043]本发明提供的非晶半导体材料的形成方法中，在半导体基底上形成半导体预备层之后，用紫外线照射处理替代现有技术中高温的热处理，即通过进行紫外线照射处理使得半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，当去除所述废气之后就可以在半导体基底上形成单层的非晶半导体材料，进而可以根据需要重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的过程。由于紫外线照射处理的温度小于或等于400°C，从而整个非晶半导体材料的形成过程都无需经历高于400°C的温度，最终可以避免对其他半导体层产生影响等。
[0044]进一步的，在进行紫外线照射处理的同时，还可以对所述半导体基底进行冷却处理，所述冷却处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C，从而可以进一步保证在形成非晶半导体材料的过程中，半导体基底能够处于低温状态，最终可以提高包括该非晶半导体材料的半导体器件的性能。
[0045]本发明提供的金属硅化物的形成方法中，在对源区和漏区上的金属层进行低温的第一次退火处理之后，先采用上述非晶半导体材料的形成方法在低温条件下形成非晶半导体材料，以在形成非晶半导体材料的过程中避免金属材料扩散至源区和漏区，然后再进行高温的第二次退火处理，从而在第二次退火处理过程中，金属材料会扩散至非晶半导体材料中而不是扩散至源区和漏区，最终可以抑制金属材料对半导体衬底的侵蚀，提高了半导体器件的良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0046]图1是现有技术中金属硅化物的形成方法的示意图；
[0047]图2至图9是本发明非晶半导体材料的形成方法一实施例的示意图；
[0048]图10至图12是本发明金属硅化物的形成方法一实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0049]现有技术中，都是在高温条件下形成非晶半导体材料，从而无法满足半导体技术的发展需要。
[0050]现有技术在形成金属硅化物时，包括以下步骤:
[0051]参考图1所示，先提供硅衬底60，所述硅衬底60中包括源区61和漏区62，所述硅衬底60上包括栅极结构，所述栅极结构包括:位于硅衬底60上的栅介质层81、位于栅介质层81上的金属栅电极82、位于栅介质层81和金属栅电极82两侧的娃衬底60上的侧墙83。
[0052]继续参考图1所示，在源区61上形成金属层71，且在漏区62上形成金属层72。
[0053]接着，进行第一次退火处理处理，以使金属层71和72转变为高阻的过渡态产物。
[0054]然后，进行第二次退火处理，从而使高阻的过渡态产物转变为低阻的金属硅化物。
[0055]由于第二次退火处理的温度要远高于第一次退火处理的温度，从而在进行第二次退火处理时，金属层71和72中的金属材料会向下(如图1中箭头所指方向)侵蚀位于晶体管侧墙83下面的硅材料，且会进入栅极结构下的沟道区中，最终会导致晶体管短路，使得半导体器件良率大幅下降。
[0056]发明人经过研究发现:在形成金属硅化物的过程中，在进行第一次退火处理之后且在进行第二次退火处理之前，可以先在金属层上形成一层非晶半导体材料(如:非晶硅层)，由于非晶半导体材料的势能小于金属层的势能，且非晶半导体材料的致密性比较差，从而在进行第二次退火处理时，金属材料可以去侵蚀其上方的非晶半导体材料，避免了侵蚀娃衬底，最终可以大大提闻半导体器件的良率。
[0057]当采用现有技术的方法在金属层上形成非晶半导体材料时，由于是高温条件，其温度范围与第二次退火处理的温度相差不大，因此在形成非晶半导体材料的过程中就会使得金属材料扩散至硅衬底中。基于此，有必要降低形成非晶半导体材料的温度，使得在金属层上形成非晶半导体材料时，金属材料不会扩散至硅衬底中。
[0058]发明人经过进一步研究发现，在形成非晶半导体材料时，可以通过温度小于或等于400°C的紫外线照射处理代替现有技术中的高温热处理，在此温度范围内，金属材料不会向硅衬底中进行扩散，即形成非晶半导体材料的过程对金属层和硅衬底均没有影响，最终在第二次退火处理时，金属材料改变了扩散方向，避免了对硅衬底的影响。
[0059]上述形成非晶半导体材料的方法还可以应用到制作其他半导体器件的过程中，其不限制本发明的保护范围。
[0060]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0061]本实施例提供了一种非晶半导体材料的形成方法，为了简单起见，以下均以非晶娃为例进行说明。
[0062]参考图2所不，提供半导体基底10。
[0063]所述半导体基底10可以是硅衬底、锗硅衬底或绝缘体上硅结构，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底。所述半导体基底10中还可以形成有器件层和互连结构等。
[0064]继续参考图2所示，将半导体基底10放入反应腔(图未示)中，并进行化学气相沉积工艺，即向反应腔中通入硅的前驱气体20，部分所述硅的前驱气体20会吸附在半导体基底10的上表面，部分所述硅的前驱气体20未吸附在半导体基底10上而是处于悬浮状态。
[0065]所述硅的前驱气体可以包括Si2H6、SiH2Cl2、SiH3和SiH4中的一种或多种的任意组合，本实施例中硅的前驱气体20为Si2H6。
[0066]所述硅的前驱气体20的可以流量大于或等于Isccm且小于或等于300sCCm，通入所述硅的前驱气体20的时间可以大于或等于0.0ls且小于或等于10s。
[0067]参考图3所示，去除图2中处于悬浮状态的所述硅的前驱气体20，从而仅剩余吸附在半导体基底10上表面的硅的前驱气体20作为半导体预备层。
[0068]具体地，可以向反应腔中通入氩气和氢气中的一种或其组合，每种气体的流量范围包括Isccm?lOOOsccm，通入气体的时间可以为0.1s?10s，从而就可以去除反应腔中未吸附在半导体基底10上表面的娃的前驱气体20。
[0069]本实施例中半导体预备层是通过表面吸附形成的，并通过氩气或氢气等将没反应的气体赶出反应室，以便对吸附在半导体基底10上的半导体预备层进行后续处理。
[0070]参考图4所示，对剩余的硅的前驱气体20进行紫外线照射处理，即采用紫外线照射图3中吸附在半导体基底10上表面的硅的前驱气体20，直至硅的前驱气体20分解为非晶娃21和氢气22。
[0071]所述紫外线照射处理的温度可以小于或等于400°C，从而保证在形成非晶硅21的过程中，无需经历高温。
[0072]本实施例中紫外线照射处理的温度可以大于或等于20°C且小于或等于300°C，如:20°C、70°C、100°C、180°C、250°C或300°C等，S卩在这些温度下硅的前驱气体20都能分解为非晶娃21和氢气22。
[0073]具体地，由于本实施例中硅的前驱气体20为Si2H6,因此硅的前驱气体20在紫外线照射下分解为非晶硅21和氢气22的过程为:Si2H6=2Si+3H2丨，其中非晶硅21作为非晶半导体材料，氢气22作为废气。
[0074]需要说明的是，当选用其他气体作为硅的前驱气体时，废气可能会发生变化，如当硅的前驱气体为SiH2Cl2时，此时的废气为HCl。
[0075]所述紫外线照射处理的功率可以大于或等于1W且小于或等于1000W，压强可以大于或等于0.1Torr且小于或等于500Torr。
[0076]所述紫外线照射处理的时间与温度有关，温度越高，时间越短，当硅的前驱气体20完全分解时就可以停止所述紫外线照射处理。
[0077]可选的，当在进行紫外线照射处理的同时，还可以包括:对所述半导体基底10进行冷却处理，所述冷却处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C，从而可以进一步保证在形成非晶硅21的过程中，半导体基底10能够处于低温状态，最终可以提高包括该非晶硅21的半导体器件的性能。所述冷却处理可以是水冷也可以是风冷，其不影响本发明的保护范围。
[0078]参考图5所示，去除图4中的氢气22，从而在半导体基底10上形成非晶硅层30。
[0079]具体地，可以向反应腔中通入氩气和氢气中的一种或其组合，每种气体的流量范围包括Isccm?lOOOsccm，通入气体的时间可以为0.1s?10s，从而就可以去除反应腔中的废气(即氢气22)。
[0080]此时形成在半导体基底10上的非晶硅层30的厚度仅为0.1埃?5埃，一般不能满足需求。
[0081]参考图6所示，向反应腔中通入硅的前驱气体40，部分所述硅的前驱气体40会吸附在非晶硅层30的上表面，部分所述硅的前驱气体40未吸附在非晶硅层30上而是处于悬浮状态。
[0082]具体可以参考图2对应的步骤，在此不再赘述。
[0083]参考图7所示，去除图6中未吸附在非晶硅层30上的硅的前驱气体40，从而采用化学气相沉积工艺在非晶硅层30上形成了半导体预备层。
[0084]具体可以参考图3对应的步骤，在此不再赘述。
[0085]参考图8所示，对非晶硅层30进行紫外线照射处理，从而吸附在非晶硅层30上的娃的前驱气体分解为非晶娃41和氢气42。
[0086]具体可以参考图4对应的步骤，在此不再赘述。
[0087]参考图9所示，去除图8中的氢气42，在非晶硅层30上形成非晶硅层50。
[0088]具体可以参考图5对应的步骤，在此不再赘述。
[0089]后续可以根据需要，重复上述形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤一次或多次，直至在所述半导体基底10上形成预定厚度的非晶硅。
[0090]在本发明的其他实施例中，当要形成的非晶半导体材料为非晶锗时，此时在采用化学气相沉积工艺形成半导体预备层时的气体可以包括Ge2H6、GeH3和GeH4中的一种或多种的任意组合；当要形成的非晶半导体材料为非晶氧化硅时，此时在采用化学气相沉积工艺形成半导体预备层时的气体除了包括Si2H6、SiH2Cl2、SiH3和SiH4中的一种或多种的任意组合之外，还需要包括氧气；当要形成的非晶半导体材料为非晶氧化锗时，此时在采用化学气相沉积工艺形成半导体预备层时的气体除了包括Ge2H6、GeH3和GeH4中的一种或多种的任意组合之外，还需要包括氧气。
[0091]上述实施例在半导体基底上形成半导体预备层之后，用紫外线照射处理替代现有技术中高温的热处理，即通过进行紫外线照射处理使得半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，当去除所述废气之后就可以在半导体基底上形成单层的非晶半导体材料，进而可以需要重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的过程。由于紫外线照射处理的温度小于或等于400°C，从而整个非晶半导体材料的形成过程都无需经历高于400°C的温度，最终可以避免对其他半导体层产生影响等。
[0092]本实施例还提供了一种金属硅化物的形成方法，包括以下步骤:
[0093]参考图10所示，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100中包括源区110和漏区120，所述半导体衬底100上包括栅极结构。
[0094]所述半导体衬底100可以是硅衬底、锗硅衬底或绝缘体上硅结构，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底。本实施例中半导体衬底100包括任意的晶体管，且与晶体管中源区110和漏区120对应的半导体衬底100的材料为单晶半导体材料，如:单晶硅。
[0095]具体地，所述栅极结构包括位于半导体衬底100上的栅介质层210、位于所述栅介质层210上的栅电极220和位于所述栅介质层210侧面和所述栅电极220侧面的半导体衬底100上的侧墙230。
[0096]所述栅介质层210的材料可以是氧化硅，也可以是高k介电材料；所述栅电极220的材料可以是多晶硅，也可以是金属材料。
[0097]本实施例中所述栅介质层210为高k介电材料，所述栅电极220为金属材料，从而无需在栅极结构上形成金属硅化物。
[0098]需要说明的是，所述栅极结构也可以采用其他结构，其不限制本发明的保护范围。
[0099]继续参考图10所示，在所述源区110上形成金属层310a，且在所述漏区120上形成金属层320a。
[0100]所述金属层310a和320a的材料可以为镍、钴或钛。
[0101]本实施例中所述金属层310a为镍。具体地，先采用物理气相沉积或化学气相沉积在半导体衬底100和栅极结构上形成镍材料，然后通过选择性刻蚀工艺刻蚀所述镍材料，直至仅剩余源区I1和漏区120上的镍材料，从而得到金属层310a和320a。
[0102]需要说明的是，当栅电极为多晶硅时，在刻蚀镍材料时，还需要同时保留位于栅电极上的镍材料。
[0103]接着，进行第一次退火处理，所述第一次退火处理的温度大于或等于200°C且小于或等于400°C。
[0104]所述第一次退火处理的时间可以大于或等于1s且小于或等于20s。
[0105]所述第一次退火处理的温度选择较低，使得退火后只有部分与源区110相邻的金属层310a以及部分与漏区120相邻的金属层320a与娃反应形成了金属娃化物,而最上面仍有部分金属未能与硅发生反应。此外，由于选用的温度较低，此时产生的金属硅化物为一种高阻的过渡态产物，如:Ni2S1、GoSi等。
[0106]由于第一次退火处理的温度比较低，因此金属层310a和金属层320不会腐蚀位于晶体管侧墙230下面的硅材料，且不会进入栅极结构下的沟道区中。
[0107]接着，参考图11所示，在第一次退火处理之后，可以采用湿法刻蚀工艺去除未与硅发生反应的金属层310a和320a，从而只留下高阻的金属硅化物310b和320b。
[0108]继续参考图11所示，在高阻的金属硅化物310b和320b以及栅极结构的表面上形成非晶半导体材料400。
[0109]所述非晶半导体材料400需要在低温环境(小于或等于400°C)下形成。本实施例中所述非晶半导体材料400为非晶硅，其具体可以采用上述实施例的方法形成，此时高阻的金属硅化物310b和320b以及栅极结构作为所述半导体基底，在此不再赘述。
[0110]所述非晶半导体材料400的厚度可以大于或等于10埃且小于或等于200埃，如:10埃、50埃、100埃、150埃或200埃。
[0111]由于本实施例中仅需要在源区110和漏区120上形成金属硅化物，因此本实施例中的非晶半导体材料400可以仅位于金属层310a和金属层320a上。但是当栅电极230上也需要形成金属硅化物时，则非晶半导体材料400也需要同时位于栅电极230上的金属层上。
[0112]由于此时形成非晶半导体材料400的温度比较低，因此高阻的金属硅化物310b和320b中的金属不会向下发生扩散。
[0113]接着，结合参考图12所示，为了将第一次退火处理之后形成的高阻的金属硅化物310b和320b转化为低阻的金属硅化物310c和320c，进行第二次退火处理，所述第二次退火处理的温度大于或等于400°C且小于或等于700°C。
[0114]所述第二次退火处理的时间可以大于或等于1s且小于或等于20s。
[0115]所述第二次退火处理的温度大于第一次退火处理的温度，从而可以形成低阻的金属硅化物310c和320c，如:GoSi2、NiSi等，形成的电接触质量较好。
[0116]虽然第二次退火处理的温度比较高，金属在第二次退火处理中会进一步扩散，但是由于此时位于高阻的金属硅化物310b和320b上的非晶半导体材料400的势能远小于高阻的金属硅化物的势能，且其致密性较差，而非晶硅材料的半导体衬底100则势能比较大，且质地比较紧密，因此此时金属的扩散方向会是向上(如图11中箭头所示)，即从势能高的地方向势能低的地方扩散，即扩散进入非晶半导体材料400中，而不会腐蚀位于晶体管侧墙230下面的硅材料，且不会进入栅极结构下的沟道区中，最终可以抑制金属材料对半导体衬底100的侵蚀，提高了半导体器件的良率。
[0117]接着，继续参考图12所示，去除图11中的非晶半导体材料400，从而在源区110上形成低阻的金属硅化物310c，且在漏区120上形成低阻的金属硅化物320c。
[0118]具体地，可以采用湿法刻蚀方法去除所述非晶半导体材料400。本实施例中所述非晶半导体材料400为非晶硅，从而可以采用TMAH和KOH溶液中的一种或组合作为湿法刻蚀溶液以去除所述非晶硅。
[0119]本实施例在两次退火处理之间，增加了在低温条件下形成非晶半导体材料400的步骤，从而可以在第二次退火处理时，可以使金属材料会扩散至非晶半导体材料400中而不是扩散至源区110和漏区120，最终可以抑制金属材料对半导体衬底100的侵蚀，提高了半导体器件的良率。
[0120]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，包括: 在半导体基底上形成半导体预备层； 对所述半导体预备层进行紫外线照射处理，直至所述半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，所述紫外线照射处理的温度小于或等于400°c ； 去除所述废气； 重复上述形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在所述半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。
2.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述紫外线照射处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C。
3.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述半导体预备层采用化学气相沉积方法形成。
4.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体包括:Si2H6、SiH2Cl2, SiH3和SiH4中的一种或任意组合。
5.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体包括:Ge2H6、GeH3和GeH4。
6.如权利要求4或5所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体还包括:氧气。
7.如权利要求4或5所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每种所述气体的流量大于或等于Isccm且小于或等于300sccm。
8.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每次形成所述半导体预备层的时间大于或等于0.0ls且小于或等于10s。
9.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述紫外线照射处理的功率大于或等于1W且小于或等于1000W，压强大于或等于0.1Torr且小于或等于500Torro
10.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，采用氩气和氢气中的一种或组合去除所述废气。
11.如权利要求10所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述氩气和氢气的流量大于或等于Isccm且小于或等于lOOOsccm。
12.如权利要求10所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每次去除所述废气的时间大于或等于0.1s且小于或等于10s。
13.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，在进行紫外线照射处理的同时，还包括:对所述半导体基底进行冷却处理，所述冷却处理的温度大于或等于20°C且小于或等于300°C。
14.一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括源区和漏区； 至少在所述源区和漏区上形成金属层； 进行第一次退火处理，所述第一次退火处理的温度大于或等于200°C且小于或等于400 0C ； 采用如权利要求1至13中任一项所述的非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料； 进行第二次退火处理，所述第二次退火处理的温度大于或等于400°C且小于或等于700 V ； 去除所述非晶半导体材料。
15.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间大于或等于1s且小于或等于20s，所述第二次退火处理的时间大于或等于1s且小于或等于20s。
16.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体材料的厚度大于或等于10埃且小于或等于200埃。
17.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀方法去除所述非晶半导体材料。
18.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体材料为非晶硅，所述湿法刻蚀方法采用TMAH和KOH溶液中的一种或组合。
19.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上还包括栅电极，所述栅电极的材料为多晶硅；所述金属硅化物的形成方法还包括:在所述源区和漏区上形成所述金属层的同时，在所述栅电极上形成金属层；在在所述金属层上形成所述非晶半导体材料的同时，所述非晶半导体材料同时形成在栅电极上的金属层上。
20.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍。
【文档编号】H01L21/335GK104241112SQ201310232183
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月9日 优先权日:2013年6月9日
【发明者】陈勇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司